内存地址的映射方法、内存访问方法和装置、芯片、设备制造方法及图纸

技术编号:35612620 阅读:26 留言:0更新日期:2022-11-16 15:37
本公开提供一种内存地址的映射方法、内存访问方法、装置、芯片、电子设备和介质,涉及计算机技术领域,具体涉及内存技术领域。所述内存包括大小相同的第一内存空间和第二内存空间,所述第一内存空间和第二内存空间中的每一个均包括多个地址连续的子内存空间,所述内存地址的映射方法包括:按照第一映射规则,将所述第一内存空间的多个子内存空间一一对应映射至多个内存访问通道;以及按照不同于所述第一映射规则的第二映射规则,将所述第二内存空间的多个子内存空间一一对应映射至所述多个内存访问通道。内存访问通道。内存访问通道。

【技术实现步骤摘要】
内存地址的映射方法、内存访问方法和装置、芯片、设备


[0001]本公开涉及计算机
,具体涉及内存领域,尤其涉及一种内存地址的映射方法、内存访问方法、装置、芯片、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

技术介绍

[0002]内存的访问效率直接影响系统处理性能,当系统中包括多个内存访问通道时,需要将内存中所包括的不同地址的内存空间映射到不同的内存访问通道。
[0003]在此部分中描述的方法不一定是之前已经设想到或采用的方法。除非另有指明,否则不应假定此部分中描述的任何方法仅因其包括在此部分中就被认为是现有技术。类似地,除非另有指明,否则此部分中提及的问题不应认为在任何现有技术中已被公认。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种内存地址的映射方法、内存访问方法、装置、芯片、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
[0005]根据本公开的一方面,提供了一种内存地址的映射方法,所述内存包括大小相同的第一内存空间和第二内存空间,所述第一内存空间和第二内存空间中的每一个均包括多个地址连续的子内存空间,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内存地址的映射方法,其特征在于,所述内存包括大小相同的第一内存空间和第二内存空间,所述第一内存空间和第二内存空间中的每一个均包括多个地址连续的子内存空间,所述方法包括:按照第一映射规则,将所述第一内存空间的多个子内存空间一一对应映射至多个内存访问通道;以及按照不同于所述第一映射规则的第二映射规则,将所述第二内存空间的多个子内存空间一一对应映射至所述多个内存访问通道。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述内存还包括第三内存空间,所述第三内存空间包括多个地址连续的子内存空间,所述方法还包括:按照与所述第一映射规则和第二映射规则均不相同的第三映射规则,将所述第三内存空间的多个子内存空间一一对应映射至所述多个内存访问通道。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述按照第一映射规则,将所述第一内存空间的多个子内存空间一一对应映射至多个内存访问通道包括:获取所述第一内存空间的多个子内存空间的地址序列,所述地址序列中所述第一内存空间的多个子内存空间的地址从低位到高位依次排序;按照第一映射规则,依次将所述地址序列中的多个地址一一对应映射至所述多个内存访问通道。4.如权利要求1

3中任一项所述的方法,其特征在于,其中,所述按照第一映射规则,将所述第一内存空间的多个子内存空间一一对应映射至多个内存访问通道包括:基于第一预设规则获取所述多个内存访问通道相应的第一序列;依次将所述第一内存空间所包括的多个子内存空间按照所述第一序列一一对应映射至所述多个内存访问通道,并且其中,所述按照不同于所述第一映射规则的第二映射规则,将所述第二内存空间的多个子内存空间一一对应映射至所述多个内存访问通道包括:基于不同于所述第一预设规则的第二预设规则获取所述多个内存访问通道相应的第二序列,所述第一序列中所述多个内存访问通道的排序与所述第二序列中所述多个内存访问通道的排序不同;依次将所述第二内存空间所包括的多个子内存空间按照所述第二序列一一对应映射至所述多个内存访问通道。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第二序列为将所述第一序列中的第一个内存访问通道调整为最后一个内存访问通道而得到的。6.一种内存访问方法,其特征在于,所述内存包括大小相同的第一内存空间和第二内存空间,所述第一内存空间和第二内存空间中的每一个均包括多个地址连续的子内存空间,所述方法包括:利用如权利要求1

4中任一项所述的方法,将所述多个子内存空间一一对应映射至多个内存访问通道;以及针对所述多个子内存空间中的每个子内存空间,基于与该子内存空间对应的内存访问通道访问所述子内存空间。
7. 一种内存地址的映射装置,其特征在于,所述内存包括大小相同的第一内存空间和第二内存空间,所述第一内存空间和第二内存空间中的每一个均包括多个地址连续的子内存空间,所述装置包...

【专利技术属性】
技术研发人员:王祥李敏丽何俊王昱霖
申请(专利权)人:瀚博半导体上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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