包括非线性元件的组件及其使用方法技术

一种组件，包括非线性元件，所述非线性元件被配置为从耦合至非线性元件中的输入辐射产生宽带辐射。所述组件还包括位于非线性元件下游的光学元件，所述光学元件被配置为将宽带辐射的一部分反射回非线性元件中。所述非线性元件通常是非线性光纤，例如空芯光子晶体光纤(HC

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括非线性元件的组件及其使用方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年3月31日递交的欧洲申请20166940.5的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本专利技术涉及包括非线性元件的组件及其使用方法。更具体地，非线性元件被配置为从耦合至非线性元件中的输入辐射产生宽带辐射。

技术介绍

[0004]光刻设备是构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。例如，光刻设备可以将在图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也通常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了在衬底上投射图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用具有在4nm至20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(EUV)辐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组件，包括非线性元件，所述非线性元件被配置为从耦合至所述非线性元件中的输入辐射产生宽带辐射，其中，所述组件还包括光学元件，所述光学元件位于所述非线性元件的下游，所述光学元件被配置为将所述宽带辐射的一部分反射回所述非线性元件中。2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述光学元件被配置为将处于或接近所述输入辐射的一种或更多种波长的至少一些辐射反射回所述非线性元件中。3.根据权利要求2所述的组件，其中，所述光学元件被配置为压缩处于或接近所述输入辐射的所述一种或更多种波长的所述至少一些辐射的脉冲。4.根据权利要求2或3所述的组件，其中，所述光学元件被配置为透射所述宽带辐射中的至少一些。5.根据权利要求4所述的组件，其中，所述光学元件被配置为透射除了所述宽带辐射的被反射的所述一部分之外的所述宽带辐射的90％至100％。6.根据权利要求2或3所述的组件，其中，所述组件还包括位于所述非线性光学元件和所述光学元件之间的附加光学元件，所述附加光学元件被配置为透射至少一些宽带辐射并且将处于或接近输入辐射的所述一种或更多种波长的至少一些辐射反射到所述光学元件并从所述光学元件反射回到所述非线性光学元件中。7.根据权利要求6所述的组件，其中，所述附加光学元件被配置为透射除了所述宽带辐射的被反射的所述一部分之外的宽带辐射的90％至100％。8.根据权利要求2至7中任一项所述的组件，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：