阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，衬底、设置于衬底一侧的晶体管；设置于晶体管背离衬底一侧的第一绝缘层和第二绝缘层，沿阵列基板的厚度方向，第一绝缘层位于第二绝缘层和衬底之间；第一开孔，沿阵列基板的厚度方向，第一开孔贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，且暴露晶体管的漏极；辅助垫层，位于第一绝缘层和第二绝缘层之间，辅助垫层环绕第一开孔设置，且第一开孔暴露辅助垫层的侧壁；第一电极，位于第二绝缘层背离衬底的一侧，且第一电极的至少部分位于第一开孔中、与辅助垫层的侧壁接触并且与晶体管的漏极电连接。如此有利于降低在形成第一开孔的过程中第一绝缘层发生侧刻的风险，改善暗点不良现象。不良现象。不良现象。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

技术介绍

[0002]从CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)时代到液晶显示(LCD，Liquid Crystal Display)时代，再到现在到来的OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)时代和发光二极管显示时代，显示行业经历了几十年的发展变得日新月异。显示产业已经与我们的生活息息相关，从传统的手机、平板、电视和PC，再到现在的智能穿戴设备、VR、车载显示等电子设备都离不开显示技术。
[0003]阵列基板是显示面板的重要组成部分，阵列基板上包括多个晶体管，在阵列基板的制作工艺中，在完成晶体管的制作后，会在晶体管一侧沉积绝缘层，利用刻蚀的方式在绝缘层上形成过孔，再在绝缘层上形成电极层，使得电极层与晶体管电连接。但是，传统阵列基板的制作工艺中，在绝缘层上形成过孔的过程中，难免会在过孔内发生侧刻的现象，造成电极层与晶体管之间接触不良，导致产品显示异常例如出现暗点不良的现象，降低了产品良率。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，旨在降低在形成第一开孔的过程中第一绝缘层发生侧刻的风险，改善暗点不良现象，提升产品良率。
[0005]第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：
[0006]衬底、设置于衬底一侧的晶体管；
[0007]设置于所述晶体管背离所述衬底一侧的第一绝缘层和第二绝缘层，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层和所述衬底之间；
[0008]第一开孔，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一开孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，且暴露所述晶体管的漏极；
[0009]辅助垫层，位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述辅助垫层环绕所述第一开孔设置，且所述第一开孔暴露所述辅助垫层的侧壁；
[0010]第一电极，位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧，且所述第一电极的至少部分位于所述第一开孔中、与所述辅助垫层的侧壁接触并且与所述晶体管的漏极电连接。
[0011]第二方面，本专利技术提供一种阵列基板的制作方法，包括：
[0012]提供一衬底，并在所述衬底上制作晶体管层，所述晶体管层包括多个晶体管；
[0013]在所述晶体管层背离所述衬底的一侧制作第一绝缘层；
[0014]在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧制作辅助层，沿所述阵列基板的厚度方向，所述辅助层与所述晶体管的漏极交叠；
[0015]在辅助层背离所述第一绝缘层的一侧制作第二绝缘层；
[0016]通过一道刻蚀工艺对所述第一绝缘层、所述辅助层和所述第二绝缘层进行刻蚀，形成第一开孔和辅助垫层，其中，所述辅助垫层环绕所述第一开孔，且所述第一开孔暴露所述晶体管的漏极以及所述辅助垫层的侧壁；
[0017]在所述的第二绝缘层背离所述衬底的一侧制作第一电极，使所述第一电极的至少部分位于所述第一开孔中、与所述辅助垫层的侧壁接触并且与所述晶体管的漏极电连接。
[0018]第三方面，本专利技术还提供一种显示装置，包括本专利技术第一方面所提供的阵列基板。
[0019]与现有技术相比，本专利技术提供的阵列基板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：
[0020]本专利技术所提供的阵列基板和显示装置中，在阵列基板的晶体管背离衬底的一侧设置有第一绝缘层和第二绝缘层以及贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第一开孔，第一电极中的至少部分位于第一开孔中，与晶体管的漏极形成电连接。特别是，本专利技术在第一绝缘层和第二绝缘层之间引入了辅助垫层，辅助垫层环绕第一开孔设置，且第一开孔暴露辅助垫层的侧壁，如此，在通过刻蚀的方法形成第一开孔时，由于辅助垫层的阻挡作用，能够在很大程度上避免第一开孔在第一绝缘层和第二绝缘层的交界处形成侧刻的现象，故有利于避免或减小由于侧刻而导致的第一电极与晶体管的连接不可靠的现象，因此有利于提升第一电极与晶体管的连接可靠性，避免或减小暗点不良现象的发生，故有利于提升产品的显示可靠性以及生产良率。
