【技术实现步骤摘要】
一种基于相变材料的多模式切换的1
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3光开关及其制备方法
[0001]本专利技术属于光电子
，特别涉及的是一种基于相变材料的多模式切换的1
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3光开关及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着虚拟现实、大数据和人工智能等领域的技术发展，对于通信的容量提出了越来越高的要求。提高光通信传输容量、降低损耗、提高集成密度和调节效率等均是光通信及硅基光开关技术进一步发展中亟待解决的关键问题。在短数据中心网络中，通常要根据动态需求进行网络重构，而目前的重配置主要由高速电交换开关完成，即输入信号被转换成电信号，在电域完成交换之后再被转换回光信号。这种光/电/光（O/E/O）转换通常需要接收机和发射机，且每条光路都要通过复用器、解复用器及多路O/E/O转换，增加了交换节点的数据链路重构的复杂性，并具有高功耗和高硬件成本。硅基光波导开关是一种公认的低成本光交换技术，在电信网络和数据中心等领域中具有非常广泛的应用前景。光开关是光交换网络中用于数据交换的核心单元，可以在多模式频道实现数据和信号的切换，是构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于硫族化合物相变材料的多模式切换1
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3型光开关的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）波导结构的设计将中行Si直波导(6)设置于光开关的中间，一侧设置为上行耦合波导区域(2)，包括上行Si直波导(4)和上行复合波导(5)，另一侧为由下行复合波导(7)和下行Si直波导(8)组成的下行耦合波导区域(3)；各波导相互平行，间距为100～200纳米，Si直波导与复合波导相间分布，上行复合波导(5)位于中行Si直波导(6)的前端区域，下行复合波导(7)位于中行Si直波导(6)的后端区域；光输入端口(12)和光波的基模输出端口(13)分别设置于中行Si直波导(6)的前、后端；光波的一阶模输出端口(14)设置于上行Si直波导(4)的后端；光波的二阶模输出端口(15)设置于下行Si直波导(8) 的后端；所述的上行复合波导(5)和下行复合波导(7)为在Si波导(10)上沉积一层相变材料薄膜(11)构成；（2）波导结构的制备在SiO2衬底材料上覆盖光刻胶，采用聚焦电子束曝光工艺，按步骤（1）设计的波导结构，在基底上制备得到3根Si直波导和2根复合波导的Si波导(10)；(3)相变材料的集成对步骤（2）得到的波导结构进行光刻胶旋涂，对复合波导的Si波导(10)进行电子束曝光后，再采用磁控溅射工艺在复合波导的Si波导(10)上沉积厚度为10～300纳米的多元硫化物相变薄膜(11)；磁控溅射工艺参数包括：通入流速为50sccm的Ar气体，硫化物靶材溅射功率为20～50W，溅射...
【专利技术属性】
技术研发人员：张桂菊，高雪松，汪成根，崔元昊，
申请(专利权)人：光芯互连苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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