一种低温漂系数的带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术涉及一种低温漂系数的带隙基准电压源，包括：包括带隙基准核心电路、低温补偿电路、高温补偿电路和启动电路，其特征在于，所述的带隙基准核心电路又包括I

【技术实现步骤摘要】
一种低温漂系数的带隙基准电压源


[0001]本专利技术为模拟集成电路
，具体涉及一种低温漂系数的带隙基准源。

技术介绍

[0002]带隙基准电压源能够提供与温度变化弱相关的电压，是模拟集成电路、数模混合电路的重要组成部分，带隙基准电压源直接影响着整个电路的性能，因此低温漂系数的带隙基准研究具有重要的意义。
[0003]三极管的发射结电压V
BE
与温度呈负相关，两个三极管发射结电压差ΔV
BE
与温度呈正相关，其基本原理是将负温度系数电压和正温度系数电压以适当的比例相加，得到一个零温度系数电压。通过合适的比例关系，正温度系数电压能够将V
BE
的一阶负温度系数补偿，但V
BE
不止包含一阶温度系数，还包括与工艺相关的高阶系数。因此，传统的一阶补偿得到的温度系数较大，需要采用补偿电路减小其温度系数，获得低温漂的带隙基准源。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是提供一种工作在
‑
40～125℃低温漂系数的带隙基准源，该带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温漂系数的带隙基准电压源，包括：包括带隙基准核心电路、低温补偿电路、高温补偿电路和启动电路。其特征在于，所述的带隙基准核心电路又包括I
PTAT
电流产生电路、I
CTAT
电流产生电路和带隙基准电压V
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产生电路。所述I
PTAT
电流产生电路包括：第一晶体管(Q1)，第二晶体管(Q2)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第五晶体管(M5)，第六晶体管(M6)，第一运算放大器(A1)；所述第一晶体管(Q1)与第二晶体管(Q2)为PNP型三极管；所述晶体管的基极与集电极与GND端口连接；所述第二晶体管(Q2)与第三电阻(R3)的第一端连接；所述第三电阻(R3)的第二端与第二电阻(R2)的第一端、第一运算放大器(A1)的正输入端连接；所述第二电阻(R2)的第二端与第六晶体管(M6)的漏极连接；所述第六晶体管(M6)源极与第五晶体管(M5)源极与输入端Vin连接；所述第六晶体管(M6)栅极与第五晶体管(M5)栅极、第一运算放大器(A1)输出端连接，将此连接点电压记为PTAT；所述第五晶体管(M5)的漏极与第一电阻(R1)的第二端连接；所述第一电阻(R1)的第一端与第一晶体管(Q1)的发射极、运算放大器(A1)的负输入端连接；所述I
CTAT
电流产生电路包括：第一晶体管(Q1)，第二运算放大器(A2)，第四电阻(R4),第四晶体管(M4)；所述第二运算放大器(A2)的负输入端与第一电阻(R1)的第一端、第一晶体管(Q1)的发射极连接；所述第二运算放大器(A2)的正输入端与第四电阻(R4)第二端、第四晶体管(M4)的漏极连接；所述第二运算放大器(A2)的输出端与第四晶体管(M4)的栅极连接，将此连接点电压记为CTAT；所述第四电阻(R4)第一端与GND连接；第四晶体管(M4)的源极输入端Vin连接；所述带隙基准电压V
BG_ref
产生电路包括：第七晶体管(M7)、第八晶体管(M8)、第五电阻(R
OUT1
)、第六电阻(R
OUT2
)；所述第七晶体管(M7)的栅极与PTAT连接，源极与输入端Vin连接；所述第八晶体管(M8)的栅极与CTAT连接，源极与输入端Vin连接；所述第七晶体管(M7)漏极与第八晶体管(M8)漏极、第六电阻(R
OUT2
)第二端连接，将此连接点电压记为V
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；所述第六电阻(R
OUT2
)第一端与第五电阻(R
OUT1
)第二端连接，将此连接点电压记为V 补偿
；所述第五电阻(R
OUT1
)第一端与GND端口连接；所述低温补偿电路连接至基准电压产生电路，用以实现在低温区的温度补偿，包括：第九晶体管(M9)、第十晶体管(M10)、第十一晶体管(M11)、第十二晶体管(M12)、第十三晶体管(M13)、第十四晶体管(M14)、第十五晶体管(M15)、第十六晶体管(M16)、第十七晶体管(M17)、第十八晶体管(M18)、第十九晶体管(M19)和第二十晶体管(M20)；所述第九晶体管(M9)漏极与V
补偿
连接，栅极与第十晶体管(M10)的栅极连接，源极与GND端连接；所述第十晶体管(M10)漏极与栅极、第十二晶体管(M12)漏极连接，源极与GND端连接；所述第十一晶体管(M11)源极与输入端Vin连接，栅极与第十三晶体管(M13)栅极连接，漏极与第十二晶体管(M12)源极连接；所述第十二晶体管(M12)漏极与栅极、第十四晶体管(M14)栅极连接，源极与第十一晶体管(M11)漏极连接；所述第十三晶体管(M13)源极与输入端Vin连接，栅极与漏极、第十一晶体管(M11)栅极连接；所述第十四晶体管(M14)源极与第十三晶体管(M13)漏极连接，栅极与第十二晶体管(M12)栅极连接，漏极与第十五晶体管(M15)漏极、...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁煜，杨雪，张为，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：