【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用桥接导体的低损耗导线
技术介绍
[0001]本主题公开涉及量子电路。量子计算采用量子物理技术而不是基于晶体管的二进制数字技术来编码和处理信息。量子计算设备采用根据量子物理定律操作并且可以展现诸如叠加和纠缠之类的现象的量子位(也称为量子位)。量子物理学的叠加原理允许量子位处于同时部分地表示“1”的值和“0”的值的状态。量子物理学的纠缠原理允许量子位彼此相关,使得量子位的组合状态不能分解为单个量子位状态。例如,第一量子位的状态可以取决于第二量子位的状态。这样,量子电路可以采用量子位来以可以显著不同于基于晶体管的二进制数字技术的方式编码和处理信息。
[0002]关于量子电路的制造,一些量子电路可以利用共面波导(CWP)作为用于量子应用的传输线。CWP可包括传输线和两个返回导体线路,所述传输线可为可形成于电介质基板上的中心导体(例如,导体线路),所述两个返回导体线路可形成于所述电介质基板上,其中一个返回导体线路在所述中心导体的每一侧上且与所述中心导体分离相对小的空间。CWP可用于传输量子应用的微波频率信号。然而,CPW在介电基板中可能具有不期望的能量损失(例如,微波损失)。
[0003]解决电介质基板中的这种能量损失的传统方法是对CWP的中心导体和回路导体之间的空间附近的部分基板进行部分基板蚀刻。然而,即使对靠近空间的基板的那些部分进行侵蚀性或深度蚀刻,在介电基板中仍可能存在显著且不合需要的量的能量损失。量子电路的常规制造的这些和其他缺陷可以导致量子电路的低效和/或低效电路和/或低效性能。
技术实现思路
[0004 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件,其包括:基板部件;以及导体部件,所述导体部件包括设置在所述基板部件的部分上方的桥接部分,其中,在所述导体部件的所述桥接部分和所述基板部件的所述部分的面对所述桥接部分的表面之间形成限定距离的间隙。2.根据权利要求1所述的器件,其中所述桥接部分是第一桥接部分,并且其中所述导体部件包括桥接部分组和基底导体部分,所述桥接部分组包括所述第一桥接部分和第二桥接部分,所述基底导体部分设置在所述基板部件上并且位于所述第一桥接部分和所述第二桥接部分之间。3.根据权利要求2所述的器件,其中所述第一桥接部分和所述第二桥接部分在所述基底导体部分和所述基板部件的表面上方升高,以在所述基板部件与所述第一桥接部分和所述第二桥接部分之间形成包括所述间隙的多个间隙。4.根据权利要求2至3中任一项所述的器件,其中所述基板部件的所述部分是所述基板部件的第一部分,其中所述间隙是第一间隙,并且其中所述基板部件的第一区段被移除以在所述基板部件的所述第一部分和设置在所述基板部件的所述第一部分上方的所述第一桥接部分之间形成所述第一间隙,并且所述基板部件的第二区段被移除以在所述基板部件的第二部分和设置在所述基板部件的所述第二部分上方的所述第二桥接部分之间形成第二间隙。5.根据前述权利要求中任一项所述的器件,其中导电层设置在所述基板部件上,其中所述导电层包括所述导电层的第一部分、所述导电层的第二部分,并且所述导体部件位于所述导电层的所述第一部分和所述导电层的所述第二部分之间,其中第一空间形成在所述导体部件和所述导电层的所述第一部分之间,并且第二空间形成在所述导体部件和所述导电层的所述第二部分之间。6.根据前述权利要求中任一项所述的器件,其中在所述导体部件的所述桥接部分与所述基板部件的面向所述桥接部分的所述部分的表面之间形成的所述限定距离的所述间隙使得能够减少与所述基板部件相关联的能量损失量。7.根据权利要求6所述的器件,其中根据定义的电路设计标准,在所述导体部件的所述桥接部分与所述基板部件的所述部分的所述表面之间形成的所述限定距离是足够的距离,以在不超过定义的距离阈值量的情况下减少与所述基板部件相关联的能量损失量。8.根据前述权利要求中任一项所述的器件,其中所述导体部件由超导材料形成。9.根据前述权利要求中任一项所述的器件,其中所述基板部件包括电介质材料并且具有满足定义的阈值传导率水平的热导率水平。10.根据前述权利要求中任一项所述的器件,其中所述基板部件和所述导体部件是包括量子位的量子计算电路的部分。11.一种方法,包括:形成基板;以及形成导体线路,所述导体线路包括设置在所述基板的部分上方的桥接导体部分,其中在所述导体线路的所述桥接导体部分和所述基板的面向所述桥接导体部分的所述部分的表面之间形成限定距离的间隙。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述桥接导体部分是第一桥接导体部分,并且其中所述形成所述导体线路包括形成包括桥接导体部分组和基底导体部分的所述导体线路,所述桥接导体部分组包括所述第一桥接导体部分和第二桥接导体部分,所述基底导体部分设置在所述基板部件上并且位于所述第一桥接部分和所述第二桥接部分之间。13.如权利要求12所述的方法,其中所述第一桥接导体部分和所述第二桥接导体部分是在相对于所述基底导体部分和所述基板的所述表面的升高的水平处形成的,以在所述基板与所述第一桥接导体部分和所述第二桥接导体部分之间形成包括所述间隙的多个间隙。14.根据权利要求12至13中任一项所述的方法,其中所述基板的所述部分是所述基板的第一部分,其中所述间隙是第一间隙,并且其中所述方法还包括:去除所述基板的第一部分,以在所述基板的所述第一部分和设置在所述基板的所述第一部分上方的所述第一桥接导体部分之间形成所述第一间隙;以及去除所述基板的第二部分,以在所述基板的所述第二部分和设置在所述基板的所述第二部分上方的所述第二桥接导体部分之间形成第二间隙。15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法,其中导电层设置在所述基板上,并且其中所述导电层包括所述导电层的第一部分、所述导电层的第二部分以及位于所述导电层的所述第一部分和所述导电层的所述第二部分之间的所述导体线路,其中第一空间形成在所述导体线路和所述导电层的所述第一部分之间,并且第二空间形成在所述导体线路和所述导电层的所述第二部分之间。16.根据权利要求11至15中任一项所述的方法,其中在所述导体线路的所述桥接导体部分和所述基板的面对所述桥接导体部分的所述部分的表面之间形成的所述限定距离的所述间隙能够减少与所述基板相关联的能量损失量。17.如权利要求11至16中任一项所述的方法,其中所述导体线路由超导材料形成,并且其中所述基板包括电介质材料并且具有满足定义的最小阈值传导率水平的热导率水平。18.根据权利要求11至17中任一项所述的方法,其中所述基板和所述导体线路是包括量子位的量子计算电路的一部分。19.一种促进形成量子计算电路的计算机程序产品,所述计算机程序产品包括计算机可读存储介...
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