具有存储器发起的命令插入的存储器以及相关联系统、装置和方法制造方法及图纸

技术编号:35676145 阅读:18 留言:0更新日期:2022-11-23 14:14
本公开涉及具有存储器发起的命令插入的存储器以及相关联系统、装置和方法。在一个实施例中,存储器装置包括被配置成以操作方式连接到存储器控制器的命令插入端子。所述存储器装置可(i)识别可通过从所述存储器控制器接收命令来定址的条件,和(ii)经由所述命令插入端子输出所述命令或所述条件的指示以使得所述命令插入到所述存储器控制器的命令队列中。所述存储器装置可包含命令端子,所述存储器装置可在所述命令插入于所述命令队列中之后经由所述命令端子从所述存储器控制器接收所述命令。在一些实施例中,所述条件可为所述存储器装置的存储器区需要刷新循环,且所述命令可为对所述存储器区执行刷新循环的命令。对所述存储器区执行刷新循环的命令。对所述存储器区执行刷新循环的命令。

【技术实现步骤摘要】
具有存储器发起的命令插入的存储器以及相关联系统、装置和方法


[0001]本公开涉及存储器系统、装置和方法。特定来说,本公开涉及具有存储器发起的命令插入的存储器系统以及相关联系统、装置和方法。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛地用于存储与如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等的各种电子装置相关的信息。存储器装置频繁地经提供为计算机或其它电子装置中的内部、半导体集成电路和/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。包含静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器可能需要经施加功率的源维护其数据。相比之下,非易失性存储器即使在无外部供电时也可保持其所存储的数据。非易失性存储器可用于各种技术中,包含快闪存储器(例如,NAND和NOR)相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等。改进存储器装置通常可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度或以其它方式减少操作时延、提高可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本等。

技术实现思路

[0003]在一方面中,本公开提供一种存储器装置,其包括:命令插入端子,其被配置成以操作方式连接到存储器控制器,其中所述存储器装置被配置成:识别可通过从所述存储器控制器接收命令来定址的条件,和经由所述命令插入端子输出所述命令或所述条件的指示以使得所述命令插入到所述存储器控制器的命令队列中。<br/>[0004]在另一方面中,本公开提供一种操作存储器装置的方法,其包括:识别可通过从存储器控制器接收命令来定址的条件,和经由所述存储器装置的命令插入端子输出所述命令或所述条件的指示以使得所述命令插入到所述存储器控制器的命令队列中。
[0005]在又一方面中,本公开提供一种存储器系统,其包括:存储器控制器,其具有被配置成产生命令队列的存储器命令调度器;存储器装置,其具有命令插入端子;和命令插入信号迹线,其将所述存储器装置的所述命令插入端子以操作方式连接到所述存储器控制器的所述存储器命令调度器,其中所述存储器装置被配置成:识别可通过从所述存储器控制器接收命令来定址的条件,和经由所述命令插入端子和所述命令插入信号迹线将所述命令或所述条件的指示输出到所述存储器命令调度器,以使得所述命令插入到所述命令队列中。
附图说明
[0006]参考以下图式可更好地理解本公开的许多方面。附图中的组件不一定按比例。而是将重点放在清楚地展示本公开的原理。附图不应被视为将本公开限制于所描绘的特定实施例,而是仅用于解释和理解。
[0007]图1A是示意性地说明根据本专利技术技术的各种实施例经配置的存储器系统的框图。
[0008]图1B是示意性地说明根据本专利技术技术的各种实施例经配置的存储器系统的框图。
[0009]图2是说明根据本专利技术技术的各种实施例的用于将命令插入到存储器控制器的命令队列中的例程的流程图。
[0010]图3是说明根据本专利技术技术的各种实施例的用于将刷新操作和/或循环插入到存储器控制器的命令队列中的例程的流程图。
[0011]图4是包含根据本专利技术技术的各种实施例经配置的存储器装置或系统的系统的示意图。
具体实施方式
[0012]如下文更详细地论述,本文中所公开的技术涉及具有存储器发起的命令插入的存储器以及相关联系统、装置和方法。在一些实施例中,存储器系统包含命令插入信号迹线,其将存储器控制器(例如,存储器控制器的存储器命令调度器)以操作方式连接到存储器装置的命令插入端子。在操作中,存储器装置可(a)识别可通过存储器装置从存储器控制器接收命令来定址的条件,和/或(b)将所述命令发射到存储器控制器(经由命令插入端子和命令插入信号迹线)以用于插入到存储器控制器的命令队列中。继而,存储器控制器可例如经由将存储器控制器以操作方式连接到一或多个存储器装置的命令/地址和/或数据总线将所述命令发到存储器系统的一或多个存储器装置。响应于从存储器控制器接收到所述命令,存储器装置可转到执行所述命令(例如,以将所识别的条件定址)。本领域技术人员将理解,所述技术可具有额外实施例且所述技术可在没有下文参考图1A

