包括散热层的电气组件制造技术

根据本发明专利技术的一个实施方案，提供了一种电子组件，该电子组件包括：电路板，该电路板包括具有导电性的多个连接部分；多个间隔开的半导体集成电路，该多个间隔开的半导体集成电路安装在该电路板上并且电连接到该多个连接部分；保护层，该保护层设置在该多个半导体集成电路上，基本上围绕该半导体集成电路，并且具有平坦的上表面；以及散热铜层，该散热铜层设置在该保护层上，具有大于或等于约3微米的平均厚度、以及大于约0.15微米的平均晶粒尺寸，其中该散热铜层可在长度和宽度上占据与该电路板基本相同的空间(共同延伸)，并且保护层的平均厚度可等于或大于该多个间隔开的半导体集成电路的高度。电路的高度。电路的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括散热层的电气组件

技术介绍

[0001]本专利技术涉及一种包括散热层的电子组件。
[0002]在半导体装置组件中，集成电路管芯(可替代地，半导体芯片、管芯)可安装在封装衬底上。在集成电路管芯中，用于保护半导体装置组件免受流过集成电路管芯的热量影响的热管理装置可包括散热盖、散热器等。
[0003]同时，由于在最近的比特币采矿系统中散发出大量的热量，为了分散和消散所散发的热量，已经强调了一种将金属直接沉积在芯片封装体上的方法。
[0004]然而，在相关技术中，在散热层中已经使用了溅射或电镀技术来扩散和消散所散发的热量，并且这些技术具有的问题在于，由于与环氧树脂模具表面的低接触力而发生金属层的分层，用于生产具有大厚度(例如，5微米或更大的厚度)的散热层的工艺成本是昂贵的，并且制造时间长。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施方案是在如上文所述的背景下专利技术的，并且提供了一种电子组件，该电子组件包括与相关技术相比具有优异散热性的散热层。
[0006]然而，在本专利技术中要实现的目的不限于上文所述的那些，并且根据本专利技术的以下描述，上文未描述的其他目的将被本领域技术人员清楚地理解。
[0007]根据本专利技术的一个实施方案，提供了一种电子组件，该电子组件包括：电路板，该电路板包括具有导电性的多个连接部分；多个间隔开的半导体集成电路，该多个间隔开的半导体集成电路安装在该电路板上并且电连接到该多个连接部分；保护层，该保护层设置在该多个半导体集成电路上，基本上围绕该半导体集成电路，并且具有平坦的上表面；以及散热铜层，该散热铜层设置在该保护层上，具有大于或等于约3微米的平均厚度、以及大于约0.15微米的平均晶粒尺寸，其中该散热铜层可在长度和宽度上占据与该电路板基本相同的空间(共同延伸)，并且保护层的平均厚度可等于或大于该多个间隔开的半导体集成电路的高度。
[0008]根据本专利技术的另一个实施方案，提供了一种电子组件包括：电路板，该电路板包括具有导电性的多个连接部分；多个间隔开的半导体集成电路，该多个间隔开的半导体集成电路安装在该电路板上并且电连接到该多个连接部分；保护层，该保护层设置在该半导体集成电路上，基本上围绕该半导体集成电路，并且具有平坦的上表面；以及散热铜层，该散热铜层设置在该保护层上，并且具有等于或大于约3微米的平均厚度，其中该保护层的平均厚度可等于或大于该多个间隔开的半导体集成电路的高度，该散热铜层可在长度和宽度上占据与该电路板基本相同的空间，并且该散热铜层可具有晶格参数小于约3.615埃的面心立方结构。
[0009]根据本专利技术的实施方案，可通过使用环氧树脂粘合剂层粘附散热层来降低产生粘合剂层的成本，并且可通过将具有较大厚度的散热层附接到电子组件来增加散热性。
附图说明
[0010]图1例示了根据本专利技术的一个实施方案的电子组件的示意性剖视图。
[0011]图2是根据本专利技术的另一个实施方案的电子组件的示意性剖视图。
[0012]图3是根据本专利技术的又一个实施方案的电子组件的示意性剖视图。
[0013]图4例示了相关技术中散热层的平均晶粒尺寸。
[0014]图5例示了根据本专利技术的一个实施方案的使用电沉积(ED)方法的散热层的平均晶粒尺寸。
[0015]图6例示了根据本专利技术的另一个实施方案的使用压延退火(RA)方法的散热层的平均晶粒尺寸。
[0016]图7例示了在相关技术中使用溅射法的散热层的生长方向和根据本专利技术的一个实施方案的散热层的生长方向之间的差异。
[0017]图8例示了根据相关技术中使用溅射法通过散热层散热的温度、以及根据本专利技术的一个实施方案通过散热层散热的温度。
具体实施方式
[0018]本专利技术的优点和特征以及用于实现它们的方法将通过下文参考附图详细描述的示例性实施方案得到更清楚的理解。然而，本专利技术不限于下文所阐述的实施方案，并且可以各种不同形式来体现。本实施方案仅是为了使本专利技术的公开内容完整，并且被阐述以向本专利技术所属
