发声装置及电子设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于电声转换设备技术领域，具体涉及一种发声装置及具有该发声装置的电子设备。本实用新型专利技术的发声装置包括壳体、振膜和磁路组件，振膜与壳体相连，振膜设有朝向壳体的内部凹陷设置的折环，磁路组件包括至少一个第一华司和至少一个第二华司，至少一个第一华司与壳体相连，至少一个第二华司与至少一个第一华司相对设置，且第一华司和第二华司间设有第一间隙，至少部分第一间隙与至少部分折环沿振膜的振动方向正对设置。根据本实用新型专利技术的发声装置，当振膜带动折环振动时，至少部分第一间隙在折环的振动方向上形成避让空间，从而在振膜的振动过程中，折环不会撞击到第一华司和第二华司，进而避免折环的损坏，保证发声装置的正常发声。的正常发声。的正常发声。

【技术实现步骤摘要】
发声装置及电子设备


[0001]本技术属于电声转换设备
，具体涉及一种发声装置及具有该发声装置的电子设备。

技术介绍

[0002]扬声器作为将电能转变为声能的常用电声换能器件，其在声放系统中起着不可或缺的作用。扬声器在声放系统中是一个最薄弱的器件，而对于声放效果而言，它又是一个最重要的部件。扬声器的种类繁多，音频电能通过电磁，压电或静电效应，使其纸盆或振膜振动并与周围的空气产生共振而发出声音。因此，正是有了扬声器和受话器的出现，人们才得以听到美妙声音。
[0003]现有扬声器的折环一般都朝向扬声器的内部凹陷设置，折环的下方一般都间隔设有注塑华司。由于目前的电子设备均朝向轻薄化的方向发展，扬声器整体尺寸的缩减必然导致扬声器内部空间的减小，从而导致折环与注塑华司间的间距尺寸的缩小。当扬声器振膜振动时，折环在振动过程中容易撞击到注塑华司，从而导致折环的损坏，进而影响扬声器的正常发声。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是至少解决折环在振动过程中容易撞击注塑华司的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：
[0005]本技术的第一方面提出了一种发声装置，该发声装置包括：
[0006]壳体；
[0007]振膜，所述振膜与所述壳体相连，所述振膜设有朝向所述壳体的内部凹陷设置的折环；
[0008]磁路组件，所述磁路组件包括至少一个第一华司和至少一个第二华司，所述至少一个第一华司与所述壳体相连，所述至少一个第二华司与所述至少一个第一华司相对设置，且所述第一华司和所述第二华司间设有第一间隙，至少部分所述第一间隙与至少部分所述折环沿所述振膜的振动方向正对设置。
[0009]根据本技术的发声装置，通过设置第一华司和第二华司，第一华司和第二华司相对设置且二者之间设有第一间隙，第一间隙与折环沿振膜的振动方向至少部分正对设置，当振膜带动折环振动时，至少部分第一间隙在折环的振动方向上形成避让空间，从而在振膜的振动过程中，折环不会撞击到第一华司和第二华司，进而避免折环的损坏，保证发声装置的正常发声。
[0010]另外，根据本技术的发声装置，还可具有如下附加的技术特征：
[0011]在本技术的一些实施方式中，所述磁路组件还包括中心磁体和关于所述中心磁体对称设置的至少两个边磁体，所述中心磁体和所述边磁体间形成有磁间隙，所述第二华司与所述边磁体相连。
[0012]在本技术的一些实施方式中，所述发声装置还包括磁轭，所述中心磁体和所述边磁体共同设于所述磁轭上，所述边磁体的至少一个侧面对应设有第一弯折部，其中，
[0013]所述磁轭的一部分向上弯折形成所述第一弯折部；
[0014]或，所述第二华司的一部分向下弯折形成所述第一弯折部；
[0015]或，所述第一弯折部与所述磁轭或所述第二华司连接。
[0016]在本技术的一些实施方式中，所述边磁体朝向所述第一华司的侧面对应设有所述第一弯折部，和/或所述边磁体的长度方向两端的至少一个侧面对应设有所述第一弯折部。
[0017]在本技术的一些实施方式中，所述第二华司和所述磁轭通过所述第一弯折部相连。
[0018]在本技术的一些实施方式中，所述第一弯折部为所述第二华司的一部分，所述第二华司还包括主体部和第二弯折部，所述主体部与所述边磁体相连，所述第二弯折部与所述磁轭相连，所述主体部和所述第二弯折部分别设于所述第一弯折部的两侧且通过所述第一弯折部相连。
[0019]在本技术的一些实施方式中，所述第二华司的数量与所述边磁体的数量相一致，且所述第二华司与所述边磁体分别一一对应连接。
