【技术实现步骤摘要】
一种炉底盘自动锁紧结构
[0001]本技术属于炉盘锁紧
,具体涉及一种炉底盘自动锁紧结构。
技术介绍
[0002]碳化硅单晶材料因其自身宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点,其制成的半导体器件能够满足当今对高功率和强辐射器件的需求,是制备高温、高频、高功率和抗辐射器件的理想衬底材料,并在混合动力汽车、高压输电、LED照明和航天航空等领域崭露头角。
[0003]现阶段生长碳化硅晶体一般使用PVT(物理气相传输)法,将原料与籽晶放入石墨坩埚炉内,炉室通过炉底盘进行真空密封,现有的炉底盘是工人通过螺栓将炉底盘与炉室进行锁紧密封连接,其人工劳动强度大,且人工操作,稳定性差。
技术实现思路
[0004]为解决现有技术的缺陷和不足问题,本技术的目的在于提供一种结构简单、设计合理、使用方便的炉底盘自动锁紧结构,它通过锁紧环上的L型楔形块二推动楔形块一向上移动,使炉底盘压紧炉室组件上的O型圈,实现炉底盘与炉室组件的自动密封锁紧。
[0005]为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:它包括炉室组件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种炉底盘自动锁紧结构,其特征在于:它包含炉室组件(1)、炉底盘(2)、锁紧环(3)和气缸(4);所述炉室组件(1)的底部设置有炉底盘(2),且炉室组件(1)的底板和炉底盘(2)被锁紧环(3)包裹卡接在其的内腔,所述气缸(4)的底座固定安装在外侧支架上,气缸(4)的输出端与锁紧环(3)进行连接。2.根据权利要求1所述的一种炉底盘自动锁紧结构,其特征在于:所述锁紧环(3)的上下两侧等均设置有数块弧型凸块(31),相邻两块弧型凸块(31)之间的间隙为安装槽(33),下端的弧型凸块(31)上固定设置有L型楔形块二(32),所述L型楔形块二(32)的顶面为斜面,上端的弧型凸块(31)上固定设置有腰型槽(34),所述锁紧环(3)的外侧固定设置有连接耳(35)。3.根据权利要求1所述的一种炉底盘...
【专利技术属性】
技术研发人员:严翔,李扬,叶峰,张瑶勇,
申请(专利权)人:连城凯克斯科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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