一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，所述同步整流电路包括交流电源输入端、全桥电路、高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件；其中，所述全桥电路采用MOS管进行整流；所述交流电源输入端分别与所述全桥电路和高边同步整流控制电路连接，所述全桥电路还分别与所述高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件连接；其有益效果是：克服整流二极管带来的发热过大的问题，进而使得需要的散热片就大大减少，在降低了成本的同时，也提升了工作时的稳定性和可靠性。时的稳定性和可靠性。时的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路


[0001]本技术涉及充电器
，具体涉及一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路。

技术介绍

[0002]目前，在一些低压大功率充电器应用中，特别是一些两轮车辅助电器充电应用中。其前级整流传统的做法是用二极管进行整流(或可控硅进行整流)，将交流电变为直流电。然而，整流二极管(或可控硅)存在的问题是效率低(及损耗大)，进而发热大，特别是一些车载应用系统，其环境温度可能在50℃
‑
75℃之间。这样的温度下，如果产品本身发热严重，那么，充电器的可控性不高。的做法是增加散热器面积或者强制风冷或者水冷，那么这样就又增加了系统成本。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的缺陷，本技术提供一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，用于减少发热和降低成本。
[0004]本技术提供了一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，所述同步整流电路包括交流电源输入端、全桥电路、高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件；其中，所述全桥电路采用MOS管进行整流；
[0005]所述交流电源输入端分别与所述全桥电路和高边同步整流控制电路连接，所述全桥电路还分别与所述高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件连接。
[0006]优选地，所述全桥电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4；
[0007]所述第一MOS管Q1和第三MOS管Q3的源极与栅极之间均分别同一高边同步整流控制电路连接，所述第一MOS管Q1的漏极和所述第三MOS管Q3的漏极分别与所述储能元件的正极连接，所述第一MOS管Q1的源极还与所述交流电源输入端中的一相和所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第三MOS管Q3的源极还与所述交流电源输入端中的另一相和所述第四MOS管Q4的漏极连接；
[0008]所述第二MOS管Q2的源极和所述第四MOS管Q4的源极均与所述储能元件的负极连接，所述第二MOS管Q2的栅极和所述第四MOS管Q4的栅极均与所述低边同步整流控制电路连接。
[0009]优选地，所述高边同步整流控制电路包括控制芯片，所述控制芯片采用的型号为UCC24612。
[0010]优选地，所述交流电源输入端和所述高边同步整流控制电路之间还设有自举供电电路，所述自举供电电路包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第三电容C3、第二电阻R2和第六电阻R6；
[0011]所述交流电源输入端中的一相与所述第一电容C1的一端连接，所述第一电容C1的
另一端分别与所述第二电阻R2的一端和第二二极管D2的阳极连接，所述第二二极管D2的阴极通过所述第六电阻R6分别与所述控制芯片的一引脚和第三电容C3的一端连接，所述第三电容C3的另一端与所述控制芯片的另一引脚连接；
[0012]所述交流电源输入端中的另一相通过所述第一二极管D1与所述第二电阻R2的另一端连接。
[0013]优选地，所述低边同步整流控制电路包括两路过零检测电路和两路驱动电路，其中一路所述过零检测电路通过其中一路驱动电路与所述第四MOS管Q4的栅极连接；
[0014]其中另一路所述过零检测电路通过另一路驱动电路与所述第二MOS管Q2的栅极连接。
[0015]优选地，所述驱动电路包括一三极管和放大器；
[0016]所述三极管的集电极通过一电阻与对应MOS管的栅极连接，所述三极管的发射极与VCC连接，所述三极管的基极与放大器的输出端连接，所述放大器的输入端连接对应的过零检测电路。
[0017]优选地，所述第二MOS管Q2的栅极与第二MOS管Q2的漏极之间还设有电阻。
[0018]本技术的有益效果为：
[0019]利用MOSFET代替整流二极管(或可控硅)做成同步整流，实现降低了损耗，从而降低了发热，克服整流二极管带来的发热过大的问题，进而使得需要的散热片就大大减少，在降低了成本的同时，也提升了工作时的稳定性和可靠性。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0021]图1为本技术实施例所提供的一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路的连接示意图；
[0022]图2A为本技术实施例所提供的一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路的一部分电路结构示意图；
[0023]图2B为本技术实施例所提供的一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路的另一部分电路结构示意图。
具体实施方式
[0024]下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0025]需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施
例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0028]还应当理解，如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0029]如图1、图2A和图2B所示，本技术实施例提供了一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，所述同步整流电路包括交流电源输入端、全桥电路、高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件；其中，所述全桥电路采用MOS管进行整流，且各MOS管的内阻选取的范围为5毫欧
‑
10毫欧；
[0030]所述交流电源输入端分别与所述全桥电路和高边同步整流控制电路连接，所述全桥电路还分别与所述高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件连接。
[0031]实施时，所述交流电源输入端采用工频变压器或发电机；在本实施例中，一相是A相，另一相是B相；储能元件即为图中的C11,通过在后端连接电容，用于平滑整流后脉动的直流，其电容越大，后端电压越平滑；
[0032]其中，所述全桥电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4；
[0033]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，其特征在于，所述同步整流电路包括交流电源输入端、全桥电路、高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件；其中，所述全桥电路采用MOS管进行整流；所述交流电源输入端分别与所述全桥电路和高边同步整流控制电路连接，所述全桥电路还分别与所述高边同步整流控制电路、低边同步整流控制电路和储能元件连接。2.根据权利要求1所述的一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，其特征在于，所述全桥电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4；所述第一MOS管Q1和第三MOS管Q3的源极与栅极之间均分别同一高边同步整流控制电路连接，所述第一MOS管Q1的漏极和所述第三MOS管Q3的漏极分别与所述储能元件的正极连接，所述第一MOS管Q1的源极还与所述交流电源输入端中的一相和所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第三MOS管Q3的源极还与所述交流电源输入端中的另一相和所述第四MOS管Q4的漏极连接；所述第二MOS管Q2的源极和所述第四MOS管Q4的源极均与所述储能元件的负极连接，所述第二MOS管Q2的栅极和所述第四MOS管Q4的栅极均与所述低边同步整流控制电路连接。3.根据权利要求2所述的一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，其特征在于，所述高边同步整流控制电路包括控制芯片，所述控制芯片采用的型号为UCC24612。4.根据权利要求3所述的一种适用于低压交流的高效全桥同步整流电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泽伟，梁荣林，周波，刘亚东，吴光辉，
申请(专利权)人：重庆美顺电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：