一种高透紫外光阻隔基膜、包含该基膜的双面纳米银线导电膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高透紫外光阻隔基膜及其制备方法，高透紫外光阻隔基膜包括透明共聚酯树脂和紫外光吸收剂，透明共聚酯树脂的质量百分数为75

【技术实现步骤摘要】
一种高透紫外光阻隔基膜、包含该基膜的双面纳米银线导电膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于触摸屏电子材料
，具体涉及一种高透紫外光阻隔基膜、包含该基膜的双面纳米银线导电膜及其制备方法。
[0002]本专利技术属于战略性新型产业目录之1 新一代信息技术产业中的1.3 电子核心产业重点方向下1.3.5 关键电子材料中 光电子材料 透明导电薄膜材料。

技术介绍

[0003]触摸屏（Touch Panel）又称为“触控屏”、“触控面板”，是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置，作为智能设备的输入组件，主要由保护玻璃、导电膜、触控芯片、光学胶等部件组成。其中的导电膜采用ITO导电膜， ITO导电膜因具有良好的导电性和透光性，且技术成熟，是目前市场上最主流的透明导电膜材料，占据小尺寸触控屏90%以上市场份额。然而，ITO 透明导电薄膜的缺点也很明显，其主要是通过磁控溅射等工艺方式沉积在透明的玻璃或者PET基质上制备而得，存在制备条件苛刻、成本高、柔性差、大尺寸产品良率低、电阻过大、成膜面积小、薄膜质脆等缺陷，限制了其在大尺寸触摸屏和柔性触摸屏方向的应用。
[0004]随着柔性时代的到来，ITO材料的替代已成必然趋势，其中纳米银线的导电、透光、弯折性能最好，已经广泛应用在教育白板、会议系统、智能手机、柔性可穿戴设备等领域，且可以使用涂覆工艺生产透明导电膜，量产成本最低，市场前景广阔。
[0005]目前触摸屏技术快速发展，近年来该领域热点在于如何实现单层双面纳米银线透明导电薄膜，从而达到触摸屏轻薄化、工艺流程简便化、降低成本的目标。单层双面纳米银线透明导电薄膜受到行业内研究者的青睐，虽然对薄膜基材进行双面纳米银线制备工艺成熟，但是在后续制备触摸屏过程中会发生双面激光蚀刻至背面的现象，导致无法使用，因此如何解决双面激光蚀刻至背面同时保持纳米银线透明导电膜高透光率是目前行业研究的重点及难点。
[0006]中国专利CN 108984025 A公开一种电容式触控屏的单层双面电极及其制备方法，在基材的两侧表面制备纳米银线透明导电薄膜层，进行化学蚀刻，形成电容式触控屏的单层双面电极，所述化学蚀刻的方式包括酸蚀刻、碱蚀刻、氧化金属离子蚀刻、蚀刻膏蚀刻或臭氧蚀刻。能实现单层双面电极，但化学蚀刻工艺复杂、成本高，无法像产业链使用的激光蚀刻技术那样大规模生产单层双面电极薄膜，实际商业效益低，同时化学刻蚀易于对纳米银线产生影响，导致纳米银线的光电性能丧失。
[0007]中国专利CN 107610813 A公开了一种双面导电膜及其制备方法，该双面导电膜包括基膜，基膜的两面分别设置有抗紫外胶层以及在抗紫外胶层远离基膜的一面设置有纳米银线层。由于在基膜的两面设置了抗紫外胶层，在对纳米银线层进行双面激光蚀刻时，激光不会穿透蚀刻背面的纳米银线层，解决了双面激光蚀刻背面的问题，但通过双面增加抗紫外胶层会对纳米银线导电膜的关键性能透光率产生大的影响，且对纳米银线层的涂布产生
影响，同时由于多层结构会极大地增加实际生产工艺的复杂度及成本。
[0008]综上所述，为满足新时代对触摸屏轻薄化、工艺流程简便化、降低成本等需求，急需提供一种智能化、轻薄化高透紫外光阻隔双面纳米银线导电膜。

