一种全无机锡基钙钛矿B-γCsSnI3单晶的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种全无机锡基钙钛矿B

【技术实现步骤摘要】
一种全无机锡基钙钛矿B
‑
γ
CsSnI3单晶的制备方法


[0001]本专利技术属于钙钛矿晶体
，更具体地，涉及一种全无机锡基钙钛矿B
‑
γCsSnI3单晶的制备方法。

技术介绍

[0002]环境友好的锡基钙钛矿是钙钛矿材料中的重要一员，其黑色相B
‑
γCsSnI3属于正交晶系，Pnma空间群，其晶胞参数为交晶系，Pnma空间群，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90
°
，黑色相B
‑
γCsSnI3具有高光吸收系数、低激子结合能、高载流子迁移率和高热稳定性的优异光电性能，在太阳能电池、红外发光二极管和钙钛矿晶体管(TFT)，红外探测器和近红外激光器光电领域具备极大应用潜力。然而，CsSnI3是依赖于温度的相变材料，具备四种晶型，分别为黑色立方钙钛矿相(B
‑
α)、黑色四方相(B
‑
β)、黄色一维双链结构(Y)和黑色三维正交钙钛矿结构(B
‑
γ)，其不同相态之间可发生相互转换，尤其是B
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全无机锡基钙钛矿B
‑
γCsSnI3单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在无水无氧氛围中，将CsI和SnI2充分溶解于有机溶剂中，形成钙钛矿前驱体溶液；将所述钙钛矿前驱体溶液倒入留有挥发孔的第一容器中；在惰性气体氛围中，将温度逐渐升高至预设温度后保持恒温，期间通过挥发孔控制溶剂的挥发，得到B
‑
γCsSnI3单晶，其中，预设温度大于等于100℃。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括二甲基亚砜、N，N
‑
二甲基甲酰胺、γ
‑
丁内酯、N
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮中的任一种或多种的混合液。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，CsI和SnI2的摩尔比范围为1：(0.2～5)。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，CsI和SnI2的摩尔比为1：1。5.如权利要求1所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鸣魁，顾安杰，孙强，张治国，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：