的普通技术人员提供对本专利技术范围的完整理解，并且本专利技术将仅由所附权利要求的范围来限定。
[0019]在描述本专利技术的实施方案时，当判断对其的详细描述可能不必要地使本专利技术的主旨不清楚时，将省略对已知功能或结构的详细描述。另外，作为考虑到本专利技术的实施方案中的功能而定义的术语，下文待描述的术语可根据用户或操作者的意图或通常的实践而变化。因此，这些术语需要基于贯穿说明书的内容来定义。
[0020]图1例示了根据本专利技术的一个实施方案的电子组件的示意性剖视图。
[0021]参考图1，电子组件200可包括电路板10、连接部分20、电子装置30、保护层40、散热层50和粘合剂层60。根据该实施方案，电子组件200可包括没有选择性提及的各种部件。也就是说，图1中所例示的电子组件200的剖视图仅是说明性的。
[0022]电路板10是被设置成使得可安装各种类型的部件的部件，并且根据一个实施方案可被认作衬底10。电路板10可包括印刷电路板(PCB)等。
[0023]连接部分20是具有导电性的部件。至少一个连接部分20可被包括或设置在电路板10内部或电路板10的表面上。设置(安装)在电路板10上的部件可通过包括或设置在电路板10中的连接部分20彼此交换信号。
[0024]当两个或更多个连接部分20被包括或设置在电路板10内部或电路板10的表面上时，连接部分20可彼此电隔离或连接。
[0025]电子装置30是被设计成执行各种功能的部件。电子装置30可包括半导体集成电路(半导体IC)或CMOS图像传感器。
[0026]电子装置30电连接到连接部分20(21)，并且可设置(安装)在电路板10(电路板10的上表面)上。当多个电子装置30设置在电路板10上时，多个电子装置30中的每个电子装置
可被设置成在电子装置30的空间上彼此间隔开。
[0027]当多个电子装置30设置在电路板10上并且两个或更多个连接部分20被包括或设置在电路板10内部或电路板10的表面上时，多个电子装置30中的每个电子装置可电连接到彼此不同的连接部分20，并且多个电子装置30中的一个或多个电子装置可电连接到两个或更多个连接部分20。
[0028]根据该实施方案，设置在电路板10上的多个电子装置30可具有彼此不同的类型、尺寸和/或功能。
[0029]保护层40可设置在电子装置30上，以基本上封装(即覆盖)电子装置30，从而保护电子装置30免受外部影响。在此，保护层40被“设置成封装”电子装置30的事实可意指保护层40被设置成围绕电子装置30的表面中除了与电路板10接触的表面(例如，电子装置30的下表面31)之外的剩余表面的一部分或全部。
[0030]保护层40的上表面可以是基本上平坦的。当多个电子装置30设置在电路板10上时，根据不同类型的电子装置30，电子装置30中的每个电子装置的高度可彼此不同。在这种情况下，由于保护层40被设置成基本上封装多个电子装置30，所以无论多个电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子组件，所述电子组件包括：电路板，所述电路板包括具有导电性的多个连接部分；多个间隔开的半导体集成电路，所述多个间隔开的半导体集成电路安装在所述电路板上并且电连接到所述多个连接部分；保护层，所述保护层设置在所述多个半导体集成电路上，基本上围绕所述半导体集成电路，并且具有平坦的上表面；以及散热铜层，所述散热铜层设置在所述保护层上，具有大于或等于约3微米的平均厚度、以及大于约0.15微米的平均晶粒尺寸，其中所述散热铜层在长度和宽度上占据与所述电路板基本相同的空间(共同延伸)，并且所述保护层的平均厚度等于或大于所述多个间隔开的半导体集成电路的高度。2.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述多个连接部分中的至少一些连接部分彼此电隔离。3.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述保护层基本上围绕所述多个间隔开的半导体集成电路中的每个半导体集成电路。4.根据权利要求1所述的电子组件，其中除了至少一个半导体集成电路的面向所述电路板的下表面之外，所述保护层基本上封装每个半导体集成电路。5.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述保护层的所述上表面与所述多个半导体集成电路中的至少一个半导体集成电路的上表面平齐，并且所述保护层封装除了所述多个半导体集成电路中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔志雄，徐政柱，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：