校正光刻工艺的方法技术

本揭示内容中的一些实施方式提供一种校正光刻工艺的方法，包含：提供第一晶片；提供复数光罩；以第一补偿量执行第一曝光前补偿；使用第一光罩，在第一曝光区上执行第一曝光处理；以第二补偿量执行第二曝光前补偿；以及使用第二光罩，在第二曝光区上执行第二曝光处理。本揭示内容中的一些实施方式提供校正光刻工艺的方法，在曝光前进行曝光前补偿，降低晶片成品在不同位置上所可能发生的误差，并经由统计数据的应用，降低晶片间以及批次间的误差，并且节省后续晶片用于初测试以获得补偿值的时间，提升生产效率。提升生产效率。提升生产效率。

【技术实现步骤摘要】
校正光刻工艺的方法


[0001]本揭示内容涉及校正光刻工艺的方法。具体来说，本揭示内容涉及在相同晶片中不同曝光场之间的校正。

技术介绍

[0002]光刻工艺包含若干且繁复的物理性以及化学性处理，过程中晶片与光罩的对准、光阻剂的选择、曝光条件等均可能造成图案的误差。因此，在现有的工艺中，会在不同批次晶片或是不同晶片转换之际，执行补偿(例如校正晶片位置的偏移)，校正成品误差。
[0003]然而，即使在同一晶片上，不同位置待形成的图案便可能不同，并且若将每次曝光时，晶片照射到光线的曝光区域，定义为一个曝光区(shot area)，则晶片包含复数曝光区，须经过多次曝光以及位移，才能完成单个晶片的曝光。在现有的工艺中，同一晶片上所有曝光区都套用相同的补偿值进行曝光。
[0004]随着半导体元件的要求日趋精密以及复杂化，如何降低晶片图案的误差，提供可降低晶片图案误差的方法，是亟欲解决的问题。

