显示基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法中，首先可以在隔离区形成沿远离衬底的方向依次层叠的金属膜层和绝缘膜层。然后可以采用一张掩膜板，对绝缘膜层和部分金属膜层进行第一刻蚀处理，形成第一绝缘层、第一金属层和覆盖第一绝缘层和部分第一金属层侧壁的络合物层。再然后可以直接以络合物层为遮挡部，对第一金属层进行第二刻蚀处理，得到上宽下窄具有尖端角的阻隔结构。因在第一刻蚀处理时，仅刻蚀了厚度较小的部分金属膜层，故使得仅在第一金属层的部分侧壁上形成了络合物层，进而使得可以在不采用掩膜板的基础上，对第一金属层进行可靠的第二刻蚀处理，得到良率较好的阻隔结构，实现对外界水汽的可靠阻挡。的可靠阻挡。的可靠阻挡。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法、显示装置


[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示基板因其自发光、宽视角和响应速度快等优点被广泛应用于各类显示装置中。
[0003]相关技术中，OLED显示基板一般包括：具有显示区和非显示区的衬底，位于显示区的多个像素，以及位于非显示区的阻隔(Rib)结构。其中，Rib结构的横截面一般呈具有尖端(Tip)角的“工”字型。Rib结构能够用于对像素进行阻挡隔离，避免外界水汽受切割或其他因素影响而入侵显示区损伤像素。
[0004]但是，受目前制造Rib结构的工艺影响，形成的Rib结构易发生塌陷或者断裂。如此，造成阻挡水汽的可靠性较低，产品良率较差。

