一种发光元件及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光元件及显示装置，通过在挡墙结构和发光单元之间设置金属反射结构，由于该金属反射结构的第一镂空结构的侧壁(反射面)相对于发光单元的发光面倾斜设置，这样发光单元发射的发散的光线入射至第一镂空结构的侧壁(反射面)时，第一镂空结构的侧壁(反射面)可以使更多的光线射向量子点色转换膜，极大的提高了光线的利用率，获得高光效的发光元件。发光元件。发光元件。

【技术实现步骤摘要】
一种发光元件及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光元件及显示装置。

技术介绍

[0002]量子点(quantum dot，简称QD)材料的发光光谱具有很窄的半峰宽，因此，QD在光致发光显示和电致发光显示领域有潜在的应用价值，QD
‑
LED(量子点和无机发光二极管技术结合的显示)是QD材料光致发光显示的一个典型代表，但目前常见的QD
‑
LED器件的发光效率较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供了一种发光元件及显示装置，用以提高发光元件的发光效率。
[0004]本专利技术实施例提供了一种发光元件，包括：
[0005]衬底基板；
[0006]多个发光单元，位于所述衬底基板上；
[0007]金属反射结构，位于所述发光单元背离所述衬底基板的一侧；所述金属反射结构具有多个第一镂空结构，所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述第一镂空结构在所述衬底基板上的正投影范围内，所述第一镂空结构的侧壁相对于所述发光单元的发光面倾斜设置；
[0008]挡墙结构，位于所述金属反射结构背离所述衬底基板的一侧；所述挡墙结构具有多个子像素开口，所述第一镂空结构与所述子像素开口一一对应，且所述第一镂空结构在所述衬底基板上的正投影位于所述子像素开口在所述衬底基板上的正投影范围内；
[0009]多个量子点色转换膜，其中至少部分所述子像素开口内设置有所述量子点色转换膜。
[0010]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，还包括位于所述金属反射结构和所述挡墙结构之间的连接层，所述连接层填充所述第一镂空结构。
[0011]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述金属反射结构包括围绕各所述发光单元四周独立设置的多个反射部，所述反射部具有所述第一镂空结构，所述连接层还填充相邻所述反射部之间的间隙。
[0012]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述反射部包括本体以及位于所述本体和所述连接层之间的反射层，所述本体的材料包括树脂，所述反射层的材料包括ITO/Ag/ITO。
[0013]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述本体沿所述衬底基板厚度方向的截面形状为三角形，所述三角形中指向所述发光单元的内角为锐角。
[0014]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述内角与所述发光单元的发光角的角度之和小于90
°
。
[0015]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，还包括位于所述多个量子点色
转换膜背离所述衬底基板一侧的金属线栅偏振片，所述金属线栅偏振片包括盖板以及位于所述盖板背离所述衬底基板一侧的金属线栅；所述金属线栅包括平行间隔排列的多条金属线。
[0016]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述金属线栅的周期小于或等于120nm，所述金属线的高度大于或等于140nm，所述金属线栅的占空比为0.35～0.5。
[0017]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，还包括位于所述连接层和所述挡墙结构之间的金属键合层；所述金属键合层具有多个第二镂空结构以及位于相邻所述第二镂空结构之间的金属键合部，所述金属键合部在所述衬底基板上的正投影与所述挡墙结构在所述衬底基板上的正投影重合。
[0018]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述金属键合部包括层叠设置的第一Cu层、In层和第二Cu层。
[0019]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述第一Cu层和所述第二Cu层的厚度相同，所述第一Cu层的厚度与所述In层的厚度之比大于1.2:1。
[0020]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，还包括填充所述第二镂空结构的平坦层。
[0021]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，还包括位于所述金属键合层和所述挡墙结构之间的量子点封装层，所述量子点封装层在所述衬底基板上正投影覆盖所述衬底基板。
[0022]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述挡墙结构的材料为反射性材料。
