手指式半导体电容阵列布局制造技术

一种手指式半导体电容阵列布局包含一第一导电结构与一第二导电结构。该第一导电结构包含多个纵向第一导电条与多个横向供电条。该第二导电结构包含多个纵向第二导电条与P个横向供电条，该P为正整数。该多个纵向第一导电条与该多个纵向第二导电条交替地设置于一第一积体电路层上，且包含一第一排导电条与一第二排导电条。该多个横向供电条设置于一第二积体电路层上，并经由通孔耦接该第一排导电条与该第二排导电条。该P个横向供电条位于该第二积体电路层或一第三积体电路层上，且该P个横向供电条的一第一电容群供电条经由K个通孔耦接该多个纵向第二导电条的K个第二导电条，该K为正整数。正整数。正整数。

【技术实现步骤摘要】
手指式半导体电容阵列布局


[0001]本专利技术是关于半导体电容阵列布局，尤其是关于手指式半导体电容阵列布局。

技术介绍

[0002]一般的半导体积体电路通常为多层结构，一传统的半导体电容阵列通常位于该多层结构的一单一金属层中，该半导体电容阵列通常包含平行的多排电容单元包括相邻的一第一排电容单元与一第二排电容单元。为了避免该第一排电容单元的上极板(下极板)与该第二排电容单元的下极板(上极板)的走线共同地形成寄生电容而使得电容值不精准(其中该第一排电容单元的上极板(下极板)与该走线平行，故它们相对应的面积较大)，该第一排电容单元与该第二排电容单元之间的间距要拉大，但这会浪费电路面积。
[0003]另外，某些半导体电容阵列的电容单元的设计如图1a所示，其中上极板110为一U形结构(包含纵向结构与横向结构)，下极板120为一条形结构。相较于一般成熟制程，在某些先进制程(例如：鳍式场效电晶体(FinFET)制程)中，该U形结构之横向部分的宽度“W”与纵向部分的长度“L”的比例(W/L)会较大，以符合该先进制程的规范，如图1b所示。由于一半导体电容阵列通常包含大量的电容单元，若该些电容单元之U形结构的比例(W/L)均放大，整体而言该半导体电容阵列会耗用大量的电路面积。请注意，图1a至图1b是用来显示该U形结构的比例变化，而非该U形结构的实际大小。

