执行NandFlash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质技术方案

本发明专利技术涉及闪存技术领域，具体涉及执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质。该方法首先将NandFlash所支持的基本操作指令按照时序和地址要求完成配置组合；根据在操作NandFlash的过程中的执行命令类型，对完成配置组合后的基本操作指令进行组合，形成组合指令。本发明专利技术根据主控芯片在实际操作NandFlash的过程中的执行命令类型，对NandFlash的基本指令进行组合，形成复杂的组合指令和标志位，这样驱动在对主控进行初始化时，可以直接配置好这些命令组合与相应flag，当主控芯片对NandFlash进行操作时，可以直接使用命令组合，并根据不同的标志位进行不同的操作，节省命令发送的时间，提高Nand总线的利用率。用率。用率。

【技术实现步骤摘要】
执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及闪存
，尤其涉及执行Nand Flash操作指令的实现 方法、系统、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]SSD系统中主要包括主控芯片、闪存颗粒和缓存单元三大组件，其中主 控芯片承接了整个数据中转，连接闪存芯片和外部接口。闪存颗粒具有读， 写，擦除，feature设置等功能，而要进行这些功能操作，需要主控芯片对 NandFlash执行相应的操作指令和地址来实现。由于NandFlash所支持的功 能较多，例如set feature/get feature/single plane read(spread)/multiple plane read(mp read)/single plane write等，这些功能 的实现都需要不同的指令和地址来完成，并且这些指令和地址还需要符合 NandFlash的时序要求。
[0003]通常主控芯片会在芯片内部用一定大小的存储空间保存NandFlash所 支持的每个命令和该指令所需要的地址与时序信息。在需要对NandFlash 进行操作时，读取所需的指令和时序信息，然后经过组合再依次发给 NandFlash完成一次操作，在这些命令发送时不能中断，导致NandFlash IO 被占用，这样每次对Nand进行操作时，都要重复这些过程，增加时间开销， 还会降低NandFlash的总线利用率。

