掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法技术

本申请公开了一种掺铒光纤。掺铒光纤可以应用于放大器、光通信和稀土掺杂光纤制备等领域。掺铒光纤的纤芯由内向外包括第一层和第二层。第一层包括纤芯的中心。第二层为环形，环形的外圈是纤芯的外圈。第一层的铒离子平均掺杂浓度高于第二层的铒离子平均掺杂浓度。在本申请中，通过降低第二层的铒离子掺杂浓度，可以减少ASE，进而降低掺铒光纤的噪声系数，提高通信质量。信质量。信质量。

【技术实现步骤摘要】
掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法


[0001]本申请涉及放大器领域、光通信领域和稀土掺杂光纤制备领域，尤其涉及掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法。

技术介绍

[0002]在光通信系统中，使用掺铒光纤放大器(Erbium Doped Fiber Amplifier，EDFA)放大信号光，可以提高信号光的传输距离。具体地，EDFA包括泵浦光源、光耦合器和掺铒光纤。泵浦光源用于产生泵浦光。光耦合器用于将信号光和泵浦光耦合进掺铒光纤。在掺铒光纤中，泵浦光作为信号光的激励源，放大信号光。
[0003]其中，掺铒光纤在激励源的作用下，会产生放大自发辐射(Amplified spontaneous emission，ASE)。ASE会提高掺铒光纤的噪声系数，影响通信质量。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种掺铒光纤和掺铒光纤的制备方法。在申请中，通过降低第二层的铒离子掺杂浓度，可以减少ASE，进而降低掺铒光纤的噪声系数，提高通信质量。
[0005]本申请第一方面提供了一种掺铒光纤。掺铒光纤的纤芯由内向外包括第一层和第二层。第一层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺铒光纤，其特征在于，所述掺铒光纤的纤芯由内向外包括第一层和第二层，所述第一层包括所述纤芯的中心，所述第二层为环形，所述环形的外圈是所述纤芯的外圈，其中，所述第一层的铒离子平均掺杂浓度高于所述第二层的铒离子平均掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的掺铒光纤，其特征在于，所述掺铒光纤用于L波段。3.根据权利要求1或2所述的掺铒光纤，其特征在于，所述第一层的铒离子平均掺杂浓度高所述第二层的铒离子平均掺杂浓度百分之M以上，M大于或等于30。4.根据权利要求3所述的掺铒光纤，其特征在于，所述M的值在30至75.6之间。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的掺铒光纤，其特征在于，所述第一层的铒离子平均掺杂浓度在2742百万分数ppm至2966ppm之间，所述第二层的铒离子平均掺杂浓度在1560ppm至2280ppm之间。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的掺铒光纤，其特征在于，所述第一层的横截面积在所述纤芯的横截面积的百分之N以内，N小于或等于50。7.根据权利要求6所述的掺铒光纤，其特征在于，所述N的值在20至50之间。8.根据权利要求1至7中任意一项所述的掺铒光纤，其特征在于，所述第一层包括K个子层，K为大于1的整数，所述第二层包括P个子层，P为大于0的整数；其中，沿所述纤芯的中心由内向外，所述K个子层和所述P个子层的铒离子掺杂浓度逐渐降低。9.根据权利要求8所述的掺铒光纤，其特征在于，所述K和所述P为2，所述K个子层包括第一子层和第二子层，所述P个子层包括第三子层和第四子层，所述第一子层的铒离子掺杂浓度范围在2687ppm至3087ppm之间，所述第二子层的铒离子掺杂浓度范围在2006ppm至2406ppm之间，所述第三子层的铒离子掺杂浓度范围在1028ppm至1428ppm之间，所述第四子层的铒离子掺杂浓度范围在301ppm至701ppm之间。10.根据权利要求1至9中任意一项所述的掺铒光纤，其特征在于，所述纤芯中心处的铒离子掺杂浓度在1500ppm至4000ppm之间。11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘业辉，操时宜，李进延，褚应波，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：