阵列基板及显示面板制造技术

技术编号:35826723 阅读:16 留言:0更新日期:2022-12-03 13:54
本申请公开了一种阵列基板及显示面板,该阵列基板包括感光二极管,感光二极管包括第一栅极、感光层以及第二栅极,感光层包括第一感光部以及凸起部,凸起部设置于第一感光部远离第一栅极的一侧,第二栅极包括主体部以及侧壁部,侧壁部从主体部向感光层延伸以及与感光层分离设置,主体部和侧壁部形成朝向凸起部的凹腔,其中,至少部分凸起部位于凹腔内;本申请将将至少部分凸起部位于凹腔内,以使第二栅极将凸起部三面包围,进而增强了第二栅极通电时对感光层的电子排斥力,从而提高了第二栅极对感光二极管的控制能力,更进一步增加了感光二极管探测外界光线的灵敏度。管探测外界光线的灵敏度。管探测外界光线的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示面板的发展,屏内集成技术成为显示面板的重要发展方向之一。例如,屏内环境光技术、光学指纹技术、温度传感器等,将光、热等信号转换成能被读取的电信号,以获取对应的光信号或热信号。
[0003]在现有集成感光二极管的显示面板中,感光二极管除了接收目标光线外,还接收面内经反射或侧面入射等非目标光线,导致感光二极管探测外界光线的灵敏度较低。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种阵列基板及显示面板,以解决现有感光二极管探测外界光线的灵敏度较低的技术问题。
[0005]为解决上述方案,本申请提供的技术方案如下:
[0006]本申请提供一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的感光二极管,所述感光二极管包括:
[0007]第一栅极,设置于所述衬底基板上;
[0008]感光层,设置于所述第一栅极上,所述感光层包括第一感光部以及与所述第一感光部连接的凸起部,所述凸起部设置于所述第一感光部远离所述第一栅极的一侧;以及
[0009]第二栅极,设置于所述感光层上,所述第二栅极包括主体部以及与所述主体部连接的侧壁部,所述侧壁部从所述主体部向所述感光层延伸以及与所述感光层分离设置,所述主体部和所述侧壁部形成朝向所述凸起部的凹腔;
[0010]其中,至少部分所述凸起部位于所述凹腔内。
[0011]在本申请实施例提供的阵列基板中,所述感光层在所述第一栅极上的正投影位于所述第一栅极内,所述感光层在所述主体部上的正投影位于所述主体部内。
[0012]在本申请实施例提供的阵列基板中,所述感光二极管还包括:
[0013]第一欧姆接触层,设置于所述第一感光部上;以及
[0014]第一源漏极层,设置于所述第一欧姆接触层上;
[0015]其中,所述第一感光部包括第一子感光部以及位于所述第一子感光部两侧的第二子感光部,所述第一子感光部与所述凸起部对应且连接,所述第二子感光部与所述第一欧姆接触层连接。
[0016]在本申请实施例提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括位于所述感光二极管一侧的驱动晶体管,所述驱动晶体管包括:
[0017]有源层,设置于所述衬底基板上;
[0018]栅极绝缘层,设置于所述衬底基板上并覆盖所述有源层;
[0019]第三栅极,设置于所述有源层上,且与所述有源层对应;
[0020]第一层间绝缘层,设置于所述栅极绝缘层上并覆盖所述第三栅极;
[0021]第二层间绝缘层,设置于所述第一层间绝缘层上;
[0022]第二欧姆接触层,设置于所述第二层间绝缘层上;以及
[0023]第二源漏极层,设置于所述第二欧姆接触层上;
[0024]其中,所述第一栅极与所述第三栅极间隔设置于所述栅极绝缘层上,所述第一源漏极层与所述衬底基板的间距大于所述第二源漏极层与所述衬底基板的间距。
[0025]在本申请实施例提供的阵列基板中,所述第二层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一过孔贯穿所述第二层间绝缘层并暴露出所述第二子感光部,所述第一欧姆接触层填充所述第一过孔;
[0026]所述第二层间绝缘层还分别设置有第二过孔,所述第二过孔均贯穿所述第二层间绝缘层、所述第一层间绝缘层以及部分所述栅极绝缘层并暴露出所述有源层,所述第二欧姆接触层填充所述第二过孔。
[0027]在本申请实施例提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括设置于所述第二层间绝缘层上的平坦化层,所述平坦化层设置有第三过孔,所述侧壁部设置于所述第三过孔的侧壁上;
[0028]其中,所述主体部包括第一子主体部以及位于所述第一子主体部两端的第二子主体部,所述第一子主体部位于所述第三过孔内,且所述凸起部在所述第一子主体部上的正投影位于所述第一子主体部内;
[0029]所述第二子主体部包括设置于所述平坦化层上的平坦部以及设置于所述第三过孔的侧壁上的连接部,所述连接部的一端分别与所述第一子主体部和所述侧壁部连接,所述连接部的另一端与所述平坦部连接;
[0030]其中,所述第一子主体部与所述连接部形成一开口结构,所述开口结构的开口方向与所述凹腔的开口方向相反。
[0031]在本申请实施例提供的阵列基板中,所述驱动晶体管还包括:
