一种电子源发射器制造技术

本发明专利技术提供了一种电子源发射器，由单晶LaB6电子源发射体和夹持所述单晶LaB6电子源发射体的机械夹持单元组成；所述单晶LaB6电子源发射体为具有尖端的单晶体LaB6。本申请电子源发射器中单晶LaB6电子源发射体的引入，使其具有低工作电压、高电流密度发射和化学惰性的电子发射特性；同时单晶LaB6极高的抗离子轰击能力和导电能力，从根本上防止阴极被回轰正离子损坏或阴极中毒，延长了阴极使用寿命，提高了电子源发射器的稳定性。了电子源发射器的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种电子源发射器


[0001]本专利技术涉及电子源
，尤其涉及一种电子源发射器。

技术介绍

[0002]电子源被应用于诸如电子束光刻系统、电子显微镜、欧杰电子能谱仪和半导体检测系统等设备中。一维纳米管和纳米线形式的电子源是各种领域研究的重要工具，例如在X线计算机断层扫描、柔性显示器、化学传感器和电子光学中的应用。
[0003]场发射器的基本属性决定了以最低的能量扩散实现最高的亮度，即发射体材料的低功函数用于高分辨率扫描透射电子显微镜(STEM)的最佳电子源是由(310)取向的钨制成，具有4.5eV的高值。即使在超高真空(UHV)中运行，不可避免的不稳定性，包括发射电流的时间衰减(长期不稳定性)和随机电流波动(短期不稳定性)，对场发射器一般应用提出了技术挑战。结果，它迫使业界选择更稳定的肖特基电子发射器，不幸的是，这会损害电子束的亮度和相干性。钨的高值也限制了配备最先进球面像差校正器的STEM分辨率的进一步提高。
[0004]六硼化镧是一种低功函数的材料，如何将其作为电子源材料以使得到的发射具有优异性能具有重要意义。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子源发射器，由单晶LaB6电子源发射体和夹持所述单晶LaB6电子源发射体的机械夹持单元组成；所述单晶LaB6电子源发射体为具有尖端的单晶体LaB6。2.根据权利要求1所述的电子源发射器，其特征在于，所述机械夹持单元由底座、电极杆、夹持杆和加热片组成，所述电极杆贯穿所述底座，所述电极杆的一端与所述夹持杆的一端连接，所述夹持杆的另一端与所述加热片连接；所述加热片用于加热所述单晶LaB6电子源发射体，所述电极杆用于通电。3.根据权利要求2所述的电子源发射器，其特征在于，所述夹持杆的材质选自钼铼合金、金属铼或钨钽合金，所述加热片的材质选自石墨材料。4.根据权利要求1或2所述的电子源发射器，其特征在于，所述加热片的厚度为0.4～0.8mm，宽度为0.5～1.0mm，高度为0.5～1.0mm；高阻方向为厚度方向。5.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏斌，郑克亮，方琦，王积超，吴长征，谢毅，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：