高频模块以及通信装置制造方法及图纸

技术编号:35774026 阅读:19 留言:0更新日期:2022-12-01 14:17
本发明专利技术使散热性提高。高频模块(100)具备安装基板(9)、第1电子部件(1)及第2电子部件(2)、树脂层(5)和屏蔽层(6)。树脂层(5)覆盖第1电子部件(1)的外周面(13)及第2电子部件2的外周面(23)。第1电子部件(1)包含:第1基板(10),具有相互对置的第1主面(11)及第2主面(12);和第1电路部(14),形成在第1基板(10)的第1主面(11)侧。第2电子部件(2)包含:第2基板(20),具有相互对置的第1主面(21)及第2主面(22);和第2电路部(24),形成在第2基板(20)的第1主面(21)侧。第1基板(10)的材料和第2基板(20)的材料相同。屏蔽层(6)与第1基板(10)的第2主面(12)及第2基板(20)的第2主面(22)相接。(12)及第2基板(20)的第2主面(22)相接。(12)及第2基板(20)的第2主面(22)相接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频模块以及通信装置


[0001]本专利技术总体上涉及高频模块以及通信装置,更详细地,涉及具备安装基板的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1公开了如下的高频模块,即,具备:安装基板,具有相互对置的第1主面以及第2主面;发送功率放大器,安装在安装基板的第1主面;发送滤波器以及接收滤波器,安装在安装基板的第1主面;树脂构件(树脂层),覆盖发送功率放大器、发送滤波器以及接收滤波器;以及屏蔽电极层(屏蔽层)。
[0003]在专利文献1公开的高频模块中,屏蔽电极层形成为覆盖树脂构件的顶面以及侧面。
[0004]此外,在专利文献1公开了具备高频模块的通信装置。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:国际公开第2019/181590号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]在高频模块中,有时为了抑制电子部件的温度上升而要求提高散热性。
[0010]本专利技术的目的在于,提供一种能够谋求散热性的提高的高频模块以及通信装置。
[0011]用于解决问题的技术方案
[0012]本专利技术的一个方式涉及的高频模块具备安装基板、第1电子部件以及第2电子部件、树脂层、以及屏蔽层。所述安装基板具有相互对置的第1主面以及第2主面。所述第1电子部件以及所述第2电子部件配置在所述安装基板的所述第1主面。所述树脂层配置在所述安装基板的所述第1主面,覆盖所述第1电子部件的外周面以及所述第2电子部件的外周面。所述屏蔽层覆盖所述树脂层和所述第1电子部件以及所述第2电子部件。所述第1电子部件包含:第1基板,具有相互对置的第1主面以及第2主面;以及第1电路部,形成在所述第1基板的所述第1主面侧。所述第2电子部件包含:第2基板,具有相互对置的第1主面以及第2主面;以及第2电路部,形成在所述第2基板的所述第1主面侧。所述第1基板的材料和所述第2基板的材料相同。所述屏蔽层与所述第1基板的所述第2主面以及所述第2基板的所述第2主面相接。
[0013]本专利技术的一个方式涉及的通信装置具备上述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接,对高频信号进行信号处理。
[0014]专利技术效果
[0015]本专利技术的上述方式涉及的高频模块以及通信装置能够谋求散热性的提高。
附图说明
[0016]图1是实施方式1涉及的高频模块的剖视图。
[0017]图2是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0018]图3是同上的高频模块的俯视图。
[0019]图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路结构图。
[0020]图5是将实施方式1的变形例1涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0021]图6是将实施方式1的变形例2涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0022]图7是将实施方式1的变形例3涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0023]图8是将实施方式1的变形例4涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0024]图9是实施方式2涉及的高频模块的剖视图。
[0025]图10是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0026]图11是将实施方式2的变形例涉及的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0027]图12是实施方式3涉及的高频模块的剖视图。
[0028]图13是实施方式4涉及的高频模块的剖视图。
[0029]图14是实施方式5涉及的高频模块的剖视图。
[0030]图15是实施方式6涉及的高频模块的剖视图。
[0031]图16是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0032]图17是实施方式6的变形例1涉及的高频模块的剖视图。
[0033]图18是将同上的高频模块的一部分放大了的剖视图。
