振膜阵列制造技术

本发明专利技术提供了一种振膜阵列，包括：多个并排设置的振膜本体，相邻两个振膜本体之间的间隙处设置有磁铁，相邻两个振膜本体之间相互串联，多个所述磁铁平行设置，所述多个振膜本体设置在同一平面内或按弧形路径布置。本发明专利技术采用多个并排设置的振膜本体，从而构成了振膜阵列，增大了振膜的面积，在将本发明专利技术应用于全频耳机时，采用振膜阵列的方式，可使耳朵的前后左右都接受声音，听起来更加真实。听起来更加真实。听起来更加真实。

【技术实现步骤摘要】
振膜阵列


[0001]本专利技术涉及振膜领域，特别涉及一种振膜阵列。

技术介绍

[0002]振膜是音响、耳机、麦克风等设备的重要组成元件，用于产生或收集声音，例如，可用于扬声器的高频，近期有将振膜用于全频耳机。现有技术中的振膜都是采用一条振膜，但由于只有一条振膜，振膜的发声面积小、离耳朵又近，只能在耳朵的局部区域发声，影响了耳机的声音效果。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种振膜阵列，以解决至少一个上述技术问题。
[0004]为解决上述问题，作为本专利技术的一个方面，提供了一种振膜阵列，包括：多个并排设置的振膜本体，相邻两个振膜本体之间的间隙处设置有磁铁，相邻两个振膜本体之间相互串联，多个所述磁铁平行设置，所述多个振膜本体设置在同一平面内或按弧形路径布置。
[0005]优选地，所述振膜本体上形成有垂直于所述磁铁方向的横纹。
[0006]优选地，所述振膜本体包括由上至下依次设置的第一端、振膜区和第二端，所述振膜区内沿从所述第一端向第二端延伸的刚度加强结构，所述刚度加强结构的延伸路径在垂直于从所述第一端向第二端的方向上具有振幅。
[0007]优选地，所述延伸路径按周期性曲线的路径延伸。
[0008]优选地，所述振膜区上具有多个平行设置的所述刚度加强结构。
[0009]优选地，所述周期性曲线为连续S形曲线。
[0010]优选地，所述刚度加强结构为形成在所述振膜本体上的压痕或突起。
[0011]在上述技术方案中，本专利技术采用多个并排设置的振膜本体，从而构成了振膜阵列，增大了振膜的面积，在将本专利技术应用于全频耳机时，采用振膜阵列的方式，可使耳朵的前后左右都接受声音，听起来更加真实。
附图说明
[0012]图1示意性地示出了现有技术中的振膜组件的结构示意图；
[0013]图2示意性地示出了本专利技术第一实施例的结构示意图；
[0014]图3示意性地示出了本专利技术第二实施例的结构示意图；
[0015]图4示意性地示出了图3的俯视图；
[0016]图5示意性地示出了本专利技术第三实施例采用的振膜的结构示意图。
[0017]图中附图标记：1、振膜本体；2、磁铁；3、横纹；4、第一端；5、振膜区；6、第二端；7、刚度加强结构。
具体实施方式
[0018]以下对本专利技术的实施例进行详细说明，但是本专利技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
[0019]作为本专利技术的一个方面，提供了一种振膜阵列，包括：多个并排设置的振膜本体1，相邻两个振膜本体1之间的间隙处设置有磁铁2，相邻两个振膜本体1之间相互串联，多个所述磁铁2平行设置，所述多个振膜本体1设置在同一平面内或按弧形路径布置。
[0020]在上述技术方案中，本专利技术采用多个并排设置的振膜本体1，从而构成了振膜阵列，增大了振膜的面积，在将本专利技术应用于全频耳机时，采用振膜阵列的方式，可使耳朵的前后左右都接受声音，听起来更加真实。
[0021]在一个实施例中，优选地，所述振膜本体1上形成有垂直于所述磁铁2方向的横纹3。
[0022]振膜是音响、耳机、麦克风等设备的重要组成元件，用于产生或收集声音。现有技术中的振膜通常只有横纹，刚度不好，振动的时候整体会变形，失真较大。为此，在另一个实施例中，优选地，所述振膜本体1包括由上至下依次设置的第一端4、振膜区5和第二端6，所述振膜区5内沿从所述第一端4向第二端6延伸的刚度加强结构7，所述刚度加强结构7的延伸路径在垂直于从所述第一端4向第二端6的方向上具有在左右或正负方向来回往复的振幅。
[0023]优选地，所述延伸路径按周期性曲线的路径延伸。优选地，所述周期性曲线为连续S形曲线，类似于正弦、余弦曲线、波浪形曲线。
[0024]优选地，所述振膜区5上具有多个平行设置的所述刚度加强结构7。
[0025]优选地，所述刚度加强结构7为形成在所述振膜本体1上的压痕或突起。
[0026]在上述技术方案中，本专利技术通过刚度加强结构在振膜本体的纵向上延伸，通过振幅在振膜本体的横向上延伸，从而在纵向和横向上对振膜本体的刚度进行加强，使得振动的时候振膜本体整体变形，刚度变好，失真更低。
[0027]以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种振膜阵列，其特征在于，包括：多个并排设置的振膜本体(1)，相邻两个振膜本体(1)之间的间隙处设置有磁铁(2)，相邻两个振膜本体(1)之间相互串联，多个所述磁铁(2)平行设置，所述多个振膜本体(1)设置在同一平面内或按弧形路径布置。2.根据权利要求1所述的振膜阵列，其特征在于，所述振膜本体(1)上形成有垂直于所述磁铁(2)方向的横纹(3)。3.根据权利要求1所述的振膜阵列，其特征在于，所述振膜本体(1)包括由上至下依次设置的第一端(4)、振膜区(5)和第二端(6)，所述振膜区(5)内沿从所述第一端(4)向...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩基岩，
申请(专利权)人：韩基岩，
类型：发明
国别省市：