层状结构制造技术

公开了层状结构。层状结构10包括：呈[100]晶体取向的基板；呈[111]取向的结晶方铁锰矿氧化物层14；以及与结晶方铁锰矿氧化物层在晶体学上匹配的含金属层16。有利地，可以在整个行业常用的基板上生长高质量的含金属层，这开启了集成和成本益处。启了集成和成本益处。启了集成和成本益处。

【技术实现步骤摘要】
层状结构


[0001]一种具体地但非排他性用于在Si(100)基板上生长III
‑
N材料或者用于在Si(100)基板上生长含金属材料的层状结构。

技术介绍

[0002]许多应用需要在其上要生长或放置一个或多个器件层的高质量III
‑
N层。例如，可以在氮化镓(GaN)层上外延生长射频(RF)开关，以便获得合适的性质。通常，在GaN层下方在基板上存在多个层。
[0003]为了外延生长，层的晶体结构必须与其下方的层匹配或兼容。每层的晶体排列由材料的最低能量状态和其下方的层的晶体取向规定。因此，对于同质外延(与前一层相同的材料的生长)，晶体取向将是相同的，而对于大多数异质外延(与前一层不同的材料的生长)，晶体取向也将是相同的。在后续层的晶体结构不同(例如，生长在立方体的硅上的六边形的GaN)的情况下，后续层以兼容晶体取向生长。因此，GaN在Si(111)上以极性[0001]取向进行生长，而在(110)稀土氧化物的前一层上以半极性[11
‑
20]取向进行生长。
[0004]先前已经确定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种层状结构(10)，包括：
·
呈[100]晶体取向或具有高达20
°
的错切的基板(12)；
·
呈[111]取向的结晶方铁锰矿氧化物层(14)，所述呈[111]取向的结晶方铁锰矿氧化物层(14)被定位、生长或沉积在基板(12)上的；以及
·
含金属层(16)，所述含金属层(16)与结晶方铁锰矿氧化物层(14)在晶体学上匹配。2.根据权利要求1所述的层状结构(10)，其中，基板(12)包括硅。3.根据权利要求1或权利要求2所述的层状结构(10)，其中，结晶方铁锰矿氧化物层(14)是外延的。4.根据任何前述权利要求所述的层状结构(10)，其中，结晶方铁锰矿氧化物层(14)是结晶稀土氧化物层(14)。5.根据任何前述权利要求所述的层状结构(10)，其中，结晶方铁锰矿氧化物层(14)是氧化钪Sc2O3。6.根据任何前述权利要求所述的层状结构(10)，其中，含金属层(16)是外延的。7.根据权利要求6所述的层状结构(10)，其中，含金属层(16)是III
‑
N材料、GaN、AlN或钼。8.根据权利要求1至5中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：IQE公开有限公司，
类型：发明
国别省市：