一种输入耐高压的升降压电路制造技术

技术编号:35675278 阅读:14 留言:0更新日期:2022-11-23 14:12
一种输入耐高压的升降压电路,包括升降压控制芯片、储能电感、可充电电池及负载;升降压控制芯片包括输入高压隔离模块、升降压控制模块、电源端口VIN、电感端口LX、充电端口BAT、输出端口VOUT及接地端GND;其中,端口VIN接收电源的电压;储能电感连接在端口LX和端口BAT之间,可充电电池的正极接在端口BAT,可充电电池的负极连接地端GND,负载连接在VOUT端口和接地端GND之间;当端口VIN接收电源的电压高于升降压控制模块和负载的工作电压范围,或者当端口VIN接收电源的电压低于升降压控制模块和负载的工作电压范围,输入高压隔离模块把端口VIN与升降压控制模块及输出端口VOUT隔离开,即确保了升降压控制模块及负载不被损坏,且有效防止可充电电池给充电器倒充。效防止可充电电池给充电器倒充。效防止可充电电池给充电器倒充。

【技术实现步骤摘要】
一种输入耐高压的升降压电路


[0001]本专利技术属于照明电路
,涉及一种输入耐高压的升降压电路。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的不断发展,升降压的直流转换电源管理类产品得到广泛的发展和应用,实现了高效率的直流到直流电源转换,可以应用于各种电子类产品的使用环境及场合。
[0003]请参阅图1,图1所示为现有技术中升降压直流转换电路的连接示意图。如图1所示,控制芯片212共有5个端口VIN、端口LX、端口BAT、端口VOUT1及接地端GND。其中,输入电容102的正极及USB电源端口USB port与端口VIN连接,输入电容102的负极接地;储能电感104连接在端口LX和端口BAT之间,电池旁路电容105连接在端口BAT和接地端GND之间;可充电电池106的正极连接在端口BAT和接地端GND之间;端口输出电容107和电池负载108并接在端口VOUT1和接地端GND之间。
[0004]本领域技术人员清楚,在上述电路中,可以通过对端口VIN的电压值来判断直流转换模式,例如,降压或升压的直流转换模式。具体地,通过端口MODE模块401对端口VIN进行电压值判断选择电源转换模式时,可以分为如下几种情况:

. 当VIN≥4.7V时,USB port、端口VIN、开关PMOS晶体管404、续流NMOS晶体管405、电感104形成了同步降压的架构,对电池106进行开关型充电,同时也对端口VOUT1的电池负载提供电源能量;

. 当4.5≤VIN<4.7V时同步降压不工作,端口VIN仅给电池负载提供电源能量;

. 当VIN<4.5V时,开关NMOS晶体管405、续流PMOS晶体管404、储能电感104形成了同步升压的架构,对电池进行放电,给电池负载108提供电源能量。
[0005]然而,由于端口VIN与端口VOUT1及PMOS晶体管404均为直接连接,故无法实现路径管理,即当端口VIN<4.5V时,端口VIN也为负载消耗升压输出的功率,且PMOS晶体管404通常为低压5V管子,当端口VIN≥6.5V时,该芯片的端口VIN无法承受这样的高压。

