一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法技术

一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法，步骤为：对硅棒进行电阻率测试，得到电阻率值；对硅棒进行少子寿命测试，少子寿命值；计算少子寿命与电阻率两值之比，得到比值称之为相对少子寿命；对一组硅棒样品进行相对少子寿命值的计算，得到相对少子寿命；根据相对少子寿命的数值大小进行分组，对m组样品分别进行切片；计算得到m组样品每组对应的平均相对少子寿命值；对m组硅片样品分别进行电池效率评估，得率m组电池转换效率数据；将m组电池转换效率数据与m组平均相对少子寿命值进行相关性分析，验证两组数据的相关性。本发明专利技术提出利用相对少子寿命评估硅棒质量的方法，可以消除掺杂电阻率对少子寿命的影响。消除掺杂电阻率对少子寿命的影响。消除掺杂电阻率对少子寿命的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法


[0001]本专利技术属于硅棒质量分析
，特别涉及一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法。

技术介绍

[0002]位错密度、金属污染是硅棒的不良缺陷，影响着硅棒少子寿命，进而影响到太阳能电池的转换效率。掺杂电阻率是工艺调整的参数，当前主流掺杂元素镓、磷在硅中的分凝系数较小，产品电阻率很难稳定控制在一个电阻率值或者一个很小的电阻率范围，因此产出不同电阻率的产品是必然结果。然而相对不同电阻率的硅棒，会有不同的少子寿命表现，如何快速比较不同少子寿命硅棒质量好坏，成为质量分析人员的困扰，例如相同掺杂类型的单晶硅棒A测试电阻率为0.5Ω
·
cm，少子寿命测试值300μs，单晶硅棒B测试电阻率0.8Ω
·
cm，少子寿命测试值400μs，仅从少子寿命400μs>300μs判断，单晶硅棒B优于单晶硅棒A，实际电池效率表现单晶硅棒A优于单晶硅棒B。相对不同电阻率的硅棒，如何通过少子寿命快速判断硅块的质量为本专利技术要解决的技术问题。r/>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，对硅棒进行电阻率测试，得到电阻率值R；步骤2，对硅棒进行少子寿命测试，少子寿命值L；步骤3，计算少子寿命L与电阻率R两值之比，得到比值L
R
，称之为相对少子寿命；步骤4，采用上述步骤1
‑
3的方法对一组硅棒样品N1、N2、N3……
N
n
进行相对少子寿命值的计算，得到相对少子寿命L
R1
、L
R2
、L
R3
……
L
Rn
；步骤5，根据相对少子寿命的数值大小进行分组，得到m组样品，对m组样品分别进行切片，得到m组硅片样品；计算得到m组样品每组对应的平均相对少子寿命值L1、L2、L3……
L
m
；步骤6，对m组硅片样品分别进行电池效率评估，得率m组电池转换效率数据F1、F2、F3
……
Fm；步骤7，将m组电池转换...

【专利技术属性】
技术研发人员：李易成，周晓康，杜政，李普，陈发勤，陈权威，刘群锋，
申请(专利权)人：中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：