一种氧化铝靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种氧化铝靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)球磨混合氧化铝与助磨剂，得到球磨氧化铝；(2)步骤(1)所得球磨氧化铝经第一装模与压坯，取出后静置，得到氧化铝坯料；(3)步骤(2)所得氧化铝坯料依次经真空热压烧结与气氛烧结，得到氧化铝靶坯；(4)步骤(3)所得氧化铝靶坯进行机加工，得到所述氧化铝靶材。本发明专利技术通过将氧化铝原料球磨获得球状粉末，采用真空热压烧结与气氛烧结相结合的烧结工艺，搭配合理的烧结工艺参数，制得的氧化铝靶材具有较高的致密度与纯度，能够满足磁控溅射对靶材的纯度、致密度要求。求。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铝靶材及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于溅射靶材
，涉及一种靶材及其制备方法与应用，具体涉及一种氧化铝靶材及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]靶材作为一种重要的镀膜材料，广泛应用于集成电路、平面显示、以及光学器件等领域。靶材的制备方法包括熔炼法和粉末冶金法，其中，粉末冶金法可以直接制成多孔、半致密或全致密的制品，所得制品具有独特的化学组成、机械以及物理性能，因此粉末冶金技术成为目前制备靶材的主要制备方法。为了保证靶材磁控溅射时性能稳定，对靶材的致密度、纯度提出了较高的要求。
[0003]CN 1326909A公开了一种用于制造透明导电薄膜的溅射用高密度氧化铟锡(ITO)靶材及其制造方法，其特征为：具有较高的密度，相对密度大于98％；成分均匀。其采用金属铟和金属锡为原料，用化学共沉淀法制造ITO粉，然后将ITO粉经热压成型，得到的压块经加工研磨后，制成ITO靶材。该专利技术提供的靶材密度较大，但进行化学沉淀处理后其纯度会有所下降。
[0004]CN 104946950A提供了一种钒钨合金靶材及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化铝靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)球磨混合氧化铝与助磨剂，得到球磨氧化铝；(2)步骤(1)所得球磨氧化铝经第一装模与压坯，取出后静置，得到氧化铝坯料；(3)步骤(2)所得氧化铝坯料依次经真空热压烧结与气氛烧结，得到氧化铝靶坯；(4)步骤(3)所得氧化铝靶坯进行机加工，得到所述氧化铝靶材；步骤(3)所述真空热压烧结包括依次进行的第一热处理、第二热处理以及热压处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述氧化铝与助磨剂的质量比为1:(1
‑
3)；优选地，步骤(1)所述氧化铝的粒径≤10μm；优选地，步骤(1)所述氧化铝的纯度≥99.99wt％；优选地，步骤(1)所述助磨剂包括乙醇。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述球磨混合的料球质量比为(2
‑
5):1；优选地，步骤(1)所述球磨混合后氧化铝的中值粒径D50为3
‑
6μm。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述压坯的压力为30
‑
45MPa；优选地，步骤(2)所述压坯的保压时间为2
‑
8min；优选地，步骤(2)所述静置的温度为20
‑
30℃；优选地，步骤(2)所述静置的时间为10
‑
24h。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述真空热压烧结包括依次进行的第二装模、抽真空、第一热处理、第二热处理、热压处理、卸压与冷却；优选地，所述抽真空至绝对真空度≤50Pa；优选地，所述抽真空后通入惰性气体至真空表读数为
‑
0.088MPa至
‑
0.092MPa；优选地，所述惰性气体包括氩气；优选地，所述通入惰性气体的同时进行第一热处理；优选地，所述第一热处理的步骤包括：以5
‑
10℃/min的速率升温至600
‑
800℃，保温1
‑
3h；优选地，所述第二热处理的步骤包括：以1
‑
5℃/min的速率升温至900
‑
1150℃，保温至热压处理结束；优选地，所述热压处理的步骤包括：以1
‑
3T/min的速率升压至30
‑
45MPa，900
‑
1150℃下保温保压0.5
‑
2h；优选地，所述卸压至绝对压力为0
‑
0.02MPa；优选地，所述冷却的步骤包括：随炉冷却至温度＜100℃，取出模具并晾至室温。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，周友平，杨慧珍，廖培君，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：