本发明专利技术公开了一种发光装置，其包括一发光单元。所述发光单元发射一出射光，且所述出射光具有一光谱。所述光谱在520纳米和780纳米之间具有一主波峰，且所述光谱在400纳米和470纳米之间具有一子波峰对应至一波长。所述光谱从所述波长减20纳米到所述波长之间包括一第一子波峰积分，所述光谱从521纳米至780纳米之间具有一强度积分，且所述第一子波峰积分对所述强度积分的比值的范围为自0.05％到2％。强度积分的比值的范围为自0.05％到2％。强度积分的比值的范围为自0.05％到2％。
【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本申请是申请日为2019年10月09日、申请号为201910955089.X、专利技术名称为“发光装置”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种包括光转换元件的发光装置。
技术介绍
[0003]在传统的发光装置中，常利用混合绿光和红光的方式来产生其他颜色的光(例如黄光)。然而，在传统发光装置，对于观察者而言，所述光线(例如黄光)的颜色的明视觉偏蓝。因此，本专利技术提供一种可减少上述问题的发光装置。
技术实现思路
[0004]在一些实施例中，一种发光装置包括一发光单元，发光单元发射一出射光，且出射光具有一光谱。光谱在520纳米(nm)和780纳米之间具有一主波峰，且光谱在400纳米和470纳米之间具有一子波峰对应至一波长。光谱从所述波长减20纳米到所述波长之间包括一第一子波峰积分，光谱从521纳米至780纳米之间具有一强度积分,且第一子波峰积分对强度积分的比值的范围为自0.05％到2％。
附图说明
[0005]图1为本专利技术第一实施例的发光装置的剖视示意图。
[0006]图2为第一实施例的第一发光单元或第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。
[0007]图3为第一实施例的第一发光单元和第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。
[0008]图4为CIE 1931的色度坐标图。
[0009]图5为图4所示的区域G的放大图和显示出第一发光单元所发射的不同出射光的点。
[0010]图6为图4所示的区域R的放大图和显示出第二发光单元所发射的不同出射光的点。
[0011]图7为第二实施例的发光装置的剖视示意图。
[0012]图8为第三实施例的发光装置的剖视示意图。
[0013]附图标记说明：10
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发光装置；100
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第一基板；102
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第二基板；1041
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间隙物；1042
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光调变层；106
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遮蔽结构；1081、1082
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偏光片；110
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光学膜；112、122
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光源；114
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导光板；116
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光学层；118
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隔离结构；120
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平坦层；AP
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开口；BF
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阻挡结构；BL
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背光模块；CE
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色度图边界；CGL
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电荷产生层；CL1、CL2
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光线；DP
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面板；EIL2、EIL1
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电子注入层；EL1
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第一电极；EL2
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第二电极；ETL2、ETL1
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电子传输层；G、R、Y、CS
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区域；G0、G1、G2、G3、R0、R1、R2、R3、R4
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点；HIL2、HIL1
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电洞注入层；HTL2、HTL1
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电洞传输层；I1、I2
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强度；IL1、IL2
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入射光；LA
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光吸收材料；LCE1、LCE2、LCE3
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光转换元件；LE
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发光元件；LE1
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第一发光元件；LE2
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第二发光元件；LE3
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第三发光元件；LEL2、LEL1
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发光结构；LS
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光谱；LS1
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第一光谱；LS2
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第二光谱；LU1
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第一发光单元；LU2
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第二发光单元；LU3
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第三发光单元；MI
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强度积分；MP1、MP2
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主波峰；MW、MW1、MW2
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主波；OL1
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第一光线；OL2
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第二光线；OL3
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第三光线；PDL
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像素定义层；PL
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保护层；QD1
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量子点；SI1、SI11、SI12
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第一子波峰积分；SI2、SI21、SI22
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第二子波峰积分；SI3
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第三子波峰积分；SI4
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第四子波峰积分；SI51、SI52
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第五子波峰积分；SI61、SI62
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第六子波峰积分；SP1
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第一子波峰；SP2
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第二子波峰；SU
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基板；SW、SW1、SW2
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子波；V
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法线方向；Wm、W1、W2、W3、W4、W5、W11、W12
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波长。
具体实施方式
[0014]通过参考以下的详细描述并结合附图可理解本专利技术，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本专利技术中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本专利技术。
[0015]本专利技术通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可以不同的名称来指称相同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为
…
」之意。
[0016]应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接至」另一个元件或膜层时，它可直接在此另一元件或膜层上或直接连接至此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接至」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
[0017]术语「大约」、「基本上」、「等于」或「相同」通常代表在给定值或范围的20％范围内，或代表在给定值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。
[0018]虽然术语第一、第二、第三
…
可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三
…
取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
[0019]须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本专利技术的精神下，可将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
[0020]请参考图1，图1为本专利技术第一实施例的发光装置的剖视示意图。发光装置可包括显示设备、电本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：一发光单元，发射一出射光,且所述出射光具有一光谱，所述光谱在520纳米和780纳米之间具有一主波峰，且所述光谱在400纳米和470纳米之间具有一子波峰对应至一波长；其中所述光谱从所述波长减20纳米到所述波长之间包括一第一子波峰积分，所述光谱从521纳米至780纳米之间具有一强度积分，且所述第一子波峰积分对所述强度积分的比值的范围为自0.05％到2％。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述出射光为红色光。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述出射光为绿色光。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一光转换元件。5.根据权利要求4所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：林小郎，蔡宗翰，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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