技术实现思路

[0009]针对现有技术中存在的单层双面电极采用化学蚀刻工艺复杂、成本高，无法大规模工业化生产单层双面电极薄膜，化学刻蚀易导致纳米银线的光电性能丧失；在基膜的两面设置了抗紫外胶层影响透光率等问题，本专利技术提供一种高透紫外光阻隔基膜、包含该基膜的双面纳米银线导电膜及其制备方法。
[0010]本专利技术的目的是以下述方式实现的：一种高透紫外光阻隔基膜，包括透明共聚酯树脂和紫外光吸收剂，透明共聚酯树脂的质量百分数为75
‑
90%，紫外光吸收剂的含量为10
‑
25%。
[0011]所述透明共聚酯树脂为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯
‑
1,4
‑
环己烷二甲醇酯中的一种或两种。
[0012]所述紫外光吸收剂为2
‑
（2
‑
羟基
‑5‑
甲基苯基）苯并三氮唑、 2,2',4,4'
‑
四羟基二苯甲酮、 2
‑
羟基
‑4‑
甲氧基二苯甲酮、 2
‑
羟基
‑4‑
正辛氧基二苯甲酮、2
‑
（2
‑
羟基
‑
3，5
‑
二叔苯基）
‑5‑
氯化苯并三唑中的任意一种。
[0013]所述基膜的厚度为50~250μm。
[0014]高透紫外光阻隔基膜的制备方法，将透明共聚酯树脂与紫外光吸收剂置于高速混合机内搅拌，混合均匀后进行干燥处理，干燥处理后加入单螺杆挤出机进行熔融挤出，随后通过流延铸片、单向拉伸、收卷、分切过程得到高透紫外光阻隔基膜。
[0015]高速混合机内搅拌转速1200 转/min，干燥温度为70
‑
100 ℃，干燥时间为5
‑
8 h，熔融挤出温度280 ℃。
[0016]包含高透紫外光阻隔基膜的双面纳米银线导电膜，高透紫外光阻隔基膜两层均设置纳米银线层，纳米银线层上蚀刻导电线路。
[0017]双面纳米银线导电膜的制备方法，在高透紫外光阻隔基膜的两侧表面涂布纳米银线涂布液，烘干固化后形成纳米银线层；然后对双面纳米银线层进行激光蚀刻形成导电线路。
[0018]纳米银线的涂布方式为凹版涂布、旋涂、棒涂、浸涂、喷涂、卷对卷涂布、丝网印刷涂布或喷墨印刷涂布任一种。
[0019]烘干固化温度为100~140℃，烘干固化时间为5~10min。
[0020]相对于现有技术，本专利技术提供一种高透紫外光阻隔基膜，具有高透、紫外光阻隔的特点。
[0021]本专利技术提供一种高透紫外光阻隔双面纳米银线导电膜，可实现双面导电，解决目前激光刻蚀无法制备双层导电膜的问题，且具有高透、紫外光阻隔的特点，透过率达90.5%
‑
93.7%，激光透过率2%
‑
5%，双面纳米银线导电膜进行单面激光刻蚀时背面无明显损伤。同时使用新型纳米银线材料替代传统ITO材料，通过简单的涂布方式替代ITO薄膜磁控溅射等复杂工艺方式制备透明导电膜，具有工艺简单、快捷、低成本、低碳节能的优点。
[0022]本专利技术制备的双面纳米银线导电膜，具有制备步骤简单，操作简便等优点，可用于
工业化批量制备和生产，可与现有的商业化单层纳米银线导电膜生产工艺设备良好对接，使得触摸屏结构简化，省去了一层导电膜、一层光学胶的使用，省去了一次贴合过程，可将其应用于触摸屏光电显示领域。
附图说明
[0023]图1为高透紫外光阻隔双面纳米银线导电膜的结构示意图。
[0024]图2为高透紫外光阻隔双面纳米银线导电膜的制备工艺流程图。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高透紫外光阻隔基膜，其特征在于：包括透明共聚酯树脂和紫外光吸收剂，透明共聚酯树脂的质量百分数为75
‑
90%，紫外光吸收剂的含量为10
‑
25%。2.根据权利要求1所述一种高透紫外光阻隔基膜，其特征在于：所述透明共聚酯树脂为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯
‑
1,4
‑
环己烷二甲醇酯中的一种或两种。3. 根据权利要求1所述一种高透紫外光阻隔基膜，其特征在于：所述紫外光吸收剂为2
‑
（2
‑
羟基
‑5‑
甲基苯基）苯并三氮唑、 2,2',4,4'
‑
四羟基二苯甲酮、 2
‑
羟基
‑4‑
甲氧基二苯甲酮、 2
‑
羟基
‑4‑
正辛氧基二苯甲酮、2
‑
（2
‑
羟基
‑
3，5
‑
二叔苯基）
‑5‑
氯化苯并三唑中的任意一种。4.根据权利要求1所述一种高透紫外光阻隔基膜，其特征在于：所述基膜的厚度为50~250μm。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘力，邵国安，王乐跃，郭佳亮，马海霞，周慈航，符明涵，
申请(专利权)人：乐凯华光印刷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：