[0034]图19是将实施方式6的变形例2涉及的高频模块放大了一部分的剖视图。
具体实施方式
[0035]在以下的实施方式等中参照的图1~图3、图5~图19均为示意性的图,图中的各构成要素的大小、厚度各自之比未必一定反映了实际的尺寸比。
[0036](实施方式1)
[0037]例如,如图1~3所示,实施方式1涉及的高频模块100具备安装基板9、第1电子部件1以及第2电子部件2、树脂层5、以及屏蔽层6。安装基板9具有相互对置的第1主面91以及第2主面92。第1电子部件1以及第2电子部件2配置在安装基板9的第1主面91。树脂层5配置在安装基板9的第1主面91,覆盖第1电子部件1的外周面13(参照图2)以及第2电子部件2的外周面23(参照图2)。屏蔽层6覆盖树脂层5和第1电子部件1以及第2电子部件2。第1电子部件1包含:第1基板10,具有相互对置的第1主面11以及第2主面12;以及第1电路部14,形成在第1基板10的第1主面11侧。第2电子部件2包含:第2基板20,具有相互对置的第1主面21以及第2主面22;以及第2电路部24,形成在第2基板20的第1主面21侧。第1基板10的材料和第2基板20的材料相同。屏蔽层6与第1基板10的第2主面12以及第2基板20的第2主面22相接。实施方式1涉及的高频模块100能够谋求散热性的提高。
[0038]以下,参照图4对实施方式1涉及的高频模块100以及通信装置300进行更详细的说明。
[0039](1)高频模块以及通信装置
[0040](1.1)高频模块以及通信装置的电路结构
[0041]高频模块100例如用于通信装置300。通信装置300例如为便携式电话(例如,智能电话),但是并不限于此,例如,也可以是可穿戴终端(例如,智能手表)等。高频模块100例如是能够应对4G(第4世代移动通信)标准、5G(第5世代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP(Third Generation Partnership Project,第三代合作伙伴计划)LTE(Long Term Evolution,长期演进)标准。5G标准例如是5GNR(New Radio,新空口)。高频模块100例如是能够应对载波聚合以及双连接的模块。
[0042]高频模块100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大并输出到天线310。此外,高频模块100构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大并输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块100的构成要素,而是具备高频模块100的通信装置300的构成要素。高频模块100例如通过通信装置300具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频模块100和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装了高频模块100的电路基板。电路基板例如为印刷布线板。电路基板具有被提供接地电位的接地电极。
[0043]信号处理电路301例如包含RF信号处理电路3本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频模块,具备:安装基板,具有相互对置的第1主面以及第2主面;第1电子部件以及第2电子部件,配置在所述安装基板的所述第1主面;树脂层,配置在所述安装基板的所述第1主面,覆盖所述第1电子部件的外周面以及所述第2电子部件的外周面;以及屏蔽层,覆盖所述树脂层和所述第1电子部件以及所述第2电子部件,所述第1电子部件包含:第1基板,具有相互对置的第1主面以及第2主面;第1电路部,形成在所述第1基板的所述第1主面侧,所述第2电子部件包含:第2基板,具有相互对置的第1主面以及第2主面;以及第2电路部,形成在所述第2基板的所述第1主面侧,所述第1基板的材料和所述第2基板的材料相同,所述屏蔽层与所述第1基板的所述第2主面以及所述第2基板的所述第2主面相接。2.根据权利要求1所述的高频模块,其中,所述第1电子部件以及所述第2电子部件各自为弹性波滤波器,所述第1基板以及所述第2基板各自为铌酸锂基板或钽酸锂基板。3.根据权利要求1所述的高频模块,其中,所述第1电子部件以及所述第2电子部件各自为弹性波滤波器,所述第1基板以及所述第2基板各自为硅基板。4.根据权利要求1所述的高频模块,其中,所述第1电子部件以及所述第2电子部件各自为裸芯片的弹性波滤波器。5.根据权利要求2~4中的任一项所述的高频模块,其中,构成所述第1电子部件的所述弹性波滤波器是构成双工器的发送滤波器,构成所述第2电子部件的所述弹性波滤波器是构成所述双工器的接收滤波器。6.根据权利要求1所述的高频模块,其中,所述第1基板以及所述第2基板各自为硅基板。7.根据权利要求6所述的高频模块,其中,所述第1电子部件为弹性波滤波器,所述第2电子部件为IC芯片。8.根据权利要求7所述的高频模块,其中,所述IC芯片包含功率放大器。9.根据权利要求7所述的高频模块,其中,所述IC芯片是控制功率放大器的控制器。10.根据权利要求7所述的高频模块,其中,所述IC芯片包含...

【专利技术属性】
技术研发人员:中川大上岛孝纪竹松佑二松本直也冈部凉平北岛宏通
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

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