形成半导体结构的方法技术

本揭示内容中的一些实施方式提供形成半导体结构的方法，包含：提供基板；形成第一硬罩层于基板上；形成第二硬罩层于第一硬罩层上；形成复数遮罩图案于第二硬罩层上，其中遮罩图案由复数沟槽分隔，沟槽暴露出第二硬罩层，并具有第一深度；去除未被遮罩图案覆盖的第一硬罩层以及未被遮罩图案覆盖的第二硬罩层，并且沟槽由第一深度加深为第二深度；形成阻挡层于沟槽中，并且阻挡层连接相邻的第二硬罩层的侧壁；使用蚀刻剂移除遮罩图案；以及执行清洗工艺，移除阻挡层。本揭示内容中的一些实施方式提供的形成半导体结构的方法，可避免第一硬罩层的柱状结构间距的关键尺寸提升，进而衍伸支持力不足甚至断裂等不良现象。持力不足甚至断裂等不良现象。持力不足甚至断裂等不良现象。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体结构的方法


[0001]本揭示内容的一些实施方式中涉及形成半导体结构的方法。具体来说，本揭示内容的一些实施方式中是具硬罩的半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]现有技术要在半导体基板内形成沟槽，通常都是先在基板上的硬罩形成遮罩图案，以定义沟槽的位置。然后，根据遮罩图案，在硬罩上蚀刻出沟槽；接着，再以硬罩作为保护层，进一步蚀刻不被硬罩所覆盖的基板材料，在基板上形成沟槽。
[0003]然而，在硬罩上蚀刻出沟槽后，需要移除遮罩图案。一般而言移除遮罩图案，容易侵蚀到底部含氧化物的硬罩层，造成硬罩层呈现内凹现象，因而加大了硬罩层柱状结构间距的关键尺寸，甚至硬罩层无法承重而断裂，降低成品合格率。
[0004]因此需要提供一种形成半导体结构的方法，可避免移除遮罩图案时，底部含氧化物的硬罩层被侵蚀的方法。

技术实现思路

[0005]本揭示内容中的一些实施方式提供形成半导体结构的方法，包含：提供基板；形成第一硬罩层于基板上，其中第一硬罩层包含氧化物；形成第二硬罩层于第一硬罩层上；形成复数遮罩图案于第二硬罩层上，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供基板；形成第一硬罩层于该基板上，其中该第一硬罩层包含氧化物；形成第二硬罩层于该第一硬罩层上；形成复数遮罩图案于该第二硬罩层上，其中该些遮罩图案由复数沟槽分隔，该些沟槽暴露出该第二硬罩层，并沿一方向具有第一深度，其中该方向垂直于该基板中与该第一硬罩层接触的上表面；去除未被该些遮罩图案覆盖的该第一硬罩层以及未被该些遮罩图案覆盖的该第二硬罩层，使得该些沟槽暴露出该第二硬罩层的复数侧壁、该第一硬罩层的复数侧壁以及该基板的该上表面，并且该些沟槽由该第一深度加深为第二深度；形成阻挡层于该些沟槽中，并且该阻挡层连接相邻的该第二硬罩层的该些侧壁；使用蚀刻剂移除该些遮罩图案，其中该阻挡层阻隔该蚀刻剂接触该第一硬罩层；以及执行清洗工艺，移除该阻挡层。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成该阻挡层于该些沟槽中的步骤中，包含该阻挡层仅连接相邻的该第二硬罩层的该些侧壁，而并未朝该方向延伸填满该些沟槽。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏品源，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：