【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可燃气体稀释
[0001]本专利技术的领域涉及可燃气体稀释,并且在一些实施例中涉及真空泵送和消减系统。
技术介绍
[0002]存在一些半导体制造过程,其中,将要被排放和消减的气体是可燃气体,例如氢气。例如,在光刻中,通过受控地暴露于辐射源来制造产品。在这种情况下,辐射源是极紫外EUV辐射。在此过程中,氢气作为帘幕气体以愈来愈大的量使用,以遮蔽光学元件和镜子,使其不受溅镀锡的影响,该溅镀锡由激光激发,以在光刻工具中辐射EUV光。这些过程在真空中进行,并且真空系统提供了该过程发生所需的真空压力,并将氢气带走以被安全地消减。
[0003]在许多消减系统中,从真空处理腔室移除的可燃气体被燃烧以移除该气体。存在与之相关的环境影响,并且通常需要两个消减工具,即运转消减工具以及在运转消减工具中的燃烧器熄灭的情况下的备用消减工具。这种布置结构在燃料和空间两方面都是昂贵的。
[0004]希望提供一种从气流中消减可燃气体的替代方法,使得气流可以被安全地排放。
技术实现思路
[0005]第一方面提供了一种可燃气体稀 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种可燃气体稀释器,用于将可燃气体的流稀释到低于所述可燃气体的可燃极限的浓度,所述稀释器包括:稀释容器,其包括限定从入口到出口的纵向流动通道的外包络;至少一个空气入口组件,其用于将空气流引导到所述稀释容器的所述入口中;可燃气体入口装置,其包括多个孔口,至少一些孔口被布置在朝向所述稀释容器的所述入口端跨过所述稀释容器的横截面与所述稀释容器的所述外包络相距不同的距离处;多个气流引导结构,其被布置在所述可燃气体入口装置和所述出口之间,每个气流引导结构沿着所述稀释容器的长度处于不同位置;其中,所述多个气流结构中的至少一个是向内引导气流结构,用于引导气流远离所述外包络,并且所述气流结构中的至少一个是向外引导气流结构,用于引导气流朝向所述外包络;并且其中,所述稀释容器包括收缩部,所述可燃气体入口装置位于所述收缩部内,使得所述空气在通过所述可燃气体入口之前被加速。2.根据权利要求1所述的可燃气体稀释器,包括至少一个气流发生器,用于将空气流泵送到所述空气入口组件中,所述至少一个气流发生器位于所述可燃气体入口装置的上游。3.根据权利要求2所述的可燃气体稀释器,包括两个气流发生器,所述两个气流发生器被构造成作为运转和备用气流发生器来操作。4.根据权利要求2或3所述的可燃气体稀释器,其中,所述至少一个气体流发生器和稀释容器被构造成使得所述空气在所述可燃气体入口装置处的流动速度大于可燃气体的火焰速度。5.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器,其中,所述可燃气体入口装置被构造成使得所述孔口面向远离所述气体出口。6. 根据权利要求5所述的可燃气体稀释器,其中,所述可燃气体入口装置的所述孔口的直径在2和5 mm之间。7.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器,其中,所述可燃气体入口装置包括外环通道和从所述外环通道朝向所述环...
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