粗糙面压电性基板的制造方法技术

提供一种粗糙面压电性基板的制造方法，该方法即使在对具有解理面(2)的压电性基板(3)进行粗糙面化处理的情况下，也能够抑制在表面产生缺口。本发明专利技术的粗糙面压电性基板的制造方法包括：实施具有解理面(2)的压电性基板(3)的一个面的平坦加工的工序；和以使磨粒的入射方向与压电性基板(3)的解理面(2)构成的角度成为30

【技术实现步骤摘要】
粗糙面压电性基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及粗糙面压电性基板的制造方法，特别地涉及在通信用途的SAW设备中使用的钽酸锂和铌酸锂基板等粗糙面压电性基板的制造方法。

技术介绍

[0002]作为便携电话等的频率调整/选择用的零件，使用在钽酸锂(以下，LT)或铌酸锂(以下，LN)等压电基板上形成有用于激发弹性表面波的梳形电极(IDT)的弹性表面波(SAW)设备。
[0003]一直以来，作为SAW设备使用的LT或LN使用由IDT激励的弹性波的漏波来设计滤波器等，但漏波将弹性波能量的一部分作为体波在基板内一边泄漏一边前进。该体波从背面反射，从而有时作为不需要的响应而产生乱真(spurious)。
[0004]为了抑制该乱真，施行将背面粗糙面化以使从背面反射的体波分散的对策。
[0005]另外，关于近几年的通信规格，发送和接收的频带间隔变窄，且带宽变宽，进而变得要求低损耗特性或低高度化。采取如下的对策：不以压电基板单体使用，而是与硅或蓝宝石、石英等不同种类的基板接合，将压电基板或不同种类的基板薄化，从而特性提高或低高度化。
[0006]关于与不同种类的基板的接合，一般是使镜面彼此互相贴合的方法，但压电基板越薄，从贴合的界面反射的体波的影响就越大，存在作为乱真而使滤波特性劣化的问题。
[0007]为了抑制该乱真，还施行将界面粗糙面化以使从接合界面反射的体波分散的对策。(专利文献1)。
[0008]在先技术文献专利文献专利文献1：日本专利第6250856号。
专利技术内容
[0009]专利技术要解决的课题作为如此将压电性基板的背面或界面粗糙面化的方法，已知抛光处理或喷砂处理。
[0010]依据专利文献1，作为粗糙面化的方法，存在喷砂处理的记载，但没有该处理方法的详细记载。
[0011]在利用喷砂处理来将压电性基板粗糙面化的情况下，本专利技术的专利技术者们为了极力降低喷砂处理前的表面状态的影响，通过一次研磨加工来将处理面镜面化(算术平均粗糙度Ra≦1 nm)。随后，选择任意的磨粒、粒度(番手)、喷射压力来进行喷砂处理，以便成为期望的粗糙度。
[0012]例如，在对36
°
旋转Y切割LT基板的表面进行一次研磨且随后从与处理面垂直的方向进行喷砂处理的情况下，在表面各处可见与已粗糙面化的状态不同的缺口。在图6中示出
缺口部分的激光显微镜照片。
[0013]另外，确认到该缺口沿LT结晶的解理方向裂开。
[0014]在该LT基板的喷砂处理面成膜SiO2膜并对SiO2进行研磨之后，与Si基板接合。在接合之后，对LT基板侧进行磨削、研磨来制作接合基板。在LT研磨面侧制作IDT电极并且确认共振器特性的情况下，通常确认到，关于已粗糙面化的区域的共振特性，乱真被抑制，但是关于缺口部的共振特性，乱真大幅地恶化。如此，关于产生缺口的部分，乱真变大，还使滤波特性恶化，因而不优选。
[0015]因此，本专利技术的目的是提供一种粗糙面化方法，该方法即使在对具有解理面的压电性基板进行粗糙面化处理的情况下，也不会在表面产生缺口。
[0016]用于解决课题的方案本专利技术的专利技术者们发现，通过从自成为与结晶的解理面平行的方向起30
°
以下的范围喷射喷砂磨粒，能够抑制在表面产生的缺口。于是，本专利技术的专利技术者们完成了以下的粗糙面压电性基板的制造方法。
[0017](1)一种粗糙面压电性基板的制造方法，包括：实施具有解理面的压电性基板的一个面的平坦加工的工序；和以使磨粒的入射方向与前述压电性基板的解理面构成的角度成为30
