电路模拟方法与电路模拟系统技术方案

本发明专利技术涉及一种电路模拟方法，其包括下列操作：根据一第一网表档与一制程模型数据并行地执行多个蒙特卡罗模拟以产生一效能模拟结果，其中该第一网表档用于指示一电路系统中的一基本电路；根据该效能模拟结果选出低于一预定良率的多个元件参数；以及根据这些元件参数确认该电路系统的一预估良率是否符合该预定良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
电路模拟方法与电路模拟系统


[0001]本专利技术涉及一种电路模拟方法，特别涉及一种可预估存储器整体良率的电路模拟方法与电路模拟系统。

技术介绍

[0002]芯片的良率通常会使用数学模型或常态分布函数来进行推估。然而，随着制程发展，先进制程下的晶体管元件特性在部分条件下并不符合原有的分布方式。因此，并无法准确推得该芯片的良率。另一方面，若使用蒙特卡罗模拟来对芯片中的所有电路进行验证，可以取得较为准确的预估良率，然而，此种模拟方式相当耗时，几乎无法在有限的开发时程中实现。

技术实现思路

[0003]在本专利技术的一些实施例中，电路模拟方法包含下列操作：根据一第一网表档与一制程模型数据并行地执行多个蒙特卡罗模拟以产生一效能模拟结果，其中该第一网表档用于指示一电路系统中的一基本电路；根据该效能模拟结果选出低于一预定良率的多个元件参数；以及根据这些元件参数确认该电路系统的一预估良率是否符合该预定良率。
[0004]在本专利技术的一些实施例中，电路模拟系统包含至少一存储器电路以及至少一处理器电路。至少一存储器电路用以储存多个代码。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路模拟方法，包括：根据一第一网表(netlist)档与一制程模型数据并行地执行多个蒙特卡罗模拟以产生一效能模拟结果，其中所述第一网表档用于指示一电路系统中的一基本电路；根据所述效能模拟结果选出低于一预定良率的多个元件参数；以及根据所述多个元件参数确认所述电路系统的一预估良率是否符合所述预定良率。2.根据权利要求1所述的电路模拟方法，其特征在于，所述电路系统为一存储器，且所述基本电路为所述存储器中用于储存一个比特的一存储器单元电路。3.根据权利要求1所述的电路模拟方法，其特征在于，所述基本电路为包括六个晶体管的一存储器单元电路。4.根据权利要求1所述的电路模拟方法，其特征在于，所述效能模拟结果用于指示所述基本电路的一操作速度或一功率消耗的分布。5.根据权利要求1所述的电路模拟方法，其特征在于，所述多个元件参数包括所述基本电路中的至少一晶体管的一接面深度、一氧化层厚度、一通道长度偏移、一通道宽度偏移、一临界电压、一载流子迁移率或一漏致势垒降低(drain induce barrierlowing)值中的至少一个。6.根据权利要求1所述的电路模拟方法，其特征在于，根据所述多个元件参数确认所述电路系统的所述预估良率是否符合所述预定良率，包括：根据所述多个元件参数与一概率密度函数计算所述电路系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈英杰，余美俪，罗幼岚，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：