【技术实现步骤摘要】
制造印刷电路板的方法
[0001]本申请要求于2021年5月26日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0067681号韩国专利申请和于2021年10月1日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0131108号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
[0002]本公开涉及一种制造印刷电路板的方法。
技术介绍
[0003]信息技术(IT)领域中的电子装置(包括移动电话)已变得更轻、更薄、更短且更小,同时在性能上更先进。为了满足这样的技术需求,其上安装有诸如集成电路(IC)的电子组件的印刷电路板也需要更轻、更薄、更短且更小,并且形成在印刷电路板中的导体图案也需要高度密集。
[0004]为了使印刷电路板更轻、更薄、更短且更小并且使形成在印刷电路板中的导体图案高度密集,可考虑:相对于印刷电路板的任意一个导体图案层,减小每个导体图案的线宽和相邻的导体图案之间的间隔,并改善每个导体图案的纵横比(aspect ratio,A/R)。
[0005]另外,用于使导体图案层图案化的曝光设备的价格基于其性能(诸如分辨率)而呈指数地增加,分辨率是确定导体图案层的每个导体图案的线宽和相邻的导体图案之间的间隔的主要因素。当使用高性能曝光设备时,印刷电路板的制造成本增加。
技术实现思路
[0006]本公开的一方面可提供一种用于在使用常规曝光设备时在窄的空间中形成具有相对高的纵 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造印刷电路板的方法,所述方法包括:形成抗蚀剂层;曝光所述抗蚀剂层的彼此间隔开的第一区域;在曝光所述第一区域之后,曝光所述抗蚀剂层的第二区域,所述第二区域是所述第一区域之间的空间;通过使所述抗蚀剂层显影,在所述第一区域和所述第二区域中形成彼此间隔开的第一开口和第二开口;以及通过用导体填充所述第一开口和所述第二开口来形成多个导体图案。2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述抗蚀剂层的所述第二区域曝光时,所述第一区域被包括在彼此间隔开的所述第二区域之间的非曝光区域中。3.根据权利要求2所述的方法,所述方法还包括在形成所述抗蚀剂层之前形成种子层,其中,形成所述多个导体图案包括:通过电镀在通过所述第一开口和所述第二开口暴露的所述种子层上形成镀层;去除所述抗蚀剂层;以及去除所述种子层的未形成所述镀层的区域。4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第一开口包括彼此相邻且间隔开的第1
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1开口和第1
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2开口,所述第二开口包括彼此相邻且间隔开的第2
‑
1开口和第2
‑
2开口,并且所述第2
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1开口位于所述第1
‑
1开口和所述第1
‑
2开口之间,其中,所述多个导体图案包括形成在所述第1
‑
1开口中的第1
‑
1导体图案、形成在所述第1
‑
2开口中的第1
‑
2导体图案、形成在所述第2
‑
1开口中的第2
‑
1导体图案和形成在所述第2
‑
2开口中的第2
‑
2导体图案。5.根据权利要求4所述的方法,其中,在沿所述多个导体图案的厚度方向上截取的所述多个导体图案的截面中,S1、S2、S3中的每个大于等于0.5μm且小于等于5μm,其中,S1是所述第1
‑
1导体图案和所述第2
‑
1导体图案之间的平均间隔,S2是所述第2
‑
1导体图案和所述第1
‑
2导体图案之间的平均间隔,S3是所述第1
‑
2导体图案和所述第2
‑
2导体图案之间的平均间隔。6.根据权利要求5所述的方法,其中,S1和S3满足0.9<S1/S3<1.1。7.根据权利要求6所述的方法,其中,通过将S1与S2之间的差的绝对值除以S1获得的值大于0.1。8.根据权利要求4所述的方法,其中,在沿所述多个导体图案的厚度方向上截取的所述多个导体图案的截面中,W
P1
‑1、W
P1
‑2、W
P2
‑1和W
P2
‑2中的每个大于等于0.5μm且小于等于5μm,其中,W
P1
‑1是所述第1
‑
1导体图案的平均线宽,W
P2
‑1是所述第2
‑
1导体图案的平均线宽,W
P1
‑2是所述第1
‑
2导体图案的平均线宽,并且W
P2
‑2是所述第2
‑
2导体图案的平均线宽。9.根据权利要求8所述的方法,其中W
P1
‑1和W
P1
‑2满足0.9<W
P1
‑1/W
P1
‑2<1.1。10.根据权利要求9所述的方法,其中,通过将W
P1
‑1与W
P2
‑1之间的差的绝对值除以W
P1
‑1获得的值大于0.1。11.根据权利要求4所述的方法,其中,在沿所述多个导体图案的厚度方向上截取的所述多个导体图案的截面中,H
P1
‑1和H
P1
‑2满足0.9<H
P1
‑1/H
P1
‑2<1.1,
其中,H
P1
‑1是所述第1
‑
1导体图案的平均高度,H
P2
‑1是所述第2
‑
1导体图案的平均高度,并且H
P1
‑2是所述第1
‑
2导体图案的平均高度。12.根据权利要求11所述的方法,其中,通过将H
P1
‑1与H
P2
‑1之间的差的绝对值除以H
P1
‑1获得的值大于0.1。13.根据权利要求3所述的方法,其中,通过电镀在通过所述第一开口和所述第二开口暴露的所述种子层上形成所述镀层包括:执行过电镀,使得所述镀层的高度超过所述抗蚀剂层的厚度;以及抛光所述镀层的超过所述抗蚀剂层的厚度的过镀覆区域。14.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴赞珍,朴锺殷,梁玄锡,赵尚益,冈田浩树,赵英旭,全美贞,郑寅宰,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,
类型:发明
国别省市:
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