【技术实现步骤摘要】
一种电流路径调控型应力探测装置
[0001]本技术涉及应力探测
,具体涉及一种电流路径调控型应力探测装置。
技术介绍
[0002]在外因作用下,物体内部各部分之间会产生相互作用的内力。应力和应力的集中分布是压力容器、管道、叶片、飞行机构等承载结构失效的主要原因之一。研究材料或结构的应力分布及应力状态下材料的物理、化学方面的性质,能够预防工程应用中的损坏或失效。
[0003]应变贴片是常见的应力探测装置。应用时,将应变贴片贴在被探测的物体上,应变贴片随着被探测的物体一起伸缩,应变贴片中敏感金属随之产生伸长或收缩,导致敏感金属的导电特性变化,通过导体特性变化实现应变探测。
[0004]现有应变贴片的尺寸大、灵敏度低,难以准确测量微米级区域的应力。技术专利CN209166685U公开了一种应力探测装置:电极置于硅衬底上凹槽的两侧,二维层状材料片设置在电极上,二维层状材料片贴附在柔性衬底上。由于电极设置在硅衬底上,硅衬底的导电特性严重地依赖于其温度,被测物体的温度将严重影响应力探测的准确性;另外,由于二维层状材 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电流路径调控型应力探测装置,其特征在于,包括基底、弹性层、二维材料层、电极,所述基底的表面设有凹槽,所述弹性层固定在所述基底的表面上,所述弹性层覆盖所述凹槽,所述二维材料层设置在所述弹性层上,所述二维材料层的宽度大于所述凹槽的长度,所述电极有两个,两个所述电极设置在所述二维材料层上所述凹槽的相对两侧,在所述凹槽的顶部,所述弹性层和所述二维材料层中设有贯穿的孔洞。2.如权利要求1所述的电流路径调控型应力探测装置,其特征在于:所述基底的材料为硅。3.如权利要求1所述的电流路径调控型应力探测装置,其特征在于:所述二维材料层为过渡金属硫属化合物。4.如权利要求3所述的电流路径调控...
【专利技术属性】
技术研发人员:庞凝,黄洁,向志丹,温若澜,杨俊,王梦茹,解宜原,
申请(专利权)人:西南大学,
类型:新型
国别省市:
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