技术实现思路

[0004]为了解决上述现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供了一种执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质，一种适用于SSD 主控，且驱动可配置的命令实现结构。该结构使主控可以适配不同类型， 不同厂家的闪存颗粒，还可以优化主控芯片保存命令的存储结构，降低 Flash命令组合的花费时间，提高主控性能。
[0005]为实现上述目的，本专利技术实施例提供了如下的技术方案：
[0006]第一方面，在本专利技术提供的一个实施例中，提供了执行Nand Flash操 作指令的实现方法，该方法包括以下步骤：
[0007]首先将NandFlash所支持的基本操作指令按照时序和地址要求完成配 置组合；
[0008]根据在操作NandFlash的过程中的执行命令类型，对完成配置组合后 的基本操作指令进行组合，形成组合指令。
[0009]作为本专利技术的进一步方案，NandFlash获取基本操作指令的操作过程包 括以下步骤：
[0010]步骤一、NandFlash获取基本操作指令，判断NandFlash是否进入busy 状态。
[0011]步骤二、若否，则该指令操作完成。
[0012]步骤三、若是，则发送读NandFlash状态的命令，轮询Flash是否结 束busy，当busy结束时，该指令操作完成。
[0013]作为本专利技术的进一步方案，所述基本操作指令包括两种第一操作指令 和第二操
作指令，第一操作指令使得NandFlash进入busy状态；第二操作 指令使得NandFlash进入ready状。
[0014]作为本专利技术的进一步方案，所述根据在操作NandFlash的过程中的执 行命令类型，对完成配置组合后的第一种基本操作指令和第二种基本操作 指令进行组合，形成组合指令，包括每个组合指令获取标志位。
[0015]第二方面，在本专利技术提供的又一个实施例中，提供了执行Nand Flash 操作指令的实现系统，该系统包括：配置模块和组合模块；
[0016]所述配置模块，用于将NandFlash所支持的基本操作指令按照时序和 地址要求完成配置组合；
[0017]所述组合模块，用于根据在操作NandFlash的过程中的执行命令类型， 对完成配置组合后的基本操作指令进行组合，形成组合指令。
[0018]作为本专利技术的进一步方案，所述配置模块，包括指令获取单元和配置 单元。
[0019]所述指令获取单元，用于获取NandFlash所支持的基本操作指令；
[0020]所述配置单元，用于将获取的NandFlash所支持的基本操作指令按照 时序，地址要求完成配置组合。
[0021]作为本专利技术的进一步方案，该系统还包括执行模块，所述执行模块用 于监控NandFlash，判断NandFlash是否进入busy状态。
[0022]作为本专利技术的进一步方案，所述执行模块，包括监控单元和轮询单元；
[0023]监控单元，用于监控NandFlash状态，将NandFlash处于busy状态信 号发生给轮询单元；
[0024]轮询单元，用于接受监控单元传递的NandFlash处于busy状态信号， 然后轮询NandFlash是否结束busy。
[0025]第三方面，在本专利技术提供的又一个实施例中，提供了一种设备，包括 存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器加载并执行 所述计算机程序时实现执行Nand Flash操作指令的实现方法的步骤。
[0026]第四方面，在本专利技术提供的再一个实施例中，提供了一种存储介质， 存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器加载并执行时实现所述执行 Nand Flash操作指令的实现方法的步骤。
[0027]本专利技术提供的技术方案，具有如下有益效果：
[0028]本专利技术提供的执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存 储介质，根据主控芯片在实际操作NandFlash的过程中的执行命令类型， 对NandFlash的基本指令进行组合，形成复杂的组合指令和标志位，这样 驱动在对主控进行初始化时，可以直接配置好这些命令组合与相应flag， 当主控芯片对NandFlash进行操作时，可以直接使用命令组合，并根据不 同的标志位进行不同的操作，节省命令发送的时间，提高Nand总线的利用 率。
[0029]本专利技术的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的， 并不能限制本专利技术。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员 来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实 施例。
[0031]图1为本专利技术一个实施例的执行NandFlash操作指令的实现方法的流 程图。
[0032]图2为NandFlash写基本操作指令图。
[0033]图3为NandFlash的读状态操作指令图。
[0034]图4为主控根据single plane slc写操作的时序指令图。
[0035]图5为主控根据single plane tlc写操作的时序指令图。
[0036]图6为主控根据single plane 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种执行Nand Flash操作指令的实现方法，其特征在于，该方法包括：首先将NandFlash所支持的基本操作指令按照时序和地址要求完成配置组合；根据在操作NandFlash的过程中的执行命令类型，对完成配置组合后的基本操作指令进行组合，形成组合指令。2.如权利要求1所述的执行Nand Flash操作指令的实现方法，其特征在于，NandFlash获取基本操作指令的操作过程包括以下步骤：步骤一、NandFlash获取基本操作指令，判断NandFlash是否进入busy状态；步骤二、若否，则该指令操作完成；步骤三、若是，则发送读NandFlash状态的命令，轮询Flash是否结束busy，当busy结束时，该指令操作完成。3.如权利要求1所述的执行Nand Flash操作指令的实现方法，其特征在于，所述基本操作指令包括两种第一操作指令和第二操作指令，第一操作指令使得NandFlash进入busy状态；第二操作指令使得NandFlash进入ready状。4.如权利要求1所述的执行Nand Flash操作指令的实现方法，其特征在于，所述根据在操作NandFlash的过程中的执行命令类型，对完成配置组合后的第一种基本操作指令和第二种基本操作指令进行组合，形成组合指令，包括每个组合指令获取标志位。5.一种执行Nand Flash操作指令的实现系统，其特征在于，该系统包括：配置模块和组合模块；所述配置模块，用于将NandFlash所支持的基本操作指令按照时序和地址要求完成配置组合；所述组合模块，...

【专利技术属性】
技术研发人员：安阳，沈力，周永旺，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：