技术实现思路

[0005]本揭示内容中的一些实施方式提供一种校正光刻工艺的方法，包含以下步骤：提供第一晶片，第一晶片具有复数曝光区，此些曝光区包含第一曝光区以及第二曝光区，其中第一曝光区与第二曝光区可重合、部分重合或完全未重合；提供复数光罩，此些光罩包含第一光罩以及第二光罩，第一光罩包含第一光罩图案以及位于第一光罩图案周边的第一光罩对准记号，第二光罩包含第二光罩图案以及位于第二光罩图案周边的第二光罩对准记号；以第一补偿量执行第一曝光前补偿；使用第一光罩，在第一曝光区上执行第一曝光处理，以形成对应于第一光罩图案的第一图案，其中第一图案具有对应于第一光罩对准记号的第一对准记号；以第二补偿量执行第二曝光前补偿；以及使用第二光罩，在第二曝光区上执行第二曝光处理，以形成对应于第二光罩图案的第二图案，其中第二图案具有对应于第二光罩对准记号的第二对准记号。
[0006]在一些实施方法中，第一曝光前补偿包括调整第一曝光区与第一光罩的相对位置、第一曝光处理中的曝光参数或其组合，以及第二曝光前补偿包括调整第二曝光区与第二光罩的相对位置、第二曝光处理中的曝光参数或其组合。
[0007]在一些实施方法中，在执行第一曝光前补偿的步骤之前，此方法还包含：以第一光罩执行第一曝光初测试，在第一晶片上获得第一光罩的实际第一曝光位置；以及比对第一光罩的实际第一曝光位置与理论第一曝光位置，以获得第一光罩曝光位置误差量，其中，以第一补偿量执行第一曝光前补偿的步骤中，第一补偿量包含基于第一光罩曝光位置误差量所计算而得。
[0008]在一些实施方法中，第一光罩曝光位置误差量，是借由比对位于实际第一曝光位置中的第一光罩对准记号，以及位于理论第一曝光位置中的第一光罩对准记号的曝光位置
差异而得。
[0009]在一些实施方法中，第一光罩曝光位置误差量，是借由比对位于实际第一曝光位置中的第一光罩投影轮廓，以及位于理论第一曝光位置中的第一光罩投影轮廓的曝光位置差异而得。
[0010]在一些实施方法中，在执行第一曝光前补偿的步骤之前，此方法还包含：以第一光罩执行第一曝光初测试；以第一光罩执行第一显影初测试，在第一晶片上获得由第一光罩所转移的实际第一图案；以及比对实际第一图案与理论第一图案的图案外观形变或图案偏移，以获得第一显影误差量，其中，以第一补偿量执行第一曝光前补偿的步骤中，第一补偿量包含基于第一显影误差量所计算而得。
[0011]在一些实施方法中，在执行第一曝光前补偿的步骤之前，此方法还包含：以第一光罩执行第一显影初测试，在第一晶片上获得由第一光罩所转移的实际第一图案；以及比对实际第一图案与理论第一图案的图案外观形变或图案偏移，以获得第一显影误差量，其中，以第一补偿量执行第一曝光前补偿的步骤中，第一补偿量包含基于第一显影误差量所计算而得。
[0012]在一些实施方法中，在执行第二曝光前补偿的步骤之前，此方法还包含：以第二光罩执行第二曝光初测试，在第一晶片上获得第二光罩的实际第二曝光位置；以及比对第二光罩的实际第二曝光位置与理论第二曝光位置，以获得第二光罩曝光位置误差量，其中，以第二补偿量执行第二曝光前补偿的步骤中，第二补偿量包含基于第二光罩曝光位置误差量所计算而得。
[0013]在一些实施方法中，第二光罩曝光位置误差量，是借由比对分别位于实际第二曝光位置中的第二光罩对准记号，以及位于理论第二曝光位置中的第二光罩对准记号的曝光位置差异而得。
[0014]在一些实施方法中，第二光罩曝光位置误差量，是借由比对位于实际第二曝光位置中的第二光罩投影轮廓，以及位于理论第二曝光位置中的第二光罩投影轮廓的曝光位置差异而得。
[0015]在一些实施方法中，在执行第二曝光前补偿的步骤之前，此方法还包含：以第二光罩执行第二曝光初测试；以第二光罩执行第二显影初测试，在第一晶片上获得由第二光罩所转移的实际第二图案；以及比对实际第二图案与理论第二图案的图案外观形变或图案偏移，以获得第二显影误差量，其中，以第二补偿量执行第二曝光前补偿的步骤中，第二补偿量还包含基于第二显影误差量所计算而得。
[0016]在一些实施方法中，在执行第二曝光前补偿的步骤之前，此方法还包含：以第二光罩执行第二显影初测试，在第一晶片上获得由第二光罩所转移的实际第二图案；以及比对实际第二图案与理论第二图案的图案外观形变或图案偏移，以获得第二显影误差量，其中，以第二补偿量执行第二曝光前补偿的步骤中，第二补偿量包含基于第二显影误差量所计算而得。
[0017]在一些实施方法中，第一曝光前补偿以及第二曝光前补偿所欲校正的误差现象包括：平移、旋转、正交、放大、缩小、或前述组合。
[0018]在一些实施方法中，执行第一曝光处理、第二曝光处理或前述两者之后，此方法还包含对于第一晶片执行化学性处理或物理性处理。