4描述的实施例的数个细节的情况下实践。
[0013]在以下所说明的实施例中,主要在并入有DRAM存储媒体的装置的上下文中描述存储器装置和系统。然而,根据本专利技术技术的其它实施例配置的存储器装置可包含并入有其它类型的存储媒体的其它类型的存储器装置及系统,所述其它类型的存储媒体包含PCM、SRAM、FRAM、RRAM、MRAM、只读存储器(ROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEROM)、铁电、磁阻及其它存储媒体,包含非易失性、闪存(例如,NAND和/或NOR)存储媒体。
[0014]A.概述
[0015]多种存储器系统包含以控制器或处理器为中心的架构,这意指控制器或处理器发起控制器/处理器与以操作方式连接到控制器/处理器的一或多个存储器装置之间的通信。举例来说,在多种存储器系统中,存储器控制器经由命令/地址总线将命令发到存储器装置,且存储器装置通过执行所述命令来作出响应。因此,存储器装置大多时候是响应于其经由命令/地址总线从存储器控制器接收的通信。换句话说,存储器控制器可主要使用命令/地址总线发起与存储器装置的通信。换句话说,存储器装置发起经由命令/地址总线与存储器控制器通信的能力可为有限的。
[0016]在一些存储器系统中,存储器装置可与存储器控制器通信,但所述通信可为受限的。举例来说,一些存储器系统的存储器装置可将模式寄存器编程以将信息传送到存储器控制器。存储器控制器随后可从经编程存储器寄存器读取所述信息。然而,为读取经编程模式寄存器,存储器控制器需要命令/地址总线和/或数据总线的所有线空闲直到存储器控制器能够读取模式寄存器并且确定如何对所述通信作出响应。因为命令/地址总线和/或数据
总线对于存储器控制器来说必须是空闲的以读取模式寄存器,所以经由模式寄存器的通信通过占压这些总线而消耗大量有价值的系统带宽。
[0017]为了解决这些问题,本专利技术技术的存储器系统和装置可包含命令插入信号迹线,其将存储器装置的外部命令插入引脚以操作方式连接到存储器控制器(例如,存储器控制器的存储器命令调度器)。当存储器装置识别可通过存储器装置从存储器控制器接收命令来定址的条件时,存储器装置可将所述命令或所述条件的指示发射到存储器控制器(经由命令插入端子和命令插入信号迹线)以用于将所述命令插入到存储器控制器的命令队列中。继而,存储器控制器可例如经由将存储器控制器以操作方式连接到一或多个存储器装置的命令/地址和/或数据总线将所述命令发到存储器系统的一或多个存储器装置。响应于从存储器控制器接收到所述命令,存储器装置可转到执行所述命令(例如,以将所识别的条件定址)。
[0018]本专利技术技术的实施例因而可经由其它存储器系统提本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置,其包括:命令插入端子,其被配置成以操作方式连接到存储器控制器,其中所述存储器装置被配置成:识别能够通过从所述存储器控制器接收命令来定址的条件,和经由所述命令插入端子输出所述命令或所述条件的指示以使得所述命令插入到所述存储器控制器的命令队列中。2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中:所述存储器装置另外包括命令端子;且所述存储器装置被进一步配置成在经由所述命令插入端子输出所述命令或所述条件的指示之后,经由所述命令端子从所述存储器控制器接收所述命令。3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中:所述命令插入端子是第一命令插入端子;且所述存储器装置另外包括被配置成以操作方式连接到另一存储器装置的第二命令插入端子。4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述条件是(i)所述存储器装置确定将来自所述存储器装置的第一数据输出到所述存储器控制器,(ii)所述存储器装置确定从所述存储器控制器接收第二数据,(iii)所述存储器装置确定所述存储器装置需要训练,(iv)所述存储器装置确定所述存储器装置需要初始化,或(v)所述存储器装置确定所述存储器装置的存储器区需要刷新。5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述存储器装置被进一步配置成经由所述命令插入端子输出所述存储器区的存储器地址,以使得所述存储器装置响应于从所述存储器控制器接收到所述命令而对所述存储器区执行刷新循环或操作。6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置被进一步配置成经由所述命令插入端子输出所述存储器装置的识别符,以使得所述命令队列中所述命令基于所述识别符而以所述存储器装置为目标。7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置被进一步配置成存储表示所述存储器装置的存储器区被激活的次数的值。8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中:所述存储器区是第一存储器区;所述存储器装置被进一步配置成:确定所述值满足或超过阈值,识别所述存储器装置的第二存储器区的存储器地址,和响应于从所述存储器控制器接收到所述命令而对所述第二存储器区执行刷新循环或操作;且在所述存储器装置的存储器阵列中,所述第二存储器区与所述第一存储器区相邻。9.一种操作存储器装置的方法,其包括:识别能够通过从存储器控制器接收命令来定址的条件,和经由所述存储器装置的命令插入端子输出所述命令或所述条件的指示以使得所述命令插入到所述存储器控制器的命令队列中。
10.根据权利要求9所述的方法,其另外包括将所述命令插入到所述存储器控制器的所述命令队列中。11.根据权利要求9所述的方法,其另外包括在输出所述命令或所述条件的所述指示之后从所述存储器控制器接收所述命令。12.根据权利要求11所...

【专利技术属性】
技术研发人员:S
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1