一种近红外发光材料及其制备方法和应用技术

本申请公开了一种近红外发光材料及其制备方法和应用，本申请的近红外发光材料的化学式为LaMg1‑

【技术实现步骤摘要】
一种近红外发光材料及其制备方法和应用


[0001]本申请属于发光材料制备
，具体涉及一种近红外发光材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近红外(NIR)光源已被广泛应用于食品安全、现代农业、夜视、光伏、生物成像等领域，其面临的技术瓶颈之一就是缺乏一种具有小型化、快速响应特点的宽带近红外光。将宽带近红外发光材料涂覆于高效蓝光LED芯片上，通过蓝光激发近红外发光材料实现宽带近红外发射，被认为是一种有效的解决方案。其优势在于结构成熟、价格便宜、谱带宽、效率高。过渡金属Cr
3+
离子可被蓝光有效激发，与蓝光LED芯片匹配良好，被认为是理想的近红外发射中心。但是，目前多数Cr
3+
掺杂近红外发光材料的发射光谱集中在NIR
‑
I区域(700～1000nm)，限制了在1000nm以上的应用需求。Ni
2+
在1000～1600nm具有很好的宽带近红外发射，然而Ni
2+
很难被蓝光有效激发，这一现象严重限制了其应用。因此，如何获得能被蓝光有效激发，或发射峰超本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的化学式为LaMg1‑
y
Ga
11
‑
x
O
19
:xCr
3+
,yNi
2+
，其中，0<x≤1、0<y≤0.3。2.如权利要求1所述的一种近红外发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料可被紫外和可见光激发，发射范围在650
‑
1600nm。3.如权利要求1或2所述的一种近红外发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：配制含La2O3、MgO、Ga2O3、Cr2O3、NiC4H6O4·
4H2O和H3BO3的混合物粉末；所述混合物粉末中La2O3、MgO、Ga2O3、Cr2O3、NiC4H6O4·
4H2O的摩尔比为1：(1
‑
y)：(11
‑
x)：x：y，其中，0<x≤1、0<y≤0.3；将所述混合物粉末在1300
‑
1600℃下进行焙烧处理；将所述焙烧处理后的产物冷却后获得所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国岗，张倩倩，陈克强，刘冬杰，林君，
申请(专利权)人：中国地质大学武汉，
类型：发明
国别省市：