基于闪存的数据存储方法、闪存及相关设备技术

本申请提供一种基于闪存的数据存储方法、闪存及相关设备，其中，所述闪存包括第一存储区和第二存储区，所述方法包括：获取目标数据，所述目标数据的数据量小于或等于所述第一存储区的大小；将所述目标数据存储在所述第一存储区；或者响应于确定所述目标数据在所述第一存储区存储失败，将所述目标数据存储在所述第一存储区和所述第二存储区。应用本申请提供的方法，当闪存中第一存储区的某些比特位损坏，能够通过将数据存储在第一存储区和第二存储区，避免某些比特位损坏导致整个闪存的损坏以及算法失效，减小闪存因多次擦写数据而整体损坏的概率，保证了闪存的可靠性，延长了闪存的使用寿命。使用寿命。使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
基于闪存的数据存储方法、闪存及相关设备


[0001]本申请涉及数据存储
，尤其涉及一种基于闪存的数据存储方法、闪存及相关设备。

技术介绍

[0002]闪存(flash memory，快闪存储器)，是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。一般闪存的擦写次数可以达到100k次，但实际的应用中，由于生产工艺参数的不稳定，闪存在进行数据擦写时某些比特位(bit)可能会损坏，导致数据无法正常写入，数据校验失败，从而导致算法失效。

技术实现思路

[0003]本申请提出一种基于闪存的数据存储方法、闪存及相关设备，以解决或部分解决上述问题。
[0004]本申请第一方面，提供了一种基于闪存的数据存储方法，所述闪存包括第一存储区和第二存储区，所述方法包括：获取目标数据，所述目标数据的数据量小于或等于所述第一存储区的容量；将所述目标数据存储在所述第一存储区；或者响应于确定所述目标数据在所述第一存储区存储失败，将所述目标数据存储在所述第一存储区和所述第二存储区。
[0005]可选地，所述第二存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于闪存的数据存储方法，所述闪存包括第一存储区和第二存储区，所述方法包括：获取目标数据，所述目标数据的数据量小于或等于所述第一存储区的容量；将所述目标数据存储在所述第一存储区；或者响应于确定所述目标数据在所述第一存储区存储失败，将所述目标数据存储在所述第一存储区和所述第二存储区。2.根据权利要求1所述的基于闪存的数据存储方法，其中，所述第二存储区的容量小于所述第一存储区的容量。3.根据权利要求1所述的基于闪存的数据存储方法，其中，所述第一存储区和所述第二存储区均包括多个容量相同的区块；响应于确定所述目标数据在所述第一存储区存储失败，将所述目标数据存储在所述第一存储区和所述第二存储区，进一步包括：响应于确定所述第一存储区的多个区块中的第一区块损坏，将所述目标数据中对应于所述第一区块的第一数据存储在所述第二存储区的多个区块中的第二区块中。4.根据权利要求3所述的基于闪存的数据存储方法，其中，所述第一数据包括第一地址标识、第二地址标识，其中，所述第一地址标识指向所述第一区块的位置，所述第二地址标识指向所述第二区块的位置；将所述目标数据存储在所述第一存储区，进一步包括：根据所述第一数据中的所述第一地址标识，将所述第一数据存储在所述第一存储区的所述第一区块中；响应于确定所述第一存储区的多个区块中的第一区块损坏，将所述目标数据中对应于所述第一区块的第一数据存储在所述第二存储区的多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：李孙寸，申丽霞，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：