技术实现思路

[0006]为解决的上述技术问题,本专利技术提出一种输入耐高压的升降压电路,其利用源漏极耐高压的NMOS晶体管把输入端与升降压部分隔离开,实现输入端耐高压及电源转换的路径管理。
[0007]为实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:一种输入耐高压的升降压电路,包括升降压控制芯片、储能电感、可充电电池及负载;其特征在于,所述的升降压控制芯片包括输入高压隔离模块、升降压控制模块、电源端口VIN、电感端口LX、充电端口BAT、输出端口VOUT及接地端GND;其中,所述端口VIN接收电源的电压;所述储能电感连接在所述端口LX和所述端口BAT之间,所述可充电电池的正极接在所述端口BAT,所述可充电电池的负极连接地端GND,所述负载连接在所述VOUT端口和接地
端GND之间;所述升降压控制模块包括模式选择器,所述模式选择器用于根据所述电源端口VIN的输入电压进行电源路径的管理选择;当VIN≥V2时,在含有所述储能电感的回路中形成同步降压回路,对可充电电池进行开关型充电,同时也对所述负载提供电源能量;当V1≤VIN<V2时,所述同步降压回路不工作,所述电源端口VIN仅给所述负载提供电源能量;当VIN<V1时,在含有所述储能电感的回路中形成同步升压回路,对所述可充电电池进行放电,给所述负载提供电源能量;其中,V1小于V2,所述升降压控制模块及负载的工作电压为V3,V3大于V2;当VIN≥V4或VIN<V1时,所述输入高压隔离模块,用于将所述电源端口VIN与所述升降压控制模块及所述输出端口VOUT隔离开;其中,V3<V4。
[0008]进一步地,所述的高压隔离模块包括NMOS隔离管、电源调整器及电荷泵;其中,所述NMOS隔离管的漏极连接到所述端口VIN,其源极连接到所述端口VOUT,其栅极连接到所述电荷泵的输出;所述电源调整器的输入连接到端口VIN,其输出作为电源供给所述电荷泵;所述电荷泵的输入连接到所述电源调整器的输出,其输出连接到NMOS隔离管的栅极。
[0009]进一步地,所述高压隔离模块包括电源调整器、栅极钳位齐纳二极管、PMOS隔离管、第一衬底切换二极管和第二衬底切换二极管;其中,所述PMOS隔离管的源极连接到端口VIN,其漏极连接到端口VOUT,其栅极连接到所述电源调整器的输出节点ENB;所述电源调整器的输入连接到端口VIN,其输出连接到输出节点ENB;所述栅极钳位齐纳二极管的阳极连接到输出节点ENB,其阴极连接到PMOS隔离管的源极;所述第一衬底切换二极管的阳极连接到端口VIN,其阴极连接到所述PMOS隔离管的衬底;所述第二衬底切换二极管的阳极连接到VOUT,其阴极连接到所述PMOS隔离管的衬底。
[0010]进一步地,所述的所述升降压控制模块包括PMOS管、NMOS管、模式选择器、衬底选择器、升降压控制器;其中,PMOS管的源极连接到VOUT,其漏极连接到LX,其栅极连接到升降压控制器的VPG输出端;NMOS管的源极连接到地,其漏极连接到LX,其栅极连接到升降压控制器的VNG输出端;模式选择器的输入连端连接到VIN,其输出端连接到升降压控制器的输入端VMOD;衬底选择器的两个输入端分别为VOUT及BAT,输出端为VSUB连接到升降压控制器的输入端;升降压控制器的4个输入分别为VOUT、VMOD、VSUB及BAT,两个输出分别为VPG及VNG。
[0011]进一步地,所述的V1为4.5伏,V2为4.7伏,V3为5伏和V4为6.5伏。
[0012]进一步地,所述的输入耐高压的升降压电路,其还包括输入电容,所述的第一电容连接在所述端口VIN和接地端GND之间。
[0013]进一步地,所述的输入耐高压的升降压电路,其还包括电池旁路电容,所述的电池旁路连接在所述可充电电池和接地端GND之间。
[0014]进一步地,所述的输入耐高压的升降压电路,其还包括输出电容,所述的输出电容连接在所述负载的两端。
[0015]从上述技术方案可以看出,本专利技术的基于上述电路的一种输入耐高压的升降压电路,具有如下有益效果:

. 该升降压电路可以实现输入端耐高压;

. 该升降压电路通过精确的电源路径管理,提高该升降压电路的输出转换效果。
附图说明
[0016]图1所示为现有技术中升降压直流转换电路的连接示意图;图2所示为本专利技术实施例中输入耐高压的升降压电路示意图;图3所示为本专利技术实施例中输入高压隔离模块的示意图;图4所示为本专利技术实施例中电源路径管理的示意图。
[0017]元件标号说明101
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控制芯片102
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输入电容104
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储能电感105
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电池旁路电容106
ꢀ本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输入耐高压的升降压电路,包括升降压控制芯片、储能电感、可充电电池及负载;其特征在于,所述的升降压控制芯片包括输入高压隔离模块、升降压控制模块、电源端口VIN、电感端口LX、充电端口BAT、输出端口VOUT及接地端GND;其中,所述端口VIN接收电源的电压;所述储能电感连接在所述端口LX和所述端口BAT之间,所述可充电电池的正极接在所述端口BAT,所述可充电电池的负极连接地端GND,所述负载连接在所述VOUT端口和接地端GND之间;所述升降压控制模块包括模式选择器,所述模式选择器用于根据所述电源端口VIN的输入电压进行电源路径的管理选择;当VIN≥V2时,在含有所述储能电感的回路中形成同步降压回路,对可充电电池进行开关型充电,同时也对所述负载提供电源能量;当V1≤VIN<V2时,所述同步降压回路不工作,所述电源端口VIN仅给所述负载提供电源能量;当VIN<V1时,在含有所述储能电感的回路中形成同步升压回路,对所述可充电电池进行放电,给所述负载提供电源能量;其中,V1小于V2,所述升降压控制模块及负载的工作电压为V3,V3大于V2;当VIN≥V4或VIN<V1时,所述输入高压隔离模块,用于将所述电源端口VIN与所述升降压控制模块及所述输出端口VOUT隔离开;其中,V3<V4。2.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,所述的高压隔离模块包括NMOS隔离管、电源调整器及电荷泵;其中,所述NMOS隔离管的漏极连接到所述端口VIN,其源极连接到所述端口VOUT,其栅极连接到所述电荷泵的输出;所述电源调整器的输入连接到端口VIN,其输出作为电源供给所述电荷泵;所述电荷泵的输入连接到所述电源调整器的输出,其输出连接到NMOS隔离管的栅极。3.根据权利要求1所述的输入耐高压的升降压电路,其特征在于,所述高压隔离模块包括电源调整器、栅极钳位齐纳二极管、PMOS隔离管...

【专利技术属性】
技术研发人员:班福奎
申请(专利权)人:上海裕芯电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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