[0032]公共电极层,设置于所述第二源漏极层上;以及
[0033]像素电极层,设置于所述公共电极层上,所述像素电极层与所述第二源漏极层电连接;
[0034]其中,所述公共电极层与部分所述主体部同层,且所述公共电极层与所述主体部绝缘设置。
[0035]在本申请实施例提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括设置于所述驱动晶体管中远离所述感光二极管一侧的的搭接部,所述搭接部包括:
[0036]栅极走线层,设置于所述衬底基板上,且与所述第一栅极同层且间隔设置;
[0037]源漏极走线层,设置于所述第二层间绝缘层上,且与所述第二源漏极层同层设置;
[0038]公共走线层,设置于所述源漏极走线层上,且与所述主体部同层设置;以及
[0039]搭接电极层,与所述像素电极层同层且绝缘设置;
[0040]其中,所述源漏极走线层通过所述搭接电极层与所述栅极走线层电连接,所述第二栅极通过所述公共走线层与所述源漏极走线层电连接。
[0041]在本申请实施例提供的阵列基板中,输入所述第一栅极的电压为正向电压,输入所述第二栅极的电压为负向电压。
[0042]相应地,本申请实施例又提供一种显示面板,包括如上述任一项所述的阵列基板。
[0043]有益效果:本申请公开了一种阵列基板及显示面板,所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的感光二极管,所述感光二极管包括设置于所述衬底基板上的第一栅极、设置于所述第一栅极上的感光层以及设置于所述感光层上第二栅极,所述感光层包括第一感光部以及与所述第一感光部连接的凸起部,所述凸起部设置于所述第一感光部远离所述第一栅极的一侧,所述第二栅极包括主体部以及与所述主体部连接的侧壁部,所述侧壁部从所述主体部向所述感光层延伸以及与所述感光层分离设置,所述主体部和所述侧壁部形成朝向所述凸起部的凹腔,其中,至少部分所述凸起部位于所述凹腔内;本申请中的所述感光层包括设置于所述第一感光部远离所述第一栅极的一侧的所述凸起部,且所述第二栅极包括主体部以及从所述主体部向所述感光层延伸以及与所述感光层分离设置的侧壁部,所述主体部和所述侧壁部形成朝向所述凸起部的凹腔,且将至少部分所述凸起部位于所述凹腔内,以使所述第二栅极将所述凸起部三面包围,减小了所述主体部与所述感光层在垂直于所述衬底基板方向的间距的同时,增大了所述第二栅极与所述感光层在平行于所述衬底基板方向的重叠面积,进而增强了所述第二栅极通电时对所述感光层的电子排斥力,从而提高了所述第二栅极对所述感光二极管的控制能力,进一步增加了所述感光二极管本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的感光二极管,所述感光二极管包括:第一栅极,设置于所述衬底基板上;感光层,设置于所述第一栅极上,所述感光层包括第一感光部以及与所述第一感光部连接的凸起部,所述凸起部设置于所述第一感光部远离所述第一栅极的一侧;以及第二栅极,设置于所述感光层上,所述第二栅极包括主体部以及与所述主体部连接的侧壁部,所述侧壁部从所述主体部向所述感光层延伸以及与所述感光层分离设置,所述主体部和所述侧壁部形成朝向所述凸起部的凹腔;其中,至少部分所述凸起部位于所述凹腔内。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述感光层在所述第一栅极上的正投影位于所述第一栅极内,所述感光层在所述主体部上的正投影位于所述主体部内。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述感光二极管还包括:第一欧姆接触层,设置于所述第一感光部上;以及第一源漏极层,设置于所述第一欧姆接触层上;其中,所述第一感光部包括第一子感光部以及位于所述第一子感光部两侧的第二子感光部,所述第一子感光部与所述凸起部对应且连接,所述第二子感光部与所述第一欧姆接触层连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述感光二极管一侧的驱动晶体管,所述驱动晶体管包括:有源层,设置于所述衬底基板上;栅极绝缘层,设置于所述衬底基板上并覆盖所述有源层;第三栅极,设置于所述有源层上,且与所述有源层对应;第一层间绝缘层,设置于所述栅极绝缘层上并覆盖所述第三栅极;第二层间绝缘层,设置于所述第一层间绝缘层上;第二欧姆接触层,设置于所述第二层间绝缘层上;以及第二源漏极层,设置于所述第二欧姆接触层上;其中,所述第一栅极与所述第三栅极间隔设置于所述栅极绝缘层上,所述第一源漏极层与所述衬底基板的间距大于所述第二源漏极层与所述衬底基板的间距。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一过孔贯穿所述第二层间绝缘层并暴露出所述第二子感光部,所述第一欧姆接触层填充所述第一过孔;所述第二层间绝缘层还分别...

【专利技术属性】
技术研发人员:艾飞罗成志
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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