°
以下的方式将磨粒喷射至前述一个面来实施前述一个面的粗糙面化处理的工序。
[0018](2)上述(1)中所记载的粗糙面压电性基板的制造方法，其特征在于，前述平坦加工包括抛光处理或磨削处理或研磨处理中的至少一个处理。
[0019](3)上述(1)或(2)中所记载的粗糙面压电性基板的制造方法，其特征在于，前述粗糙面化处理是喷砂处理。
[0020](4)上述(1)
‑
(3)中的任一个中所记载的粗糙面压电性基板的制造方法，其特征在于，前述磨粒是氧化铝。
[0021](5)上述(1)
‑
(4)中的任一个中所记载的粗糙面压电性基板的制造方法，其特征在于，前述压电性基板是钽酸锂。
[0022](6)上述(5)中所记载的粗糙面压电性基板的制造方法，其特征在于，前述压电性基板是36
°
以上、50
°
以下旋转Y切割基板。
[0023]专利技术的效果依据本专利技术，即使在对具有解理面的压电性基板进行粗糙面化处理的情况下，也能够抑制在表面产生缺口。通过使用根据本专利技术而制作的压电性基板，能够抑制滤波特性的恶化。
附图说明
[0024]图1是示出LT的结晶构造的图。
[0025]图2a)是示出42
°
旋转Y切割LT基板和结晶轴的图，图2b)是Y
‑
Z轴的截面图和示出解理面的图。
[0026]图3是喷砂处理方法的概略图。
[0027]图4(a)是示出36
°
旋转Y切割LT基板的喷砂处理的图，图4(b)是示出50
°
旋转Y切割LT基板的喷砂处理的图。
[0028]图5是喷砂装置内的俯视概略图。
[0029]图6(a)是缺口部的激光显微镜照片，图6(b)是示出高度分布图(
プロファイル
)的图。
具体实施方式
[0030]以下，对本专利技术的实施方式详细地进行说明，但本专利技术不限定于这些实施方式。本专利技术的一个实施方式涉及一种粗糙面压电性基板的制造方法，其包括具有解理面的压电性基板的粗糙面化处理。
[0031]作为本专利技术的一个实施方式的粗糙面压电性基板的制造方法中所使用的具有解理面的压电性基板，例如，存在LT基板。LT基板是将通过CZ(Czochralski)法来拉起的锭在优选36
°
以上、50
°
以下旋转Y切割的面方位切片加工而制作的基板。此外，本专利技术的粗糙面压电性基板的制造方法中所使用的具有解理面的压电性基板不限定于LT基板。例如，还能够使用铌酸锂基板。
[0032]实施如此得到的LT基板的一个面的平坦加工。平坦加工优选包括抛光处理、磨削处理和研磨处理中的至少一个处理。在平坦加工中，进行例如倒角、抛光处理、研磨处理等工序，将LT基板的直径、厚度和表面状态调整成既定直径、既定厚度和既定表面状态。例如，LT基板通过研磨处理来调整成算术平均粗糙度Ra为1 nm以下的表面状态。算术平均粗糙度Ra能够由例如AFM(原子间力显微镜)测定。
[0033]接着，使用该LT基板来对已实施平坦加工的表面进行粗糙面化处理。粗糙面化处理是喷砂处理。
[0034]图1表示单晶LT基板的结晶构造，LT基板采取三方晶的构造。图1是示出a1轴、a2轴、a3轴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种粗糙面压电性基板的制造方法，包括：实施具有解理面的压电性基板的一个面的平坦加工的工序；和以使磨粒的入射方向与所述压电性基板的解理面构成的角度成为30
°
以下的方式将磨粒喷射至所述一个面来实施所述一个面的粗糙面化处理的工序。2.根据权利要求1所述的粗糙面压电性基板的制造方法，其特征在于，所述平坦加工包括抛光处理、磨削处理和研磨处理中的至少一个处理。3.根据权利要求1或2所述的粗糙面压电性基板的制造方法，其特征在于，所述粗糙...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤公二，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：