OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法技术

OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法，属于OLED显示器残影评测技术领域，具体为一种OLED显示器在实际应用环境下的残影时间评测方法。本发明专利技术的方法首先基于黑白棋盘格显示下的残影出现时间，结合OLED显示器实际使用模式和外界温度进行实际应用环境下的器件残影时间的推算。本发明专利技术的方法解决了现有的OLED显示器残影出现时间的评估方法中存在的脱离实际应用环境的问题，考虑实际应用环境的影响提出了一套科学合理的残影出现时间的评估方法。估方法。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法


[0001]本专利技术属于OLED显示器性能评测
，具体为一种OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法。

技术介绍

[0002]OLED，即有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode)是近年来发展较快的一种新兴显示技术，是通过有机材料自发光来实现显示，该显示技术具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、节省电能、工艺简单等一系列特点，被业界公认是继LCD之后的第三代显示技术，目前已越来越多地应用在手机、数码相机等便携产品中。
[0003]OLED显示器由于自发光的特性，在OLED屏幕长时间显示静态画面和高亮度画面后，有机材料会因为持续发光而加快老化速度，在显示屏幕上留下显示画面的残影，从而影响OLED 显示器的使用，而从显示器开始使用到出现残影影像的时间就定义为残影时间。
[0004]依照王俊生等人论文公开的残影时间常规评测方法，起始时间点为T1，OLED显示器开始并持续播放差异色块图像；每隔一段时间间隔t时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法，其特征在于：用全屏黑白棋盘格显示的方式，黑白棋盘格显示的方式构建了差异化图像亮度差异的极值条件，通过全屏黑白画面显示来确认黑白棋盘格条件下的残影出现时间，结合OLED显示器实际使用模式以及使用环境温度进行实际应用环境下的残影时间的推算，具体为：RI
act
＝RI
model
×
f
temp
＝f
model
×
RI
pattern
×
f
temp
＝f
diff
×
f
work
×
RI
pattern
×
f
temp
＝[1/(L
diff
/L
pattern
)
1.7
]
×
f
work
×
RI
pattern
×
f
temp
；其中，RI
act
为实际应用环境下的残影时间；RI
model
为实际使用模式下的残影时间；f
temp
为使用环境温度系数，数值范围为0～1；f
model
为使用模式系数；RI
pattern
为实际使用亮度下的黑白棋盘格的残影时间；f
diff
为显示画面亮度差异因子；f
work
为显示器连续工作因子；L
diff
为实际使用显示画面下最亮区域亮度与最暗区域亮度的比值；L
pattern
为实际使用亮度下的黑白棋盘格的白画面区域与黑画面区域的亮度比。2.如权利要求1所述的OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法，其特征在于外界温度与环境温度系数f
temp
关联赋值见下表：外界温度f
temp
‑
45～
‑
30℃1/3
‑
29～
‑
15℃1/2
‑
14～0℃2/30
‑
14℃2/315
‑
29℃130
‑
45℃1/545
‑
60℃1/103.如权利要求1所述的OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法，其特征在于f
work
关联赋值见下表：条件f
work
显示器连续工作时间小于RI
pattern
时间的一半1.2显示器连续工作时间大于等于RI
pattern
时间一半且不超过RI
pattern
时间1.05显示器连续工作时间等于RI
pattern
时间1显示器连续工作时间大于RI
pattern
时间且不超过RI
pattern
时间的两倍0.6显示器连续工作时间大于RI
pattern
时间的两倍0.34.如权利要求1所述的OLED显示器实际应用环境下的残影时间评测方法，其特征在于当OLED显示器存在多种环境温度下使用的情况，具体计算公式如下：RI
act
＝[1/(L
diff
/L
pattern
)
1.7
]
×
f
work
×
RI
pattern
×
f
temp
＝[1/(L
diff
/L
pattern
)
1.7
]
×
f
work
×
RI
pattern
×
f

【专利技术属性】
技术研发人员：段瑜，杨启鸣，芶国汝，钱福丽，王永宏，毛智民，秦国辉，王体炉，
申请(专利权)人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：