本实用新型专利技术提供了一种用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置,涉及晶体制备技术领域。用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置包括基板、第一支座、第二支座、导热架和导冷架;第一支座与第二支座相对间隔设置在基板上,第一支座与第二支座之间形成温控区;第一支座上设置有发热结构,发热结构的长度方向沿第一支座的长度方向设置;第二支座上设置有冷却结构,冷却结构的长度方向沿第二支座的长度方向设置;导热架和导冷架设置有多个,并分别连接在第一支座和第二支座,且导热架具有向第二支座延伸的导热部,导冷架具有向第一支座延伸的导冷部,导热架与导冷架交替设置以形成样品放置区,通过形成稳定的温度梯度实现有机单晶阵列的选区定向生长。列的选区定向生长。列的选区定向生长。
【技术实现步骤摘要】
一种用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置
[0001]本技术涉及晶体制备
,特别是涉及一种用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置。
技术介绍
[0002]对于半导体器件的工业生产应用,基于有机单晶的高集成度、高分辨率的器件阵列的制备是器件投入使用的关键问题,而在晶体制备及器件设计的科学研究中,一般都是以单一器件进行设计和模拟的,如何控制有机半导体单晶的生长位置和取向,从而实现高分辨有机半导体单晶的图案化是限制有机半导体从研究到应用的一大痛点。
[0003]目前虽然有通过形成温度梯度来控制晶体生长取向的技术手段,但现有的通过形成温度梯度来实现晶体生长的技术手段仅用于单个晶体的生长,最终在温场中形成单个较大晶体,而不能够在衬底表面实现有机单晶阵列的生长。
技术实现思路
[0004]为了解决上述问题,本技术的目的在于提供一种用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置,以解决现有技术难以实现取向一致的有机半导体单晶阵列生长的问题。
[0005]本技术的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的技术方案为:
[0006]用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置包括基板、第一支座、第二支座、导热架和导冷架;
[0007]所述第一支座与所述第二支座相对间隔设置在所述基板上,所述第一支座与所述第二支座之间形成温控区;
[0008]所述第一支座上设置有发热结构,所述发热结构的长度方向沿所述第一支座的长度方向设置;所述导热架设置有多个,多个所述导热架滑动连接在所述第一支座,且所述导热架具有向所述第二支座延伸的导热部;
[0009]所述第二支座上设置有冷却结构,所述冷却结构的长度方向沿所述第二支座的长度方向设置;所述导冷架设置有多个,多个所述导冷架滑动连接在所述第二支座,且所述导冷架具有向所述第一支座延伸的导冷部,所述导热架与所述导冷架交替设置以形成样品放置区。
[0010]进一步的,所述导热架的轮廓为“F”形,所述导热架包括一个导温杆以及设置于所述导温杆端部的两个支臂,两个所述支臂间隔布置形成卡槽,所述导热架的卡槽与所述第一支座滑动配合;
[0011]所述导冷架的结构与所述导热架的结构相同,所述导冷架的卡槽与所述第二支座滑动配合。
[0012]进一步的,所述第一支座两侧设置有滑槽,所述导热架的两个支臂分别与对应所述第一支座对应的滑槽滑动配合,所述导热架的支臂上螺纹安装有螺栓,所述螺栓用于在旋紧时固定所述导热架的支臂;
[0013]所述第二支座的两侧设置有滑槽,所述导冷架的两个支臂分别与对应所述第二支座对应的滑槽滑动配合,所述导冷架的支臂上螺纹安装有螺栓,所述螺栓用于在旋紧时固定所述导冷架的支臂。
[0014]进一步的,所述第二支座的两侧设置有凸沿,所述凸沿与所述基板螺栓连接。
[0015]进一步的,所述第一支座设置有第一腔体,所述发热结构为设置于所述第一腔体内的铁杆;
[0016]所述铁杆上套设有绝缘陶瓷管,所述绝缘陶瓷管上缠绕有铜线圈,所述铜线圈电连接有交流电源。
[0017]进一步的,所述第一支座设置有两个出线孔,两个所述出线孔均与所述第一腔体连通,所述出线孔处设置有橡胶绝缘套,所述铜线圈贯穿所述橡胶绝缘套并与所述交流电源连接。
[0018]进一步的,所述第一支座还开设有热偶孔洞,所述热偶孔洞内插装有测温热偶。
[0019]进一步的,所述第二支座设置有第二腔体,所述冷却结构为铜管道,所述铜管道贯穿所述第二腔体设置,且所述铜管道连接有水冷机。
[0020]进一步的,所述基板为氧化锆基板。
[0021]有益效果:用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置包括基板、第一支座、第二支座、导热架和导冷架,将第一支座与第二支座相对间隔设置在基板上,第一支座上设置有长度方向沿第一支座的长度方向设置的发热结构,第二支座上设置有长度方向沿第二支座的长度方向设置的冷却结构。
