【技术实现步骤摘要】
半导体装置及包括该半导体装置的显示装置
[0001]本专利技术的一个实施方式涉及一种具有氧化物半导体膜的半导体装置。此外，本专利技术的一个实施方式涉及一种包括上述半导体装置的显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个实施方式涉及一种工序、机器、产品或组合物。本专利技术的一个实施方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。
[0003]在本说明书等中，半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置。除了晶体管等半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的实施方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池或有机薄膜太阳能电池等)及电子设备可以包括半导体装置。
技术介绍
[0004]作为可用于晶体管的半导体材料，氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的绝缘膜；所述绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及所述氧化物半导体膜上的一对电极，其中，所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜分别独立地包含In、M和Zn，所述M为Al、Ga、Y或...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，冈崎健一，黑崎大辅，中泽安孝，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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