一种磁通调控结构及量子器件制造技术

本申请公开了一种磁通调控结构及量子器件，属于量子计算技术领域。所述磁通调控结构，包括：位于基底上的内环形磁通线和外环形磁通线，所述内环形磁通线位于所述外环形磁通线内，且所述内环形磁通线和所述外环形磁通线上施加的电流方向相反。本申请提出的磁通调控结构，通过位于基底上的外环形磁通线和位于所述外环形磁通线内外部的内环形磁通线，施加方向相反的电流，从而使内环形磁通线和外环形磁通线能够形成方向相反的磁场，使得在外环形磁通线的外部的磁场强度削弱，甚至无磁场，进而消除或抑制对相邻位置的量子比特的干扰。除或抑制对相邻位置的量子比特的干扰。除或抑制对相邻位置的量子比特的干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种磁通调控结构及量子器件


[0001]本申请属于量子信息领域，尤其是量子计算
，特别地，本申请涉及一种磁通调控结构及量子器件。

技术介绍

[0002]位于量子芯片上的量子比特是执行量子计算的基本单元，通过改变量子比特的工作频率可以调整比特性能，从而实现一系列的比特操作。其中，工作频率可以通过在频率调控线(Z
‑
control line)上施加磁通调控信号进行调控。
[0003]但是，由于量子比特对于磁通格外敏感，施加在量子比特上的磁通调控信号很容易干扰到相邻位置的量子比特的频率，这种干扰是两比特间频率控制线的串扰(Z
‑
crosstalk)，它会大大限制我们两比特调控的精度。
专利技术创造内容
[0004]本申请的目的是提供一种磁通调控结构及量子器件，以解决现有技术中的不足。
[0005]本申请的一个方面提供了一种磁通调控结构，包括：位于基底上的内环形磁通线和外环形磁通线，所述内环形磁通线位于所述外环形磁通线内，且所述内环形磁通线和所述外环形磁通线上施加的电流方向相反。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁通调控结构，其特征在于，包括：位于基底上的内环形磁通线和外环形磁通线，所述内环形磁通线位于所述外环形磁通线内，且所述内环形磁通线和所述外环形磁通线上施加的电流方向相反。2.根据权利要求1所述的磁通调控结构，其特征在于，所述电流包括脉冲、直流。3.根据权利要求1所述的磁通调控结构，其特征在于，所述基底包括：氧化铝基板、石英玻璃基板、陶瓷基板、蓝宝石基板。4.根据权利要求1所述的磁通调控结构，其特征在于，所述内环形磁通线和所述外环形磁通线为形成于所述基底表面的薄膜电路。5.根据权利要求4所述的磁通调控结构，其特征在于，所述薄膜电路包括超导传输线。6.根据权利要求5所述的磁通调控结构，其特征在于，所述超导传输线为氮化钽传输线。7.根据权利要求1－6中任一项所述的磁通调控结构，其特征在于，所述内环形磁通线和所述外环形磁通线通入电流的强度满足以下条件：其中，I1为内环形磁通线的电流的强度，I2为外环形磁通线...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇杰，付耀斌，曹振，
申请(专利权)人：合肥本源量子计算科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：