[0020]在本技术的一些实施方式中，所述第二华司朝向所述振膜的表面为阶梯面，所述阶梯面与所述振膜的间距尺寸沿所述壳体的内部朝向外部的方向由小变大。
[0021]在本技术的一些实施方式中，所述至少一个第一华司为环形华司，和/或所述第一华司的至少部分结构嵌设于所述壳体的侧壁中。
[0022]本技术的另一方面还提出了一种电子设备，所述电子设备具有上述任一项所述的发声装置。
附图说明
[0023]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其它的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。其中：
[0024]图1为本技术一实施方式的发声装置的结构示意图；
[0025]图2为本技术一实施方式的发声装置去除振膜后的结构示意图；
[0026]图3为本技术一实施方式的发声装置的分解结构示意图；
[0027]图4为本技术一实施方式的发声装置的第一华司与第二华司的分布结构示意图；
[0028]图5为本技术一实施方式的发声装置的A
‑
A的剖面结构示意图；
[0029]图6为本技术一实施方式的发声装置的C部的放大结构示意图；
[0030]图7为本技术一实施方式的发声装置的A
‑
A的剖面结构示意图；
[0031]图8为本技术一实施方式的发声装置的D部的放大结构示意图；
[0032]图9为本技术一实施方式的发声装置的A
‑
A的剖面结构示意图；
[0033]图10为本技术一实施方式的发声装置的E部的放大结构示意图；
[0034]图11为本技术一实施方式的发声装置的B
‑
B的剖面结构示意图。
[0035]附图中各标号表示如下：
[0036]1：发声装置；
[0037]10：壳体、
[0038]20：振膜、21：折环；
[0039]30：磁路组件、31：第一华司、311：第一间隙、32：第二华司、321：主体部、3211：第一阶梯面、3212：第二阶梯面、3213：第三阶梯面、322：第一折弯部、323：第二折弯部；
[0040]33：中心磁体、34：边磁体、35：中心华司；
[0041]40：磁轭；
[0042]50：音圈、51：支片；
[0043]60：球顶。
具体实施方式
[0044]下面将参照附图更详细地描述本技术的示例性实施方式。虽然附图中显示了本技术的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本技术而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本技术，并且能够将本技术的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0045]应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声装置，其特征在于，包括：壳体；振膜，所述振膜与所述壳体相连，所述振膜设有朝向所述壳体的内部凹陷设置的折环；磁路组件，所述磁路组件设于所述壳体的内部，所述磁路组件包括至少一个第一华司和至少一个第二华司，所述至少一个第一华司与所述壳体相连，所述至少一个第二华司与所述至少一个第一华司相对设置，且所述第一华司和所述第二华司间设有第一间隙，至少部分所述第一间隙与至少部分所述折环沿所述振膜的振动方向正对设置。2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述磁路组件还包括中心磁体和关于所述中心磁体对称设置的至少两个边磁体，所述中心磁体和所述边磁体间形成有磁间隙，所述第二华司与所述边磁体相连。3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置还包括磁轭，所述中心磁体和所述边磁体共同设于所述磁轭上，所述边磁体的至少一个侧面对应设有第一弯折部，其中，所述磁轭的一部分向上弯折形成所述第一弯折部；或，所述第二华司的一部分向下弯折形成所述第一弯折部；或，所述第一弯折部与所述磁轭或所述第二华司连接。4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述边磁体朝向所述第一华司的侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩志磊，郭翔，陈国强，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：新型
国别省市：