基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片制造技术

技术编号:35622037 阅读:17 留言:0更新日期:2022-11-16 15:59
本实用新型专利技术提供一基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,所述基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片包括两反相输出引脚、一差分振荡电路和一相位变换器,其中一所述反相输出引脚被电性连接于所述差分振荡电路,以输出所述差分振荡电路输出的激励信号,其中所述相位变换器被电性连接于另一所述反相输出引脚和所述差分振荡电路之间,以对所述差分振荡电路输出的所述激励信号移相180

【技术实现步骤摘要】
基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片


[0001]本技术涉及多普勒微波探测领域,特别涉及一种基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片。

技术介绍

[0002]随着物联网技术的发展,人工智能、智能家居、以及智能安防技术对于环境探测,特别是对于人的存在、移动以及微动的动作特征的探测准确性的需求越来越高,只有获取足够稳定的探测结果,才能够为智能终端设备提供准确的判断依据。其中基于多普勒效应原理的微波探测技术作为人与物,物与物之间相联的重要枢纽在行为探测和存在探测技术中具有独特的优势,其能够在不侵犯人隐私的情况下,探测出活动物体,比如人的动作特征、移动特征、以及微动特征,甚至是人的心跳和呼吸特征信息,因而具有广泛的应用前景。具体地,相应微波探测器被一激励信号馈电而发射对应所述激励信号的频率一微波波束至所述目标空间,进而于所述目标空间形成一探测区域,和接收所述微波波束被所述探测区域内的相应物体反射形成的一反射回波而传输对应所述反射回波频率的一回波信号至一混频检波单元,其中所述混频检波单元混频所述激励信号和所述回波信号而输出对应于所述激励信号和所述回波信号之间的频率/相位差异的一多普勒中频信号,其中基于多普勒效应原理,在反射所述微波波束的所述物体处于运动的状态时,所述回波信号与所述激励信号之间具有一定的频率/相位差异而于所述多普勒中频信号呈现相应的幅度波动以反馈人体活动。
[0003]其中微波探测器的工作离不开输出所述激励信号的微波压控振荡器,目前市场上常见的微波压控振荡器有环形压控振荡器,LC压控振荡器和压控振荡器 VCO,这类微波压控振荡器能够在被供电状态下输出单路所述激励信号对相应的微波探测器进行馈电,因而这类微波压控振荡器无法实现对相应的微波振荡器进行差分馈电,导致其应用范围有限,无法满足相应的使用需求。

