谷底补偿的反激电源电路、电路板和终端设备制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了谷底补偿的反激电源电路、电路板和终端设备，其均包括整流子电路、反激子电路和补偿子电路，反激子电路包括输出电容和变压器，补偿子电路包括补偿电容和对应于变压器的辅助绕组；整流子电路的输入端接入交流电源，整流子电路的输出端与输出电容的正极相连；补偿电容的阴极和阳极分别与辅助绕组的两端相连，补偿电容的阳极还通过第八二极管与输出电容的阳极相连；补偿电容的电容量大于输出电容的电容量。通过补偿子电路中的补偿电容，在输出电容的能量输出不足时，由补偿电容提供能量，维持谷底电压，从而降低电源中后级拓扑的电流应力，避免使用过程中温度上升，保证供电可靠性。保证供电可靠性。保证供电可靠性。

【技术实现步骤摘要】
谷底补偿的反激电源电路、电路板和终端设备


[0001]本技术实施例涉及电源
，尤其涉及谷底补偿的反激电源电路、电路板和终端设备。

技术介绍

[0002]在电子终端设备中，电源很大程度上影响着电子终端设备的使用寿命和使用体验。为保证供电质量，通常会在电源处理中通过各种方式减少电流畸变，抑制谐波。
[0003]现有的电源例如无PFC(Power Factor Correction，功率因数校正)电路的反激电源，在交流输入的一个工频周期内，只有在交流输入电压峰值(正弦波谷顶) 时，整流桥才会导通，电解电容被充电到交流峰值电压。当交流电压下降后，整流桥反向截止，输出能量由电解电容提供。当用电设备的输出功率比较大，或者电解电容容量太小时，可能会存在温度上升和供电可靠性降低的问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供了谷底补偿的反激电源电路、电路板和终端设备，以解决现有无FPC电路的反激电源在使用过程中可能存在温度上升和供电可靠性降低的技术问题。
[0005]第一方面，本技术实施例提供了谷底补偿的反激电源电路，包括整流子电路、反激子电路和补偿子电路，反激子电路包括输出电容和变压器，补偿子电路包括补偿电容和对应于变压器的辅助绕组；
[0006]整流子电路的输入端接入交流电源，整流子电路的输出端与输出电容的正极相连；
[0007]补偿电容的阴极和阳极分别与辅助绕组的两端相连，补偿电容的阳极还通过第八二极管与输出电容的阳极相连；
[0008]补偿电容的电容量大于输出电容的电容量。
[0009]第二方面，本技术实施例提供了电路板，包括第一方面的谷底补偿的反激电源电路。
[0010]第三方面，本技术实施例提供了终端设备，包括第二方面的电路板。
[0011]上述反激电源电路、电路板和终端设备，均包括整流子电路、反激子电路和补偿子电路，反激子电路包括输出电容和变压器，补偿子电路包括补偿电容和对应于变压器的辅助绕组；整流子电路的输入端接入交流电源，整流子电路的输出端与输出电容的正极相连；补偿电容的阴极和阳极分别与辅助绕组的两端相连，补偿电容的阳极还通过第八二极管与输出电容的阳极相连；补偿电容的电容量大于输出电容的电容量。通过补偿子电路中的补偿电容，在输出电容的能量输出不足时，由补偿电容提供能量，维持谷底电压，从而降低电源中后级拓扑的电流应力，避免使用过程中温度上升，保证供电可靠性。
附图说明
[0012]图1为本技术实施例提供的一种谷底补偿的反激电源电路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0014]需要注意的是，由于篇幅所限，本申请说明书没有穷举所有可选的实施方式，本领域技术人员在阅读本申请说明书后，应该能够想到，只要技术特征不互相矛盾，那么技术特征的任意组合均可以构成可选的实施方式。
[0015]下面对各实施例进行详细说明。
[0016]图1为本技术实施例提供一种谷底补偿的反激电源电路的电路结构示意图，如图1所示，该谷底补偿的反激电源电路包括整流子电路、反激子电路和补偿子电路，反激子电路包括输出电容EB1和变压器T1，补偿子电路包括补偿电容EB2和对应于变压器T1的辅助绕组N3；整流子电路的输入端接入交流电源，整流子电路的输出端与输出电容EB1的正极相连；补偿电容EB2的阴极和阳极分别与辅助绕组N3的两端相连，补偿电容EB2的阳极还通过第八二极管D8与输出电容EB1的阳极相连；补偿电容EB2的电容量大于输出电容EB1 的电容量。