[0022]导热架和导冷架设置有多个,多个导热架滑动连接于第一支座,且导热架具有向第二支座延伸的导热部,多个导冷架滑动连接于第二支座,且导冷架具有向第一支座延伸的导冷部,导热架与导冷架交替设置以形成样品放置区,样品放置区中形成稳定的温度梯度,在样品放置区上放置硅片,将配置好的有机半导体分子溶液通过喷墨打印法打印到硅片表面,液滴在高温区蒸发形成晶核,晶核随着溶剂的蒸发向着低温区方向生长形成晶体,可以在任意的平整统一的表面实现有机半导体单晶阵列的选区定向生长。
[0023]且因多个导热架滑动连接于第一支座,多个导冷架滑动连接于第二支座,在使用过程中可以通过滑动导热架和导冷架来实现对导热架与导冷架的间距的控制,满足不同使用场景对导热架与导冷架的间距及温场梯度的设置需求。
附图说明
[0024]图1为本技术的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的整体结构示意图;
[0025]图2为本技术的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的第二支座的局部示意图;
[0026]图3为本技术的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的导热架的结构示意图;
[0027]图4为本技术的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的第一支座的局部爆炸图;
[0028]图5为本技术的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的第一支座的局部
示意图。
[0029]图中:1-基板、2-第一支座、3-第二支座、4-导热架、5-导冷架、6-铁杆、7-绝缘陶瓷管、8-铜线圈、9-交流电源、10-测温热偶、11-出线孔、12-橡胶绝缘套、13-铜管道、14-水冷机、15-橡胶管、16-滑槽;
[0030]a-导温杆、b-支臂。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和实施例,对本技术的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术,但不用来限制本技术的范围。
[0032]本技术的一种用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置的具体实施例,如图1至图5所示,用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置包括基板1、第一支座2、第二支座3、导热架4以及导冷架5,基板1为氧化锆承载基板,第一支座2和第二支座3相对间隔设置在基板1上,第一支座2上设置有发热结构,且发热结构的长度方向沿第一支座2的长度方向设置,第二支座3上设置有冷却结构,且冷却结构的长度方向沿第二支座3的长度方向设置。
[0033]第一支座2通过螺栓与基板1的一侧固定连接,第一支座2开设有一端开口的第一腔体,发热结构设置于第一腔体中,发热结构包括铁杆6,铁杆6为圆柱形铁块,且一端设置有侧板,侧板与第一支座2的端面尺寸相同,铁杆6上套设有绝缘陶瓷管7,铜线圈8缠绕在绝缘陶瓷管7上,铁杆6一端的侧板与第一支座2的第一腔体外口挡止配合,第一支座2的外边面开设有两个与第一腔体连通的出线孔11,出线孔11内设置有橡胶绝缘套12,铜线圈8穿过橡胶绝缘套12伸出第一支座2且通过导线与交流电源本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置,其特征在于,包括基板、第一支座、第二支座、导热架和导冷架;所述第一支座与所述第二支座相对间隔设置在所述基板上,所述第一支座与所述第二支座之间形成温控区;所述第一支座上设置有发热结构,所述发热结构的长度方向沿所述第一支座的长度方向设置;所述导热架设置有多个,多个所述导热架滑动连接在所述第一支座,且所述导热架具有向所述第二支座延伸的导热部;所述第二支座上设置有冷却结构,所述冷却结构的长度方向沿所述第二支座的长度方向设置;所述导冷架设置有多个,多个所述导冷架滑动连接在所述第二支座,且所述导冷架具有向所述第一支座延伸的导冷部,所述导热架与所述导冷架交替设置以形成样品放置区。2.根据权利要求1所述的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置,其特征在于,所述导热架的轮廓为“F”形,所述导热架包括一个导温杆以及设置于所述导温杆端部的两个支臂,两个所述支臂间隔布置形成卡槽,所述导热架的卡槽与所述第一支座滑动配合;所述导冷架的结构与所述导热架的结构相同,所述导冷架的卡槽与所述第二支座滑动配合。3.根据权利要求2所述的用于可溶性有机单晶阵列生长的温控装置,其特征在于,所述第一支座两侧设置有滑槽,所述导热架的两个支臂分别与对应所述第一支座对应的滑槽滑动配合,所述导热架的支臂上螺纹安装有螺栓,所述螺栓用于在旋紧时固定所述导热架的支臂;所...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鸿瑞,梁俊丰,汪宏,
申请(专利权)人:中山大学,
类型:新型
国别省市:
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