[0023]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述发光单元的发光颜色为蓝色，所述子像素开口包括第一子像素开口、第二子像素开口和第三子像素开口，所述第一子像素开口内设置红色所述量子点色转换膜，所述第二子像素开口内设置绿色所述量子点色转换膜，所述第三子像素开口内填充树脂材料，所述树脂材料内具有散射粒子。
[0024]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，还包括位于所述挡墙结构和所述盖板之间的遮光层和彩膜层，所述遮光层具有与所述子像素开口一一对应的多个通孔，所述彩膜层包括多个色阻，所述色阻与所述量子点色转换膜一一对应且分别位于各所述通孔内。
[0025]可选地，在本专利技术实施例提供的上述发光元件中，所述发光单元包括Mini LED或Micro LED。
[0026]相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一项所述的发光元件。
[0027]本专利技术实施例的有益效果如下：
[0028]本专利技术实施例提供的一种发光元件及显示装置，通过在挡墙结构和发光单元之间设置金属反射结构，由于该金属反射结构的第一镂空结构的侧壁(反射面)相对于发光单元的发光面倾斜设置，这样发光单元发射的发散的光线入射至第一镂空结构的侧壁(反射面)时，第一镂空结构的侧壁(反射面)可以使更多的光线射向量子点色转换膜，极大的提高了光线的利用率，获得高光效的发光元件。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例提供的一种发光元件的结构示意图；
[0030]图2为本专利技术实施例提供的又一种发光元件的结构示意图；
[0031]图3为本专利技术实施例提供的又一种发光元件的结构示意图；
[0032]图4为图2的局部结构示意图；
[0033]图5为发光单元发射的入射至金属线栅偏振片的光线的几种反射路径示意图；
[0034]图6A为透射型金属线栅偏振示意图；
[0035]图6B为WGP的平面示意图；
[0036]图6C为TE波的反射路径A1；
[0037]图6D和图6E为两种反射出光的俯视图；
[0038]图7A为图5中反射路径A2的平面示意图；
[0039]图7B为反射出光的俯视图；
[0040]图8为图1、图2和图3对应的三种子像素开口对应的平面示意图；
[0041]图9为多个图8所示的结构的重复排列示意图；
[0042]图10A和图10B分别为红色量子点色转换膜和绿色量子点色转换膜的膜厚变化对应的亮度转化示意图；
[0043]图11A为图1
‑
图3中金属线栅偏振片(WGP)的结构示意图；
[0044]图11B为不同线栅周期下的WGP的消光比与波长的关系示意图；
[0045]图11C为WGP的占空比、消光比、T本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：衬底基板；多个发光单元，位于所述衬底基板上；金属反射结构，位于所述发光单元背离所述衬底基板的一侧；所述金属反射结构具有多个第一镂空结构，所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述第一镂空结构在所述衬底基板上的正投影范围内，所述第一镂空结构的侧壁相对于所述发光单元的发光面倾斜设置；挡墙结构，位于所述金属反射结构背离所述衬底基板的一侧；所述挡墙结构具有多个子像素开口，所述第一镂空结构与所述子像素开口一一对应，且所述第一镂空结构在所述衬底基板上的正投影位于所述子像素开口在所述衬底基板上的正投影范围内；多个量子点色转换膜，其中至少部分所述子像素开口内设置有所述量子点色转换膜。2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括位于所述金属反射结构和所述挡墙结构之间的连接层，所述连接层填充所述第一镂空结构。3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述金属反射结构包括围绕各所述发光单元四周独立设置的多个反射部，所述反射部具有所述第一镂空结构，所述连接层还填充相邻所述反射部之间的间隙。4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述反射部包括本体以及位于所述本体和所述连接层之间的反射层，所述本体的材料包括树脂，所述反射层的材料包括ITO/Ag/ITO。5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述本体沿所述衬底基板厚度方向的截面形状为三角形，所述三角形中指向所述发光单元的内角为锐角。6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述内角与所述发光单元的发光角的角度之和小于90
°
。7.如权利要求1
‑
6任一项所述的发光元件，其特征在于，还包括位于所述多个量子点色转换膜背离所述衬底基板一侧的金属线栅偏振片，所述金属线栅偏振片包括盖板以及位于所述盖板背离所述衬底基板一侧的金属线栅；所述金属线栅包括平行间隔排列的多条金属线。8.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，所述金属线栅的周期小于或等于120nm，所述金属线的高度大于或等于140nm，所述金属线栅的占空比为0.35～0.5。9.如权利要求2
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王倩，李伟，孟宪芹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：