光刻胶中金属离子的纯化方法技术

本发明专利技术属于材料技术领域，具体涉及一种光刻胶中金属离子的纯化方法。所述光刻胶中金属离子的纯化方法只需将含有巯基官能团的固体吸附剂与光刻胶混合，通过物理搅拌或者震荡的方式使其接触一定时间，即可达到较好的纯化效果。光刻胶为液体，只需简单的物理分离，就可以将含有巯基官能团的固体吸附剂和光刻胶分离。使用后的含有巯基官能团的固体吸附剂经过酸处理、碱处理、水洗和干燥处理后，便可再重复利用，含有巯基官能团的固体吸附剂的吸附量在重复使用十次时仍能高于90％。复使用十次时仍能高于90％。复使用十次时仍能高于90％。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶中金属离子的纯化方法


[0001]本专利技术属于材料
，具体涉及一种光刻胶中金属离子的纯化方法及其应用。

技术介绍

[0002]光刻是超大规模集成电路制备过程中最重要的工艺过程之一，用于半导体器件中精细电路图形的加工，在芯片制造过程中，光刻占整个制造成本的约40％。光刻技术按照曝光波长来分类，经历了早期的G线(436nm)光刻、I线(365nm)光刻和深紫外(248nm)光刻，目前的193nm干式和浸没式光刻，以及即将进行量产的极紫外(EUV，13.5nm)光刻，光刻技术的节点从微米级已经发展到目前的几个纳米。光刻胶是光刻工艺中使用的核心材料，半导体器件如芯片加工中要进行几十道光刻过程，需要用到不同类型的光刻胶。光刻胶通常由成膜主体材料、感光剂(如光致产酸剂)、各种助剂和溶剂等组成。随着光刻技术不断进步，半导体图形分辨率要求越来越高，业界对光刻胶的纯度要求也不断提升。光刻胶纯度控制的核心内容之一是金属离子含量的控制，微量的金属离子含量会产生可动离子玷污(MIC)，引起器件的阈值电压改变，对加工器件的性能产生严重的不利影响。按照国际半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶中金属离子的纯化方法，所述纯化方法包括如下步骤：将含有巯基官能团的固体吸附剂和待处理的光刻胶混合，分离，得到纯化后的光刻胶。2.根据权利要求1所述的纯化方法，其中，所述含有巯基官能团的固体吸附剂选自含有巯基官能团的树脂、含有巯基官能团的硅胶、含有巯基官能团的纳米颗粒。3.根据权利要求1或2所述的纯化方法，其中，所述含有巯基官能团的固体吸附剂中巯基官能团的含量为1～3mmol/g；优选地，所述含有巯基官能团的硅胶中巯基官能团的含量为1.32mmol/g；所述含有巯基官能团的树脂中巯基官能团的含量为2.56mmol/g。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的纯化方法，其中，所述待处理的光刻胶为193nm干式光刻胶、193nm浸没式光刻胶和193nm极紫外光刻胶等中的至少一种。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的纯化方法，所述光刻胶存在的体系为有机溶液体系，所述有机溶液体系中含有成膜主体材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嫕，张卫杰，陈金平，于天君，曾毅，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：