技术实现思路

[0005]提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中因形成的Rib结构易发生塌陷或者断裂，而导致阻挡水汽的可靠性较低的问题。
[0006]所述技术方案如下：
[0007]一方面，提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括：
[0008]提供衬底，所述衬底具有隔离区；
[0009]在所述隔离区，形成位于所述衬底一侧且沿远离所述衬底的方向依次层叠的金属膜层和绝缘膜层；
[0010]采用掩膜板，沿靠近所述衬底的方向，对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理，形成第一绝缘层，第一金属层，以及覆盖所述第一绝缘层的侧壁和属于所述部分膜层的第一金属层的侧壁的络合物层，所述金属膜层中，所述部分膜层的厚度小于除所述部分膜层外的其余膜层的厚度；
[0011]以所述络合物层为遮挡部，对所述第一金属层进行第二刻蚀处理，形成第二金属层，所述第二金属层靠近所述第一绝缘层的部分的宽度大于远离所述第一绝缘层的部分的宽度，且小于所述第一绝缘层的宽度；
[0012]去除所述络合物层，得到阻隔结构，所述阻隔结构包括所述第二金属层和所述第一绝缘层。
[0013]可选的，所述对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理，包括：
[0014]采用第一刻蚀气体，对所述绝缘膜层进行干法刻蚀处理；
[0015]采用第二刻蚀气体，对所述金属膜层中的部分膜层进行干法刻蚀处理；
[0016]其中，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体为不同的刻蚀气体。
[0017]可选的，所述第一刻蚀气体包括：六氟化硫和氧气；所述第二刻蚀气体包括：三氯
化硼和氯气；所述络合物层包括：氯络合物层。
[0018]可选的，所述对所述第一金属层进行第二刻蚀处理，包括：
[0019]采用刻蚀溶液，对所述第一金属层进行湿法刻蚀处理。
[0020]可选的，所述刻蚀溶液包括：百分之10％至20％的乙酸，1％至2.5％硝酸，以及50至60％的磷酸。
[0021]可选的，所述金属膜层包括：沿远离所述衬底的方向层叠的第一金属膜层、第二金属膜层和第三金属膜层；
[0022]所述第一金属膜层的材料和所述第三金属膜层的材料相同，且均与所述第二金属膜层的材料不同；且所述第一金属膜层的厚度和所述第三金属膜层的厚度均小于所述第二金属膜层的厚度；
[0023]其中，所述部分膜层包括所述第三金属膜层和所述第二金属膜层的部分金属膜层，且所述第二金属膜层中，所述部分金属膜层的厚度小于除所述部分金属膜层外的其余金属膜层的厚度。
[0024]可选的，所述金属膜层中，所述部分膜层的厚度为所述金属膜层的总厚度的1/5至1/4；所述第二金属膜层中，所述部分金属膜层的厚度为所述第二金属膜层的总厚度的1/5至1/4。
[0025]可选的，所述衬底还具有显示区，所述隔离区至少部分围绕所述显示区；所述方法还包括：
[0026]在所述显示区和所述隔离区，形成位于所述衬底一侧的缓冲层；
[0027]在所述显示区，形成位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的像素，所述像素包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的有源层、第一栅绝缘层、第一栅金属层、第二栅绝缘层、第二栅金属层、层间界定层、第一源漏金属层、第一平坦层、第一钝化层、第二源漏金属层、第二钝化层、第二平坦层、阳极层和像素界定层；
[0028]在所述隔离区，形成位于所述缓冲层与所述第二金属层之间，且沿远离所述衬底的方向依次层叠的第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第三金属层和第五绝缘层；
[0029]其中，所述第二绝缘层与所述第一栅绝缘层位于同层，所述第三绝缘层与所述第二栅绝缘层位于同层，所述第四绝缘层与所述层间界定层位于同层，所述第三金属层与所述第一源漏金属层位于同层，所述第五绝缘层与所述第一钝化层位于同层，所述第二金属层与所述第二源漏金属层位于同层，所述第一绝缘层与所述第二钝化层位于同层。
[0030]另一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板采用如上述一方面所述的方法得到；所述显示基板包括：
[0031]衬底，具有隔离区；
[0032]位于所述隔离区的阻隔结构；
[0033]其中，所述阻隔结构包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的第二金属层和第一绝缘层，所述第二金属层，所述第二金属层靠近所述第一绝缘层的部分的宽度大于远离所述第一绝缘层的部分的宽度，且小于所述第一绝缘层的宽度。
[0034]又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件，以及如上述另一方面所述的显示基板；
[0035]其中，所述供电组件与所述显示基板电连接，并用于为所述显示基板供电。
[0036]综上所述，本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少可以包括：
[0037]提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。该方法中，首先可以在隔离区形成沿远离衬底的方向依次层叠的金属膜层和绝缘膜层。然后可以采用一张掩膜板，对绝缘膜层和部分金属膜层进行第一刻蚀处理，形成第一绝缘层、第一金属层和覆盖第一绝缘层和部分第一金属层侧壁的络合物层。再然后可以直接以络合物层为遮挡部，对第一金属层进行第二刻蚀处理，得到上宽下窄具有尖端角的阻隔结构。因在第一刻蚀处理时，仅刻蚀了厚度较小的部分金属膜层，故使得仅在第一金属层的部分侧壁上形成了络合物层，进而使得可以在不采用掩膜板的基础上，对第一金属层进行可靠的第二刻蚀处理，得到良率较好的阻隔结构，实现对外界水汽的可靠阻挡。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0039]图1是本公开实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图；
[0040]图2是本公开实施例提供的一种显示基板的制造工艺流程图；
[0041]图3是本公开实施例提供的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有隔离区；在所述隔离区，形成位于所述衬底一侧且沿远离所述衬底的方向依次层叠的金属膜层和绝缘膜层；采用掩膜板，沿靠近所述衬底的方向，对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理，形成第一绝缘层，第一金属层，以及覆盖所述第一绝缘层的侧壁和属于所述部分膜层的第一金属层的侧壁的络合物层，所述金属膜层中，所述部分膜层的厚度小于除所述部分膜层外的其余膜层的厚度；以所述络合物层为遮挡部，对所述第一金属层进行第二刻蚀处理，形成第二金属层，所述第二金属层靠近所述第一绝缘层的部分的宽度大于远离所述第一绝缘层的部分的宽度，且小于所述第一绝缘层的宽度；去除所述络合物层，得到阻隔结构，所述阻隔结构包括所述第二金属层和所述第一绝缘层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理，包括：采用第一刻蚀气体，对所述绝缘膜层进行干法刻蚀处理；采用第二刻蚀气体，对所述金属膜层中的部分膜层进行干法刻蚀处理；其中，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体为不同的刻蚀气体。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括：六氟化硫和氧气；所述第二刻蚀气体包括：三氯化硼和氯气；所述络合物层包括：氯络合物层。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述对所述第一金属层进行第二刻蚀处理，包括：采用刻蚀溶液，对所述第一金属层进行湿法刻蚀处理。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀溶液包括：百分之10％至20％的乙酸，1％至2.5％硝酸，以及50至60％的磷酸。6.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述金属膜层包括：沿远离所述衬底的方向层叠的第一金属膜层、第二金属膜层和第三金属膜层；所述第一金属膜层的材料和所述第三金属膜层的材料相同，且均与所述第二金属膜层的材料不同；且所述第一金属膜层的厚度和所述第三金属膜层的厚度均小于所述第二金属膜层的厚度；其中，所述部分膜层包括所述第三金属膜层和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，周斌，苏同上，孙涛，马宇轩，王海东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：