像素电路、驱动方法及显示装置制造方法及图纸

技术编号:35694170 阅读:22 留言:0更新日期:2022-11-23 14:44
本公开实施例提供了像素电路、驱动方法及显示装置,包括发光器件;驱动晶体管,与发光器件耦接,被配置为根据数据电压产生驱动发光器件发光的驱动电流;分布电容,分布电容的第一电极与驱动晶体管的栅极耦接,分布电容的第二电极与驱动晶体管的第一极耦接;初始化电路,被配置为在复位信号端的信号的控制下对驱动晶体管的栅极进行初始化;数据补偿电路,被配置为在扫描信号端的信号的控制下,输入数据电压,并对驱动晶体管的阈值电压进行补偿;发光控制电路,被配置为在发光控制信号端的信号的控制下,将驱动晶体管的第一极与第一电源端导通,以及将驱动晶体管的第二极与发光器件导通,驱动发光器件发光。驱动发光器件发光。驱动发光器件发光。

【技术实现步骤摘要】
像素电路、驱动方法及显示装置


[0001]本公开涉及显示
,特别涉及像素电路、驱动方法及显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)、微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)、迷你发光二极管(Mini Light Emitting Diode,Mini LED)等发光器件L具有自发光、低能耗等优点,是当今显示装置应用研究领域的热点之一。一般显示装置中采用像素电路来驱动发光器件L发光。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供的像素电路,包括:
[0004]发光器件;
[0005]驱动晶体管,与所述发光器件耦接,被配置为根据数据电压产生驱动所述发光器件发光的驱动电流;
[0006]分布电容,所述分布电容的第一电极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述分布电容的第二电极与所述驱动晶体管的第一极耦接;
[0007]初始化电路,被配置为在复位信号端的信号的控制下对所述驱动晶体管的栅极进行初始化;
[0008]数据补偿电路,被配置为在扫描信号端的信号的控制下,输入所述数据电压,并对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿;
[0009]发光控制电路,被配置为在发光控制信号端的信号的控制下,将所述驱动晶体管的第一极与第一电源端导通,以及将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通,驱动所述发光器件发光。
[0010]在一些可能的实施方式中,所述发光器件的阳极与第二电源端耦接,所述发光器件的阴极与所述发光控制电路耦接;
[0011]所述第一电源端的电压小于所述第二电源端的电压。
[0012]在一些可能的实施方式中,所述初始化电路包括第一晶体管;
[0013]所述第一晶体管的栅极与所述复位信号端耦接,所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述第一晶体管的第二极与初始化信号端耦接。
[0014]在一些可能的实施方式中,所述初始化信号端与所述第一电源端和所述第二电源端中的一个为同一信号端。
[0015]在一些可能的实施方式中,所述数据补偿电路包括第二晶体管、第三晶体管以及存储电容;
[0016]所述第二晶体管的栅极与所述扫描信号端耦接,所述第二晶体管的第一极与数据信号端耦接,所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;
[0017]所述第三晶体管的栅极与所述扫描信号端耦接,所述第三晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极耦接;
[0018]所述存储电容的第一电极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述存储电容的第二电极与所述第一电源端耦接。
[0019]在一些可能的实施方式中,所述发光控制电路包括第四晶体管以及第五晶体管;
[0020]所述第四晶体管的栅极与所述发光控制信号端耦接,所述第四晶体管的第一极与所述第一电源端耦接,所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;
[0021]所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号端耦接,所述第五晶体管的第一极与所述发光器件的阴极耦接,所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极耦接。
[0022]在一些可能的实施方式中,所述像素电路还包括复位电路;
[0023]所述复位电路与所述发光器件的阴极耦接,所述复位电路被配置为在所述复位信号端的信号的控制下对所述发光器件的阴极进行复位。
[0024]在一些可能的实施方式中,所述复位电路包括复位晶体管;
[0025]所述复位晶体管的栅极与所述复位信号端耦接,所述复位晶体管的第一极与所述发光器件的阴极耦接,所述复位晶体管的第二极与所述初始化信号端耦接。
