一种电压控制方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种电压控制方法、装置、设备及存储介质，其中，所述方法包括：确定电子设备中存储器的工作频率；获取所述存储器的初始供电电压；基于所述工作频率和目标供电电压的映射关系，将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压。供电电压。供电电压。

【技术实现步骤摘要】
一种电压控制方法、装置、设备及存储介质


[0001]本申请实施例涉及计算机
，涉及但不限于一种电压控制方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]保持内存的稳定性是计算机技术的难点。内存正常工作时，其供电电压一直是固定值，而电压一直维持在高级别的固定值，会带来内存的功耗较大和热量较大的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种电压控制方法、装置、设备及存储介质。
[0004]本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种电压控制方法，所述方法包括：
[0006]确定所述电子设备中存储器的工作频率；
[0007]获取所述存储器的初始供电电压；
[0008]基于所述工作频率和目标供电电压的映射关系，将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压。
[0009]第二方面，本申请实施例提供一种电压控制装置，所述装置包括：
[0010]确定模块，用于确定所述电子设备中存储器的工作频率；
[0011]获取模块，用于获取所述存储器的初始供电电压；
[0012]调整模块，用于基于所述工作频率和目标供电电压的映射关系，将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压。
[0013]第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述方法。
[0014]第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，存储有可执行指令，用于引起处理器执行时，实现上述方法。
[0015]本申请实施例中，首先确定所述电子设备中存储器的工作频率；获取所述存储器的初始供电电压；然后基于所述工作频率和目标供电电压的映射关系，将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压。这样，可以实现不同频率提供不同的供电电压，即在频率高是升高电压不影响工作，在频率低时减低电压实现降低功耗的目的。
附图说明
[0016]图1A为本申请实施例提供的一种电压控制方法的实现流程示意图；
[0017]图1B为本申请实施例提供的一种确定存储器工作频率方法的实现流程示意图；
[0018]图1C为本申请实施例提供的一种调制电压方法的实现流程示意图；
[0019]图2为本申请实施例提供的一种分级调整电压的示意图；
[0020]图3A为本申请实施例提供的一种为内存供电的供电示意图；
[0021]图3B为本申请实施例提供的一种为内存供电的供电示意图；
[0022]图4A为本申请实施例提供的一种为内存供电的供电示意图；
[0023]图4B为本申请实施例提供的电压控制方法的实现流程示意图；
[0024]图5为本申请实施例提供的一种电压控制装置的组成结构示意图；
[0025]图6为本申请实施例提供的电子设备的一种硬件实体示意图。
具体实施方式
[0026]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对申请实施例的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。
[0027]在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
[0028]在以下的描述中，所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，不是旨在限制本申请。
[0030]对本申请实施例进行进一步详细说明之前，对本申请实施例中涉及的名词和术语进行说明，本申请实施例中涉及的名词和术语适用于如下的解释。
[0031]VDD，北桥芯片供电电压或者存储芯片的输入缓冲和核心逻辑的供电电压。
[0032]VDDQ，存储芯片的输出缓冲供电电压。
[0033]双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate，DDR)，双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种。
[0034]本申请实施例提供一种电压控制方法，如图1所示，该方法包括：
[0035]步骤S110、确定所述电子设备中存储器的工作频率；
[0036]在一些实施例中，存储器可以是双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate，DDR)，是一种内存。内存又可以叫做主存，是中央处理器CPU可以直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。相对于外存而言的，电子设备中的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把以上程序调入内存中运行，才能真正使用其功能，举例来说，在电子设备中输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。在电子设备中，可以将要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，内存的质量会直接影响电脑的运行速度。
[0037]这里，DDR内存是一个时钟周期内传输两次数据，可以在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
[0038]DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒
(DDR内存)实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。
[0039]这里，存储器的工作频率即以上所述实际的工作频率。
[0040]在实施过程中，由于存储器是中央处理器CPU可以直接寻址的存储空间，所以电子设备的CPU可以读取该存储器的参数，即可以获取存储器的工作频率。
[0041]步骤S120、获取所述存储器的初始供电电压；
[0042]这里，存储器在工作状态下，需要外接供电电压，以满足该存储器的正常工作。所以在存储器的工作状态下，可以先获取到该存储器的初始供电电压。
[0043]在一些实施例中，该初始供电电压可以是与工作频率匹配的供电电压，也可以是与该工作频率不匹配的供电电压。
[0044]在实施过程中，步骤S110和步骤S120不分执行的先后顺序，即，可以先执行步骤S110再执行步骤S120，还可以先执行步骤S120再执行步骤S110，也可以同步执行步骤S110和步骤S120。
[0045]步骤S130、基于所述工作频率和目标供电电压的映射关系，将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压。
[0046]这里，目标供电电压是与工作频率匹配的供电电压，即，目标工作电压可以为存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压控制方法，应用于电子设备，所述方法包括：确定所述电子设备中存储器的工作频率；获取所述存储器的初始供电电压；基于所述工作频率和目标供电电压的映射关系，将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压。2.如权利要求1所述的方法，所述确定电子设备中存储器的工作频率，包括：设置所述电子设备工作在内存分频模式；在所述内存分频模式下，获取所述电子设备的当前运行信息；基于所述当前运行信息确定所述存储器的工作频率。3.如权利要求1所述的方法，所述基于所述工作频率和目标供电电压的映射关系，将所述初始供电电压调整为目标供电电压，包括：获取所述工作频率与所述目标供电电压的映射关系；基于所述映射关系，确定所述工作频率对应的目标供电电压；将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压。4.如权利要求3所述的方法，所述将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压，包括：确定所述初始供电电压大于所述目标供电电压；降低所述初始供电电压至目标供电电压。5.如权利要求3所述的方法，所述将所述初始供电电压调整为所述目标供电电压，包括：确定所述初始供电电压小于所述目标供电电压；升高所述初始供电电压至目标供电电压。6.如权利要求3所述的方法，所述将所述初始供电电压调整为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈锋，彭金刚，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：