技术实现思路

[0004]本公开的目的之一在于提供一种手指式半导体电容阵列布局，以避免先前技术的问题。
[0005]本公开的手指式半导体电容阵列布局的一实施例包含一第一导电结构与一第二导电结构。该第一导电结构包含多个纵向第一导电条与多个横向供电条。该第二导电结构包含多个纵向第二导电条与P个横向供电条，该P为正整数。
[0006]上述实施例中，该多个纵向第一导电条位于一第一积体电路层上，包含M个第一排第一导电条与M个第二排第一导电条。该M个第一排第一导电条形成(M
‑
1)个第一间隙；该M个第二排第一导电条形成(M
‑
1)个第二间隙，该M为大于一的整数。该多个横向供电条位于一第二积体电路层上，用于一第一参考电压的传输，并包含一第一供电条与一第二供电条。该第一供电条经由M个第一排通孔(via)分别地耦接该M个第一排第一导电条；该第二供电条经由M个第二排通孔分别地耦接该M个第二排第一导电条。
[0007]前述实施例中，该多个纵向第二导电条位于该第一积体电路层上，包含(M
‑
1)个第二导电条。该(M
‑
1)个第二导电条的每一个包含相连的一第一部分与一第二部分，因此，该(M
‑
1)个第二导电条包含(M
‑
1)个第一部分与(M
‑
1)个第二部分。该(M
‑
1)第一部分分别位于该(M
‑
1)个第一间隙间，且与该M个第一排第一导电条在电性上隔绝，以形成(M
‑
1)个电容单元；该(M
‑
1)第二部分分别位于该(M
‑
1)个第二间隙间，且与该M个第二排第一导电条在电性上隔绝，以形成另外的(M
‑
1)个电容单元。该(M
‑
1)个第二导电条用于一第二参考电压的传
输，该第二参考电压异于该第一参考电压。该(M
‑
1)个第二导电条中的K个第二导电条属于该手指式半导体电容阵列布局的P个电容群中的一第一电容群，该K为不大于(M
‑
1)的正整数，该P为正整数。该P个横向供电条位于该第二积体电路层或一第三积体电路层上，包含一第一电容群供电条，该第一电容群供电条经由K个通孔分别地耦接该K个第二导电条。
[0008]本公开的手指式半导体电容阵列布局的另一实施例包含一第一导电结构与一第二导电结构。该第一导电结构包含多个纵向第一导电条与多个横向供电条。该多个纵向第一导电条设置于一第一积体电路层上，并包含一第一排导电条与一第二排导电条。该多个横向供电条设置于一第二积体电路层上，并包含一第一供电条与一第二供电条。该第二导电结构包含多个纵向第二导电条与P个横向供电条。该多个纵向第二导电条设置于该第一积体电路层上。该P个横向供电条位于该第二积体电路层或一第三积体电路层上，该P为正整数。该多个纵向第一导电条与该多个纵向第二导电条交替地(alternately)设置于该第一积体电路层上。该第一供电条经由多个第一通孔耦接该第一排导电条，该第二供电条经由多个第二通孔耦接该第二排导电条。该P个横向供电条的一第一电容群供电条经由K个第三通孔耦接该多个纵向第二导电条的K个第二导电条，该K为正整数。
[0009]有关本专利技术的特征、实作与功效，兹配合附图作优选实施例详细说明如下。
附图说明
[0010]图1a显示先前技术的一电容单元的设计；
[0011]图1b显示图1a的电容单元的设计的变形以符合先进制程的规范；以及
[0012]图2显示本专利技术的手指式半导体电容阵列布局的一实施例。
具体实施方式
[0013]本公开的手指式半导体电容阵列布局除能减少先前技术的寄生电容问题，也能避免先前技术的U形结构在先进制程下所带来的问题。
[0014]图2显示本公开的手指式半导体电容阵列布局的一实施例。图2的手指式半导体电容阵列布局200包含一第一导电结构与一第二导电结构。该第一导电结构包含多个纵向第一导电条(亦即：图2中带斜线及反斜线的纵向长条202)与多个横向供电条(亦即：图2中灰色的横向长条210、220)。该第二导电结构包含多个纵向第二导电条(亦即：图2中带网点的纵向长条204)与P个横向供电条(亦即：图2中白色的横向长条240、250、260)，其中该P为正整数。
[0015]本实施例中，手指式半导体电容阵列布局200包含于一积体电路结构中，该积体电路结构包含一基底(substrate)以及位于该基底之上的多个积体电路层，该第一导电结构作为一上极板，该第二导电结构作为一下极板；然而，在实施为可能的前提下，该第一导电结构与该第二导电结构可分别作为一下极板与一上极板。
[0016]请参阅图2。该多个纵向第一导电条位于一第一积体电路层(例如：第N金属层，该N为正整数)上，包含M个第一排第一导电条(亦即：图2中带斜线的纵向长条202)与M个第二排第一导电条(亦即：图2中带反斜线的纵向长条202)。该M个第一排第一导电条的任一个在一纵向上的一中心位置大于该M个第二排第一导电条的任一个在该纵向上的一中心位置；举例而言，于图2中，该M个第一排第一导电条位于上方位置，而该M个第二排第一导电条位于
下方位置。该M个第一排第一导电条形成(M
‑
1)个第一间隙；该M个第二排第一导电条形成(M
‑
1)个第二间隙，该M为大于一的整数。
[0017]请参阅图2。该多个横向供电条(亦即：图2中灰色的横向长条210、220)位于一第二积体电路层(例如：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种手指式半导体电容阵列布局，包含：一第一导电结构，包含：多个纵向第一导电条，位于一第一积体电路层上，该多个纵向第一导电条包含M个第一排第一导电条与M个第二排第一导电条，该M个第一排第一导电条形成M
‑
1个第一间隙，该M个第二排第一导电条形成M
‑
1个第二间隙，该M为大于一的整数；以及多个横向供电条，位于一第二积体电路层上，该多个横向供电条用于一第一参考电压的传输，并包含一第一供电条与一第二供电条，该第一供电条经由M个第一排通孔分别地耦接该M个第一排第一导电条，该第二供电条经由M个第二排通孔分别地耦接该M个第二排第一导电条；一第二导电结构，包含：多个纵向第二导电条，位于该第一积体电路层上，该多个纵向第二导电条包含M
‑
1个第二导电条，该M
‑
1个第二导电条的每一个包含相连的一第一部分与一第二部分，该M
‑
1个第二导电条包含M
‑
1个第一部分与M
‑
1个第二部分，该M
‑
1个第一部分分别位于该M
‑
1个第一间隙间，且与该M个第一排第一导电条在电性上隔绝，该M
‑
1个第二部分分别位于该M
‑
1个第二间隙间，且与该M个第二排第一导电条在电性上隔绝，该M
‑
1个第二导电条用于一第二参考电压的传输，该第二参考电压异于该第一参考电压，该M
‑
1个第二导电条中的K个第二导电条属于该手指式半导体电容阵列布局的P个电容群中的一第一电容群，该K为不大于M
‑
1的正整数，该P为正整数；以及P个横向供电条，位于该第二积体电路层或一第三积体电路层上，该P个横向供电条包含一第一电容群供电条，该第一电容群供电条经由K个通孔分别地耦接该K个第二导电条。2.根据权利要求1所述的手指式半导体电容阵列布局，其中该第一电容群包含2K个电容单元。3.根据权利要求1所述的手指式半导体电容阵列布局，其中该M
‑
1个第二导电条的每一个的长度长于该M个第一排第一导电条的每一个的长度，也长于该M个第二排第一导电条的每一个的长度。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄诗雄，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：