协调器保护电路及协调器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种协调器保护电路及协调器，包括：第一稳压管，连接协调器中储能电容的输出端；第一晶体管，其栅极连接所述第一稳压管，所述第一晶体管的源极接地，所述第一稳压管与所述第一晶体管之间还连接有第一分压电阻；第二晶体管，其源极接地，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的栅极与所述储能电容的输出端之间还连接有第二分压电阻；第三晶体管，其栅极连接所述储能电容的输出端，所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接。本实用新型专利技术通过增设所述协调器保护电路，使得在所述协调器接线错误串入高压电流时，协调器不会直接损坏，重新接入正确电源时，能够恢复正常工作。能够恢复正常工作。能够恢复正常工作。

【技术实现步骤摘要】
协调器保护电路及协调器


[0001]本技术涉及协调器
，尤其是指一种协调器保护电路及协调器。

技术介绍

[0002]协调器是目前较为常用的一个电子设备，在实际安装协调器时，通常每个协调器之间安装间隔30
‑
50米，多个协调器的供电电源，并接在24V电源上，其中包括其他型号的电气设备，如PLC风机控制器设备，在安装时，强电和弱电集中在一个配电箱内，很容易在接线时接错，出现高压用电设备损坏的现象，导致串入高压至协调器，以至协调器出现损坏，使得在安装协调器时，造成经济损失，成本较大。