[0017]在图1所示电路中，第一二极管D1、二极管D2、二极管D3和第四二极管 D4组成整流子电路；输出电容EB1、MOS管Q1、变压器T1、第五二极管D5 和电容E1组成反激子电路。图1中的整流子电路和反激子电路只是一种可选的具体实现方式，采用其他整流子电路和反激子电路的具体实现方式，只要是在反激电源电路中应用本方案中的补偿子电路对反激电源电路中的输出电源进行谷底补偿，均不脱离本方案的整体设计思路。
[0018]在具体实现本方案时，补偿子电路还包括第六二极管D6；第六二极管D6 的阳极与辅助绕组N3的第一端相连，第六二极管D6的阴极与第八二极管 D8的阳极以及补偿电容EB2的阳极相连，补偿电容EB2的阴极与辅助绕组N3 的第二端相连并接地。
[0019]基于本方案中的补偿电容EB2、第八二极管D8以及辅助绕组N3，可以有效增加输出电容的谷底电压。在图1所示的电路中，通过辅助绕组N3和副边 N2的匝比关系，可以将补偿电容EB2的电压设定为输出电容EB1预期最低的谷底电压，例如图1中V1的输出12V，辅助绕组N3和副边N2的匝比为5，则辅助绕组N3的输出为60V，也就是补偿电容EB2的电压为60V。在本方案中，为提供尽可能好的补偿效果，补偿电容EB2的电容量会比输出电容EB1的电容量大比较多，例如为输入电容EB1的电容量的10倍或以上，在一种示例性的电容设置方式中，输出电容EB1的电容量为10uF，补偿电容EB2的电容量为220uF(为输出电容EB1的22倍)。
[0020]在工作状态下，当交流电的一个工频周期内，电压大于补偿电容EB2的电压时，第八二极管D8不导通，输出能量由输出电容EB1提供并在输入电压处于谷顶时补充能量，且大于预期设定的最低谷底电压，后级反激拓扑工作在电流应力较小的工况条件下。
[0021]在工作状态下，当交流电的一个工频周期内，电压小于补偿电容EB2的电压时，第八二极管D8导通，补偿电容EB2存储到的能量此时补充给输出电容EB1，此时输出能量由补
偿电容EB2和输出电容EB1共同提供。由于补偿电容 EB2耐压等级较低，容量可以选择较大，因而补偿电容EB2电压下降幅度较小，使得输出电容EB1谷底电压保持预期设定值，降低后级反激拓扑的电流应力。
[0022]如果在图1的基础上仅通过输出电容EB1进行供电，那么在交流电的一个工频周期内，只有在交流电输入电压峰值时，整流桥才会导通，输出电容EB1 被充电到交流电峰值电压。当交流电电压下降后，整流桥反向截止，输出能量由输出电容EB1提供。当用电设备的输出功率比较大，或者输出电容EB1的电容量太小时，输出电容EB1的电压会下降到较低，MOS管Q1和变压器T1的电流应力上升，进而导致温度上升和供电可靠性下降。而且，由于输出电容EB1 的电压较低，输出功率也会受到限制。基本本方案可以同时解决输出功率受到限制的问题。
[0023]在具体实现本方案时，输出电容EB1和补偿电容EB2均为电解电容。输出电容EB1和/或补偿电容EB2进一步采用铝电解电容。铝电解电容是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片弯曲的铝带做正极制成，经过直流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.谷底补偿的反激电源电路，其特征在于，包括整流子电路、反激子电路和补偿子电路，所述反激子电路包括输出电容和变压器，所述补偿子电路包括补偿电容和对应于所述变压器的辅助绕组；所述整流子电路的输入端接入交流电源，所述整流子电路的输出端与所述输出电容的正极相连；所述补偿电容的阴极和阳极分别与所述辅助绕组的两端相连，所述补偿电容的阳极还通过第八二极管与所述输出电容的阳极相连；所述补偿电容的电容量大于所述输出电容的电容量。2.根据权利要求1所述的谷底补偿的反激电源电路，其特征在于，所述补偿子电路还包括第六二极管；所述第六二极管的阳极与所述辅助绕组的第一端相连，所述第六二极管的阴极与所述第八二极管的阳极以及所述补偿电容的阳极相连，所述补偿电容的阴极与所述辅助绕组的第二端相连并接地。3.根据权利要求1所述的谷底补偿的反激电源电路，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓国健，蒙德荣，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：