技术实现思路

[0004]本技术的一个目的在于提供一基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其用以一微波探测装置,并适于输出相差趋于180
°
的两路激励信号,以实现对相应的天线趋于180
°
的相差馈电,在保障微波波束的稳定发射的状态降低相应的天线的最小发射功率极值,从而有利于在降低相应的天线的发射功率至小于等于0dBm或更低的状态保障微波波束的稳定发射,从而有利于所述微波探测装置通过降低天线的发射功率的方式,降低相应的微波波束和反射回波的信号强度,即降低相应的微波波束和反射回波的电磁能量密度,进而能够利用通信装置自带的底噪抑制机制,避免对相应通信装置造成干扰而能够降低甚至解除安装环境内的通信装置的安装位置对相应的的微波探测装置于相应安装环境的安装位置的限制。
[0005]本技术的一个目的在于提供一基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,
其中所述基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片以集成电路形态被设置并具有两反相输出引脚,并能够于两所述反相输出引脚输出相位相差趋于 180
°
的所述激励信号。
[0006]本技术的一个目的在于提供一基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其中所述基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片包括一差分振荡电路和一相位变换器,所述差分振荡电路具有两N沟道MOS管,两P沟道MOS管,一等效振荡电感以及一等效振荡电容,其中两所述N沟道MOS管的源极电性相连并适于被电性连接于内部电源,两所述P沟道MOS的源极电性相连并被电性连接于内部地,两所述N沟道MOS管的两漏极分别被电性连接于不同所述P沟道MOS的漏极,如此以形成其中一所述N沟道MOS管的漏极电性连接于其中一所述P沟道 MOS管的漏极,该所述P沟道MOS管的源极电性连接于另一所述P沟道MOS管的源极,该另一所述P沟道MOS管的漏极电性连接于另一所述N沟道MOS管的漏极,以及该另一所述N沟道MOS管的源极电性连接于前一所述N沟道MOS管的源极的顺序连接关系,其中两所述N沟道MOS管中,任一所述N沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述N沟道MOS管的漏极,其中两所述P沟道MOS管中,任一所述 P沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述P沟道MOS管的漏极,其中所述等效振荡电感的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极,所述等效振荡电容的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极而与所述等效振荡电感并联,其中一所述反相输出引脚被电性连接于所述等效振荡电感的一端,以输出所述差分振荡电路输出的激励信号,所述相位变换器被电性连接于另一所述反相输出引脚和所述等效振荡电感的该端之间,以对所述差分振荡电路输出的所述激励信号移相180
°
或反相,从而使两所述反相输出引脚输出相差趋于180
°
的所述激励信号。
[0007]根据本技术的一个方面,本技术提供一基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其中所述基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片包括:
[0008]两反相输出引脚;
[0009]一差分振荡电路,其中所述差分振荡电路具有两N沟道MOS管,两P沟道MOS 管,一等效振荡电感以及一等效振荡电容,其中两所述反相输出引脚分别被电性连接于所述等效振荡电感的同一端,其中两所述N沟道MOS管的源极电性相连并适于被电性连接于内部电源,且任一所述N沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述N沟道MOS管的漏极,其中两所述P沟道MOS的源极电性相连并被电性连接于内部地,且任一所述P沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述P 沟道MOS管的漏极,其中两所述N沟道MOS管的两漏极分别被电性连接于不同所述P沟道MOS的漏极,其中所述等效振荡电感的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极,其中所述等效振荡电容的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极而与所述等效振荡电感并联;和
[0010]一相位变换器,其中一所述反相输出引脚被电性连接于所述等效振荡电感的一端,以输出所述差分振荡电路输出的激励信号,所述相位变换器被电性连接于另一所述反相输出引脚和所述等效振荡电感的该端之间,以对所述差分振荡电路输出的所述激励信号移相180
°
或反相,从而使两所述反相输出引脚输出相差趋于180
°
的所述激励信号。
[0011]在本技术的一实施例中,其中所述相位变换器为一移相器,所述移相器被电性连接于该另一所述反相输出引脚和所述等效振荡电感之间,以将所述差分振荡电路输出的所述激励信号移相180
°
后自该另一所述反相输出引脚输出。
[0012]在本技术的一实施例中,其中所述相位变换器为一反相器,所述反相器被电
性连接于该另一所述反相输出引脚和所述等效振荡电感之间,以将所述差分振荡电路输出的所述激励信号反相后自该另一所述反相输出引脚输出。
[0013]在本技术的一实施例中,其中所述基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片进一步包括两放大器,其中两所述放大器分别被电性连接于两所述反相输出引脚和所述等效振荡电感之间,以缓冲/隔离干扰信号窜本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其特征在于,包括:两反相输出引脚;一差分振荡电路,其中所述差分振荡电路具有两N沟道MOS管,两P沟道MOS管,一等效振荡电感以及一等效振荡电容,其中两所述N沟道MOS管的源极电性相连并适于被电性连接于内部电源,且任一所述N沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述N沟道MOS管的漏极,其中两所述P沟道MOS的源极电性相连并被电性连接于内部地,且任一所述P沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述P沟道MOS管的漏极,其中两所述N沟道MOS管的两漏极分别被电性连接于不同所述P沟道MOS的漏极,其中所述等效振荡电感的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极,其中所述等效振荡电容的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极而与所述等效振荡电感并联;和一相位变换器,其中一所述反相输出引脚被电性连接于所述等效振荡电感的一端,以输出所述差分振荡电路输出的激励信号,其中所述相位变换器被电性连接于另一所述反相输出引脚和所述等效振荡电感的该端之间,以对所述差分振荡电路输出的所述激励信号移相180
°
或反相,从而使两所述反相输出引脚输出相差趋于180
°
的所述激励信号。2.根据权利要求1所述的基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其中所述相位变换器为一移相器,所述移相器被电性连接于该另一所述反相输出引脚和所述等效振荡电感之间,以将所述差分振荡电路输出的所述激励信号移相180
°
后自该另一所述反相输出引脚输出。3.根据权利要求1所述的基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其中所述相位变换器为一反相器,所述反相器被电性连接于该另一所述反相输出引脚和所述等效振荡电感之间,以将所述差分振荡电路输出的所述激励信号反相后自该另一所述反相输出引脚输出。4.根据权利要求2或3所述的基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其中所述基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片进一步包括两放大器,其中两所述放大器分别被电性连接于两所述反相输出引脚和两所述等效振荡电感之间,以缓冲/隔离干扰信号窜入所述差分振荡电路,和/或放大所述激励信号。5.根据权利要求4所述的基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其中所述差分振荡电路进一步包括一可调电流源,所述可调电流源的一端被电性连接于两所述P沟道MOS的源极之间,所述可调电流源的另一端被接地,从而基于对所述可调电流源的电流调整,形成对所述差分振荡电路输出所述激励信号的幅值调节。6.根据权利要求5所述的基于压控振荡器的反相双输出微波探测芯片,其中所述差分振荡电路进一步包括一可调MOS管,其中所述可调MOS管的漏极被电性连接于两所述P沟道MOS的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹高迪孙毅邹新邹明志
申请(专利权)人:深圳迈睿智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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