一种开关电容转换器制造技术

本发明专利技术公开了一种开关电容转换器，包括开关管S1至S4、电容C2、电容C3、电容C4、二极管、二极管D2、二极管D3、输入端Vin、输出端Vout和接地端；开关管S1的一端连接输入端Vin，开关管S1的另一端同时连接开关管S2的一端、电容C3一端和二极管D3的阴极，电容C3另一端同时连接二极管D1的阴极和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极同时连接二极管D3的阳极和电容C4一端，开关管S2的另一端同时连接输出端Vout、开关管S3的一端和电容C2一端，开关管S3的另一端同时连接开关管S4的一端、二极管D1的阳极和电容C4另一端，开关管S4的另一端和电容C2另一端同时连接所述接地端。本发明专利技术的开关电容转换器具有大变比、高功率密度、器件应力小的特点。器件应力小的特点。器件应力小的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电容转换器


[0001]本专利技术涉及电源
，特别涉及一种开关电容转换器。

技术介绍

[0002]开关电容转换器通常用作CPU、芯片组、外设等低压大电流负载的电源，由于电路中不包含磁性器件，从而降低了功率损耗，且具有大变比、高功率密度、器件应力小的特点。因此相较于传统的降压转换器可采用低耐压的开关管实现较高的转换效率，同时开关电容转换器具有更大的降压比。
[0003]图1(a)为现有技术开关电容转换器的电路一个实施例的示意图，包括开关管S1、开关管S2、开关管S3、开关管S4、电容C1、电容C2、输入端Vin、输出端Vout和接地端；开关管S1的一端连接输入端Vin，开关管S1的另一端同时连接开关管S2的一端和电容C1一端，开关管S2的另一端同时连接输出端Vout、开关管S3的一端和电容C2一端，开关管S3的另一端同时连接开关管S4的一端和电容C1另一端，开关管S4的另一端同时连接接地端和电容C2另一端；开关管S1、开关管S2、开关管S3和开关管S4的控制端分别用于输入驱动信号G1、驱动信号G2、驱动信号G3和驱动信号G4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电容转换器，其特征在于：包括开关管S1、开关管S2、开关管S3、开关管S4、电容C2、电容C3、电容C4、二极管、二极管D2、二极管D3、输入端Vin、输出端Vout和接地端；所述开关管S1的一端连接所述输入端Vin，所述开关管S1的另一端同时连接所述开关管S2的一端、所述电容C3一端和所述二极管D3的阴极，所述电容C3另一端同时连接所述二极管D1的阴极和所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极同时连接所述二极管D3的阳极和所述电容C4一端，所述开关管S2的另一端同时连接所述输出端Vout、所述开关管S3的一端和所述电容C2一端，所述开关管S3的另一端同时连接所述开关管S4的一端、所述二极管D1的阳极和所述电容C4另一端，所述开关管S4的另一端和所述电容C2另一端同时连接所述接地端；所述开关电容转换器工作时，所述开关管S1、所述开关管S2、所述开关管S3和所述开关管S4的占空比均为50％，所述开关管S1和所述开关管S3的驱动波形相同，所述开关管S2和所述开关管S4的驱动波形相同，并且所述开关管S1和所述开关管S3的驱动波形与所述开关管S2和所述开关管S4的驱动波形互补。2.根据权利要求1所述开关电容转换器，其特征在于：所述开关管S1、所述开关管S2、所述开关管S3和所述开关管S4均为MOS管。3.根据权利要求1所述开关电容转换器，其特征在于：所述开关电容转换器工作时，所述开关管S1和所述开关管S3的驱动波形与所述开关管S2和所述开关管S4的驱动波形设置有死区时间。4.根据权利要求1所述开关电容转换器，其特征在于：所述开关电容转换器还包括至少一个扩展开关模块；所述扩展开关模块包括：电容C7_i、二极管D7_i、二极管D8_i、和二极管D9_i，i为大于或等于1的自然数；所述二极管D7_i的阴极连接所述开关管S1的另一端，所述二极管D7_i的阳极和所述电容C7_i一端连接在一起作为所述扩展开关模块的输入端，所述电容C7_i另一端同时连接所述二极管D8_i的阴极和所述二极管D9_i的阳极，所述二极管D8_i的阳极连接所述开关管S3的另一端，所述二极管D9_i的阴极作为所述扩展开...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢鹏飞，耿建勤，付垚，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：