[0026]本公开实施例提供的显示装置,包括上述的像素电路。
[0027]在一些可能的实施方式中,所述显示装置包括:多个子像素、多条扫描信号线和多条复位信号线;所述多个子像素中的每一个子像素包括所述像素电路;
[0028]所述多条扫描信号线中的一条扫描信号线与一行子像素中的像素电路的所述扫描信号端耦接;
[0029]所述多条复位信号线中的一条复位信号线与一行子像素中的像素电路的所述复位信号端耦接。
[0030]在一些可能的实施方式中,每相邻两行子像素中,下一行子像素中的像素电路耦接的复位信号线与上一行子像素中的像素电路耦接的扫描信号线为同一信号线。
[0031]本公开实施例提供的驱动上述的像素电路的驱动方法,包括:初始化阶段、数据补偿阶段以及发光阶段;
[0032]在所述初始化阶段,初始化电路在复位信号端的信号的控制下对所述驱动晶体管的栅极进行初始化;
[0033]在所述数据补偿阶段,数据补偿电路在扫描信号端的信号的控制下,输入所述数据电压,并对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿;
[0034]在所述发光阶段,发光控制电路在发光控制信号端的信号的控制下,将所述驱动晶体管的第一极与第一电源端导通,以及将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通,驱动所述发光器件发光。
附图说明
[0035]图1为本公开实施例提供的像素电路的一些结构示意图;
[0036]图2为本公开实施例提供的像素电路的驱动方法的流程图;
[0037]图3为本公开实施例提供的一些信号时序图;
[0038]图4为本公开实施例提供的像素电路的另一些结构示意图;
[0039]图5为本公开实施例提供的像素电路的又一些结构示意图;
[0040]图6为本公开实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0041]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下,本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
[0042]除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
[0043]需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路,包括:发光器件;驱动晶体管,与所述发光器件耦接,被配置为根据数据电压产生驱动所述发光器件发光的驱动电流;分布电容,所述分布电容的第一电极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述分布电容的第二电极与所述驱动晶体管的第一极耦接;初始化电路,被配置为在复位信号端的信号的控制下对所述驱动晶体管的栅极进行初始化;数据补偿电路,被配置为在扫描信号端的信号的控制下,输入所述数据电压,并对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿;发光控制电路,被配置为在发光控制信号端的信号的控制下,将所述驱动晶体管的第一极与第一电源端导通,以及将所述驱动晶体管的第二极与所述发光器件导通,驱动所述发光器件发光。2.如权利要求1所述的像素电路,其中,所述发光器件的阳极与第二电源端耦接,所述发光器件的阴极与所述发光控制电路耦接;所述第一电源端的电压小于所述第二电源端的电压。3.如权利要求1或2所述的像素电路,其中,所述初始化电路包括第一晶体管;所述第一晶体管的栅极与所述复位信号端耦接,所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述第一晶体管的第二极与初始化信号端耦接。4.如权利要求3所述的像素电路,其中,所述初始化信号端与所述第一电源端和所述第二电源端中的一个为同一信号端。5.如权利要求1或2所述的像素电路,其中,所述数据补偿电路包括第二晶体管、第三晶体管以及存储电容;所述第二晶体管的栅极与所述扫描信号端耦接,所述第二晶体管的第一极与数据信号端耦接,所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;所述第三晶体管的栅极与所述扫描信号端耦接,所述第三晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极耦接;所述存储电容的第一电极与所述驱动晶体管的栅极耦接,所述存储电容的第二电极与所述第一电源端耦接。6.如权利要求1或2所述的像素电路,其中,所述发光控制电路包括第四晶体管以及第五晶体管;所述第四晶体管的栅极与所述发光控制信号端耦接,所述第四晶体管的第一极与所述第一电源端...

【专利技术属性】
技术研发人员:程鸿飞
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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