技术实现思路

[0003]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中强电和弱电集中在一个配电箱内，很容易在接线时接错，出现高压用电设备损坏的现象，导致串入高压至协调器，以至协调器出现损坏，使得在安装协调器时，造成经济损失，成本较大的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供了一种协调器保护电路，包括：
[0005]第一稳压管，所述第一稳压管连接协调器中储能电容的输出端；
[0006]第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述第一稳压管，所述第一晶体管的源极接地，所述第一稳压管与所述第一晶体管之间还连接有第一分压电阻；
[0007]第二晶体管，所述第二晶体管的源极接地，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的栅极与所述储能电容的输出端之间还连接有第二分压电阻；
[0008]第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述储能电容的输出端，所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接。
[0009]在本技术的一个实施例中，所述第一稳压管与所述第一晶体管之间还连接有第一限流电阻。
[0010]在本技术的一个实施例中，所述第二晶体管的栅极与所述储能电容的输出端之间还连接有第二限流电阻。
[0011]在本技术的一个实施例中，所述第二晶体管的栅极还连接有延时电容。
[0012]在本技术的一个实施例中，所述延时电容与第二晶体管的栅极之间连接有第四限流电阻。
[0013]在本技术的一个实施例中，所述第四限流电阻与所述第二晶体管的栅极之间连接有第二稳压管。
[0014]在本技术的一个实施例中，所述第一分压电阻与所述第一晶体管的栅极之间还连接有第三稳压管。
[0015]在本技术的一个实施例中，还包括发光二极管，所述发光二极管的输入端连接所述第一稳压管。
[0016]在本技术的一个实施例中，所述发光二极管与所述第一稳压管之间连接有第五限流电阻。
[0017]在本技术还提供一种协调器电路，包括上述的协调器保护电路。
[0018]本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0019]本技术通过增设所述协调器保护电路，使得在所述协调器接线错误串入高压电流时，协调器不会直接损坏，重新接入正确电源时，能够恢复正常工作。
附图说明
[0020]为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中
[0021]图1是本技术中协调器保护电路的结构示意图。
[0022]说明书附图标记说明：第一晶体管T1；第二晶体管T2；第三晶体管T3；第一稳压管D1；第二稳压管D2；第三稳压管D3；第一分压电阻R1；第二分压电阻R2；第一限流电阻R3；第二限流电阻R4；第三限流电阻R5；第四限流电阻R6；第五限流电阻R7；储能电容C1；延时电容C2；发光二极管D。
具体实施方式
[0023]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。
[0024]参照图1所示，本技术的协调器保护电路，包括：第一稳压管D1，所述第一稳压管D1连接协调器中储能电容C1的输出端；第一晶体管T1，所述第一晶体管T1的栅极连接所述第一稳压管D1，所述第一晶体管T1的源极接地，所述第一稳压管D1与所述第一晶体管T1之间还连接有第一分压电阻R1；第二晶体管T2，所述第二晶体管T2的源极接地，所述第二晶体管T2的栅极与所述第一晶体管T1的漏极连接，所述第二晶体管T2的栅极与所述储能电容C1的输出端之间还连接有第二分压电阻R2；第三晶体管T3，所述第三晶体管T3的栅极连接所述储能电容C1的输出端，所述第三晶体管T3的栅极与所述第二晶体管T2的漏极连接。其中，所述第一晶体管T1和第二晶体管T2均为NMOS管，所述第三晶体管T3为PMOS管，当所述协调器外部接线端子，接错线，以至接入220V高压交流电时，经过协调器电路整流桥，转换成高压直流电输入至所述的协调器保护电路，由于此时电压高于所述第一稳压管D1的稳压值，故所述第一稳压管D1被击穿，电压经过所述第一分压电阻R1降压后，使得所述第一晶体管T1的栅极为高电平，故所述第一晶体管T1导通，此时，所述第二分压电阻R2处的电压被所述第一晶体管T1短接到地，即所述第二分压电阻R2处的电压为0，此时，所述第二晶体管T2的栅极为低电平，所述第二晶体管T2截止，此时，所述第二晶体管T2的漏极端为高电平，故所述第三晶体管T3为截止状态，从而切断后续供电，对协调路的电路起到保护作用。当外部接线端子重新接入正确的24V电源时，其电压值未大于所述第一稳压管D1的稳压值，故所述第一晶体管T1的输入端没有电压，即所述第一晶体管T1的栅极为低电平，所述第一晶体管T1处于截止状态，24V电源经所述第二分压电阻R2降压后，所述第二晶体管T2的栅极为高电平，此时所述第二晶体管T2导通，所述第二晶体管T2的漏极端为低电平，所述第三晶体管T3导通，确保后续电路的供电。本技术通过增设所述协调器保护电路，使得在所述协调器
接线错误串入高压电流时，协调器不会直接损坏，重新接入正确电源时，能够正常工作。
[0025]具体地，本实施例中，所述第一稳压管D1与所述第一晶体管T1之间还连接有第一限流电阻R3，由于协调器电路接线后，流入的电流，可能过大，故通过所述第一限流电阻R3，限制电流的大小，以对所述第一晶体管T1起到保护作用。同样地，所述第二晶体管T2的栅极与所述储能电容C1的输出端之间还连接有第二限流电阻R4，通过所述第二限流电阻R4对所述第二晶体管T2起到保护作用。所述第三晶体管T3的栅极与所述协调器的输出端之间还连接有第三限流电阻R5。
[0026]具体地，本实施例中，所述第二晶体管T2的栅极还连接有延时电容C2，当外部接线端子重新接入正确的24V电源时，会首先对所述延时电容C2充点，通过所述延时电容C2使得断电后，能够对后续电路进行一定时间的维持。所述延时电容C2与第二晶体管T2的栅极之间连接有第四限流电阻R6，同样地，由于接入的电流可能过大，故本实施例中，通过所述第四限流电阻R6对所述第二晶体管T2起到保护作用。
[0027本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种协调器保护电路，其特征在于：包括，第一稳压管，所述第一稳压管连接协调器中储能电容的输出端；第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述第一稳压管，所述第一晶体管的源极接地，所述第一稳压管与所述第一晶体管之间还连接有第一分压电阻；第二晶体管，所述第二晶体管的源极接地，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的栅极与所述储能电容的输出端之间还连接有第二分压电阻；第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述储能电容的输出端，所述第三晶体管的栅极与所述第二晶体管的漏极连接。2.根据权利要求1所述的一种协调器保护电路，其特征在于：所述第一稳压管与所述第一晶体管之间还连接有第一限流电阻。3.根据权利要求1所述的一种协调器保护电路，其特征在于：所述第二晶体管的栅极与所述储能电容的输出端之间还连接有第二限流电阻。4.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翼，姚相东，
申请(专利权)人：苏州赫里奥网络技术有限公司，
类型：新型
国别省市：