本实用新型专利技术提供一种温度感测自动追踪系统及碳化硅长晶设备,系统包括控制器;温度采集装置设置于碳化硅长晶设备并对坩埚的加热原料进行温度采集;移动装置连接温度采集装置并控制温度采集装置的移动,其中当移动装置接收控制器所传送的温度采集结果的校正数据时,移动装置控制温度采集装置进行移动,以校正温度采集装置对坩埚的加热原料的温度采集位置。因此本实用新型专利技术可以通过自动化的温度感测追踪校正,让长晶过程的温度感测准确度提升,不需人工监看也可避免人工误判,故本实用新型专利技术可以改善长晶制程,优化长晶制程中对温度的监控,提升长晶产品的良率。提升长晶产品的良率。提升长晶产品的良率。
【技术实现步骤摘要】
温度感测自动追踪系统及碳化硅长晶设备
[0001]本技术涉及一种温度感测追踪控制,特别是涉及一种温度感测自动追踪系统及碳化硅长晶设备。
技术介绍
[0002]碳化硅的应用领域广泛,尤其是使用于半导体晶圆的碳化硅材料晶圆,由于碳化硅长晶制程中必须经由高温长时间精密提炼,时常衍伸出加热相关制程之课题,且攸关长晶产品的良率。
技术实现思路
[0003]有鉴于先前技术所提出的问题,本技术提供一种温度感测自动追踪系统及碳化硅长晶设备,予以解决长晶过程如何进行温度有效监控的问题。
[0004]根据本技术的一实施例,提出了一种温度感测自动追踪系统,对一碳化硅长晶设备具有的一坩埚的加热原料进行温度自动追踪,该温度感测自动追踪系统包括:一控制器;一温度采集装置,电性连接该控制器,该温度采集装置设置于该碳化硅长晶设备上并对该坩埚的加热原料进行一个或多个温度采集,并将温度采集的结果回传到该控制器;一移动装置,电性连接该控制器,该移动装置连接该温度采集装置并控制该温度采集装置的移动,其中当该移动装置接收该控制器所传送的温度采集结果的校正数据时,该移动装置控制该温度采集装置进行移动,以校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置。
[0005]在一实施例中,其中还包括一图像采集器和一图像分析电路,分别电性连接该控制器,当该温度采集装置对该坩埚的加热原料进行温度采集时,还通过该图像采集器采集该坩埚加热原料的图像,该图像分析电路接收该图像采集器采集该坩埚加热原料的该图像进行图像分析,并将分析结果回传到该控制器,该控制器根据图像分析结果的校正数据,控制该移动装置对该温度采集装置移动,以校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置。
[0006]在一实施例中,其中通过该控制器控制该图像采集器采集该坩埚加热原料的该图像为一实时图像或一记录图像时,该图像分析电路是分析该实时图像或该记录图像的热光源图像的位置,该控制器通过该图像分析电路以得出该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置所需要校正的距离。
[0007]在一实施例中,其中该热光源图像是该坩埚加热原料的该图像中的其中一不特定光源热点、一光源中心点或一不特定光源区域。
[0008]在一实施例中,其中校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置是找出该热光源图像中温度最高的位置或范围。
[0009]在一实施例中,其中还包括一显示屏幕,设置于该碳化硅长晶设备上,该显示屏幕接收并显示该图像采集器采集该坩埚加热原料的该图像,以在该移动装置控制对该温度采
集装置的移动以校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置时,该显示屏幕显示加热原料的该图像配合该温度采集装置对该坩埚的加热原料进行温度采集及追踪。
[0010]在一实施例中,其中该图像分析电路接收该图像采集器采集该坩埚加热原料的该图像进行图像分析时是通过灰阶热图像分析、热成像图像分析、光谱图像分析、色彩图像分析、视觉检测分析或图像比对分析中的一个产生该图像分析结果,该控制器根据该图像分析结果的校正数据,控制该移动装置对该温度采集装置移动,以校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置。
[0011]在一实施例中,其中该移动装置为线性移动装置,包括一个或多个步进马达,该线性移动装置控制该温度采集装置进行线性移动,以校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置。
[0012]在一实施例中,其中该线性移动装置为单轴控制或双轴控制的线性移动装置。
[0013]根据本技术的另一实施例,提出了一种碳化硅长晶设备,具有所述的温度感测自动追踪系统。
[0014]本技术的可能技术效果在于可以通过自动化的温度感测采集位置的校正,可以让长晶过程的温度感测准确度提升,避免长晶过程中进行的温度感测没有达到需求或不准确所造成的误判,因此本技术可以改善长晶制程,优化长晶制程中对温度的监控,间接提升长晶产品的良率。