[0019]在一些实施方法中，在使用第二光罩，在第二曝光区上执行第二曝光处理的步骤之后，还包含：提供与第一晶片相同的第二晶片；以第二晶片的第一补偿量执行第二晶片的第一曝光前补偿，其中第二晶片的第一补偿量是基于对第二晶片执行第二晶片的第一曝光初测试、第二晶片的第一显影初测试或其组合而得；以第二晶片的第二补偿量执行第二晶片的第二曝光前补偿，其中第二晶片的第二补偿量是基于对第二晶片执行第二晶片的第二曝光初测试、第二晶片的第二显影初测试或其组合而得；提供与第一晶片相同的第三晶片；以第三晶片的第一补偿量执行第三晶片的第一曝光前补偿，其中第三晶片的第一补偿量是由第一晶片的第一补偿量以及第二晶片的第一补偿量平均而得；以及以第三晶片的第二补偿量执行第三晶片的第二曝光前补偿，其中第三晶片的第二补偿量是由第一晶片的第二补偿量以及第二晶片的第二补偿量平均而得。
[0020]在一些实施方法中，第一晶片、第二晶片、以及第三晶片为相同批次的晶片。
[0021]在一些实施方法中，第一晶片、第二晶片、以及第三晶片为不同批次的晶片。
[0022]应当理解，前述的一般性描述和下文的详细描述都是示例，并且旨在提供对所要求保护的本揭示内容的进一步解释。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种校正光刻工艺的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供第一晶片，该第一晶片具有复数曝光区，该些曝光区包含第一曝光区以及第二曝光区，其中该第一曝光区与该第二曝光区可重合、部分重合或完全未重合；提供复数光罩，该些光罩包含第一光罩以及第二光罩，该第一光罩包含第一光罩图案以及位于该第一光罩图案周边的第一光罩对准记号，该第二光罩包含第二光罩图案以及位于该第二光罩图案周边的第二光罩对准记号；以第一补偿量执行第一曝光前补偿；使用该第一光罩，在该第一曝光区上执行第一曝光处理，以形成对应于该第一光罩图案的第一图案，其中该第一图案具有对应于该第一光罩对准记号的第一对准记号；以第二补偿量执行第二曝光前补偿；以及使用该第二光罩，在该第二曝光区上执行第二曝光处理，以形成对应于该第二光罩图案的第二图案，其中该第二图案具有对应于该第二光罩对准记号的第二对准记号。2.根据权利要求1所述的方法，其中该第一曝光前补偿包括调整该第一曝光区与该第一光罩的相对位置、该第一曝光处理中的曝光参数或其组合，以及该第二曝光前补偿包括调整该第二曝光区与该第二光罩的相对位置、该第二曝光处理中的曝光参数或其组合。3.根据权利要求1所述的方法，其中在执行该第一曝光前补偿的步骤之前，该方法还包含：以该第一光罩执行第一曝光初测试，在该第一晶片上获得实际第一曝光位置；以及比对该实际第一曝光位置与理论第一曝光位置，以获得第一光罩曝光位置误差量，其中，该以该第一补偿量执行该第一曝光前补偿的步骤中，该第一补偿量包含基于该第一光罩曝光位置误差量所计算而得。4.根据权利要求3所述的方法，其中该第一光罩曝光位置误差量，是借由比对位于该实际第一曝光位置中的该第一光罩对准记号，以及位于该理论第一曝光位置中的该第一光罩对准记号的曝光位置差异而得。5.根据权利要求3所述的方法，其中该第一光罩曝光位置误差量，是借由比对位于该实际第一曝光位置中的第一光罩投影轮廓，以及位于该理论第一曝光位置中的该第一光罩投影轮廓的曝光位置差异而得。6.根据权利要求1所述的方法，其中在该执行该第一曝光前补偿的步骤之前，该方法还包含：以该第一光罩执行第一曝光初测试；以该第一光罩执行第一显影初测试，在该第一晶片上获得由该第一光罩所转移的实际第一图案；以及比对该实际第一图案与理论第一图案的图案外观形变或图案偏移，以获得第一显影误差量，其中，该以该第一补偿量执行该第一曝光前补偿的步骤中，该第一补偿量还包含基于该第一显影误差量所计算而得。7.根据权利要求1所述的方法，其中在执行该第一曝光前补偿的步骤之前，该方法还包
含：以该第一光罩执行第一显影初测试，在该第一晶片上获得由该第一光罩所转移的实际第一图案；以及比对该实际第一图案与理论第一图案的图案外观形变或图案偏移，以获得第一显影误差量，其中，该以该第一补偿量执行该第一曝光前补偿的步骤中，该第一补偿量包含基于该第一显影误差量所计算而得。8.根据权利要求1所述的方法，其中在执行该第二曝光前补偿的步骤之前，该方法还包含：以该第二光罩执行第二曝光初测试，在该第一晶片上获得该第二光罩的实际第二曝光位置；以及比对...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正伟，黄祖文，黄至坚，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：