[0021]本专利技术实施例所提供的阵列基板的制作方法中，在在第一绝缘层和第二绝缘层之间引入了辅助层，通过一道刻蚀工艺对第一绝缘层、辅助层和第二绝缘层进行刻蚀形成第一开孔，刻蚀后的辅助层形成环绕的一开孔的辅助垫层，辅助层的引入有效减小或者避免了第一开孔在第一绝缘层和第二绝缘层的交界处形成侧刻的现象，故有利于避免或减小由于侧刻而导致的第一电极与晶体管的连接不可靠的现象。通过一道刻蚀工艺形成第一开孔的方式，既有利于避免暗点不良现象的发生，又有利于简化生产工艺，提高生产效率。
[0022]当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
[0023]通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0024]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。
[0025]图1所示为相关技术中阵列基板的一种膜层示意图；
[0026]图2所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板的俯视图；
[0027]图3所示为图2中阵列基板的一种膜层示意图；
[0028]图4所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板中辅助垫层、第一电极以及第一开孔的一种俯视图；
[0029]图5所示为图2中阵列基板的另一种膜层示意图；
[0030]图6所示为图2中阵列基板的另一种膜层示意图；
[0031]图7所示为图2中阵列基板的另一种膜层示意图；
[0032]图8所示为图2中阵列基板的另一种膜层示意图；
[0033]图9所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板的一种制作流程图；
[0034]图10所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板制作过程中所形成的中间产品的一种结构示意图；
[0035]图11所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板制作过程中所形成的中间产品的另一种结构示意图；
[0036]图12所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板制作过程中所形成的中间产品的另一种结构示意图；
[0037]图13所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板制作过程中所形成的中间产品的另一种结构示意图；
[0038]图14所示为本专利技术实施例所提供的阵列基板制作过程中所形成的中间产品的另一种结构示意图；
[0039]图15所示为本专利技术实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
[0040]现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。
[0041]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、设置于衬底一侧的晶体管；设置于所述晶体管背离所述衬底一侧的第一绝缘层和第二绝缘层，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层和所述衬底之间；第一开孔，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一开孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，且暴露所述晶体管的漏极；辅助垫层，位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，所述辅助垫层环绕所述第一开孔设置，且所述第一开孔暴露所述辅助垫层的侧壁；第一电极，位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧，且所述第一电极的至少部分位于所述第一开孔中、与所述辅助垫层的侧壁接触并且与所述晶体管的漏极电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助垫层为导电材料层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第一绝缘层与第二绝缘层之间的第二电极，所述第二电极与所述辅助垫层绝缘，且沿所述阵列基板的厚度方向，所述辅助垫层与所述第二电极的厚度相同。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助垫层与所述第二电极采用同一掩膜版在同一制作工序中制作。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在，所述第一开孔暴露所述辅助垫层背离所述衬底一侧的至少部分表面，所述第一电极还与所述辅助垫层背离所述衬底一侧的至少部分表面接触。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助垫层背离所述衬底一侧的至少部分表面由所述第二绝缘层覆盖。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述晶体管与所述第一绝缘层之间的平坦层，所述平坦层包括暴露所述晶体管的漏极的第二开孔，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一开孔和所述的第二开孔交叠。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：念炜榕，甘伟雄，胡为冬，王贤强，颜文晶，廖中亮，陈杰坤，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：