【技术实现步骤摘要】
硅片处理系统及太阳能电池制造系统
[0001]本技术涉及光伏
，特别涉及硅片处理系统及太阳能电池制造系统。
技术介绍
[0002]硅片的刻蚀是太阳能电池制造的必要工序，其目的是为了去除硅片表面的磷硅玻璃等，防止太阳能电池的电流和功率发生衰减，增大电池的并联电阻，对硅片的背面进行一定程度的抛光，提高电池的转换效率。在现有的PERC设备中，会设置多个刻蚀槽，在沿硅片的移动方向上，多个刻蚀槽内的药液浓度递减，以减少药液的使用，降低刻蚀成本。
[0003]然而，现有的设置方案中，硅片在刻蚀槽内循环时，刻蚀槽中因反应产生较多气泡，气泡脱离不及时导致刻蚀面不均匀，气泡引起药液波动，会导致过度刻蚀，导致硅片刻蚀效果差，硅片背面不均匀，导致太阳能电池的性能低。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种硅片处理系统及太阳能电池制造系统，提高硅片的刻蚀效果，使得刻蚀面更均匀，提高太阳能电池的性能。
[0005]为解决上述技术问题，本技术的第一方面提供了一种硅片处理系统，包括：
[0006]包括...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片处理系统，其特征在于，包括沿硅片传送方向依次设置的水膜槽、多个独立的刻蚀槽，多个所述刻蚀槽的长度沿所述硅片的移动方向呈周期性变化；所述水膜槽用于在硅片上表面形成水膜；任意两相邻的所述刻蚀槽之间连接有水洗槽，每个所述刻蚀槽在所述硅片传送方向上的长度为0.5米
‑
1.0米。2.根据权利要求1所述的硅片处理系统，其特征在于，多个所述刻蚀槽的长度沿所述硅片的移动方向呈周期性递减。3.根据权利要求2所述的硅片处理系统，其特征在于，一个所述周期包括多个所述刻蚀槽。4.根据权利要求1
‑
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李超，黄浩，赵川，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。