[0015]为了能更进一步了解本技术为达成既定目的所采取之技术及功效,请参阅以下有关本技术之详细说明、图式,相信本技术之目的、特征与特点,当可由此得以深入且具体之了解,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本技术加以限制者。
附图说明
[0016]图1呈现本技术一实施例所绘示温度感测自动追踪系统对碳化硅长晶设备具有的坩埚的加热原料进行温度自动追踪的示意图。
[0017]图2呈现本技术一实施例所绘示温度感测自动追踪系统还包括图像采集器和图像分析电路的示意图。
[0018]图3呈现本技术一实施例所绘示分析坩埚加热原料的热光源图像的位置的示意图。
[0019]图4呈现本技术一实施例所绘示分析热光源图像是坩埚加热原料的图像中不特定光源热点、光源中心点或不特定光源区域的示意图。
[0020]图5呈现本技术一实施例所绘示温度感测自动追踪系统还包括显示屏幕的示意图。
[0021]图6呈现本技术一实施例所绘示以显示屏幕显示加热原料的图像的示意图。
具体实施方式
[0022]以下是通过特定的具体实施例来说明本技术所公开有关“温度感测自动追踪系统及碳化硅长晶设备”的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本技术的优点与效果。本技术可通过其它不同的具体实施例加以施行或应用,本说
明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不悖离本技术的构思下进行各种修改与变更。另外,本技术的附图仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘,事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本技术的相关
技术实现思路
,但所公开的内容并非用以限制本技术的保护范围。
[0023]为了更清楚的说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域通常知识及普通技能技术人员来说,在不付出过多努力的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0024]本技术公开一种温度感测自动追踪系统及碳化硅长晶设备,碳化硅长晶设备可配备温度感测自动追踪系统以进行对坩埚加热原料的温度进行监控,当温度传感器对加热原料的温度感测位置偏离、不符合需求或不符合最佳的温度感测位置时,本技术可及时发现并改变对加热原料的温度感测位置,进行温度采集校正,避免长晶制程的过程中对坩埚加热原料的温度掌握不准确,可避免人工误判。
[0025]本技术公开的温度感测自动追踪系统可配合移动电子装置进行远程监控,及时回传加热原料的图像分析结果及加热原料的温度进行实时监控,可避免人员耗时耗工进行人工监控,并且得知图像分析结果后,进行及时校正对坩埚加热原料的温度感测位置。其中也可配合移动电子装置中软件程序的用户接口进行及时监控和及时温度采集校正。
[0026]本技术公开的碳化硅长晶设备所使用的碳化硅长晶方式可通过液相磊晶(Liquid Ph本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种温度感测自动追踪系统,其特征在于,对一碳化硅长晶设备具有的一坩埚的加热原料进行温度自动追踪,该温度感测自动追踪系统包括:一控制器;一温度采集装置,电性连接该控制器,该温度采集装置设置于该碳化硅长晶设备上并对该坩埚的加热原料进行一个或多个温度采集,并将温度采集的结果回传到该控制器;一移动装置,电性连接该控制器,该移动装置连接该温度采集装置并控制该温度采集装置的移动,其中当该移动装置接收该控制器所传送的温度采集结果的校正数据时,该移动装置控制该温度采集装置进行移动,以校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置。2.根据权利要求1所述的温度感测自动追踪系统,其特征在于,还包括一图像采集器和一图像分析电路,分别电性连接该控制器,当该温度采集装置对该坩埚的加热原料进行温度采集时,还通过该图像采集器采集该坩埚的加热原料的图像,该图像分析电路接收该图像采集器采集该坩埚的加热原料的该图像进行图像分析,并将分析结果回传到该控制器,该控制器根据图像分析结果的校正数据,控制该移动装置对该温度采集装置移动,以校正该温度采集装置对该坩埚的加热原料的温度采集位置。3.根据权利要求2所述的温度感测自动追踪系统,其特征在于,该控制器控制该图像采集器采集该坩埚的加热原料的该图像为一实时图像或...
【专利技术属性】
技术研发人员:张世镇,刘景文,柯盛辉,
申请(专利权)人:广运机械工程股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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