混合封装件装置和制作方法制造方法及图纸

一些特征涉及一种混合封装件，包括裸片、第一衬底结构和与该衬底至少部分地共面的第一金属化结构。该裸片通过第二金属化结构被电耦合至所述第一金属化结构和所述第一衬底。该第一金属化结构被配置为提供用于数据信令的电路径。该第二金属化结构被配置为接地平面，并且被耦合至接地信号。该第一衬底结构被配置为提供用于功率信令的电路径。为提供用于功率信令的电路径。为提供用于功率信令的电路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】混合封装件装置和制作方法
[0001]根据35U.S.C.
§
119要求优先权
[0002]本专利申请要求于2020年3月31日提交的标题为“HYBRID PACKAGE APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING”的美国临时申请号63/002,750的优先权以及于2021年3月24日提交的标题为“HYBRID PACKAGE APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING”的美国非临时申请号17/211,164的优先权，它们中的每一个都被转让给其受让人，并且通过引用明确并入本文。


[0003]各种特征涉及一种包括封装件衬底和至少部分地共面的金属化结构的混合封装件。

技术介绍

[0004]集成电路、集成电路封装件和电子设备被不断地驱动为更小的形状因数。对应地，这种设备之间的连接被驱动为具有更小的宽度和更细的间距，以增加输入/输出，同时仍维持更小的形状因数。
[0005]此外，集成电路封装件支持各种类型的信令，包括功率信令、数据信令和接地信号。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装件，包括：裸片；第一衬底结构；以及第一金属化结构，与所述第一衬底结构至少部分地共面，其中所述裸片被电耦合至所述第一金属化结构和所述第一衬底结构。2.根据权利要求1所述的封装件，其中：所述第一金属化结构在水平平面上与所述第一衬底结构至少部分地共面，并且所述第一金属化结构邻近所述第一衬底结构。3.根据权利要求2所述的封装件，其中所述第一金属化结构和所述第一衬底结构被第一模制物至少部分地分离。4.根据权利要求3所述的封装件，其中所述第一模制物至少部分地包围所述第一金属化结构和所述第一衬底结构。5.根据权利要求3所述的封装件，其中所述第一衬底结构被所述第一金属化结构包围。6.根据权利要求5所述的封装件，还包括：第二金属化结构，被电耦合至所述裸片、所述第一衬底结构和所述第一金属化结构。7.根据权利要求6所述的封装件，其中：所述裸片通过所述第二金属化被电耦合至所述第一金属化结构，并且通过所述第二金属化结构被电耦合至所述第一衬底结构。8.根据权利要求5所述的封装件，还包括：第二金属化结构，在所述裸片和所述第一金属化结构之间，并且在所述裸片和所述第一衬底结构之间。9.根据权利要求2所述的封装件，还包括：第二金属化结构，在所述裸片和所述第一金属化结构之间，并且在所述裸片和所述第一衬底结构之间。10.根据权利要求9所述的封装件，还包括：第二模制物，至少部分地覆盖所述裸片；以及所述第二模制物的第一侧，被直接连接至所述第二金属化结构。11.根据权利要求10所述的封装件，还包括：所述第二模制物的第二侧，被直接连接至第三金属化结构，所述第三金属化结构被配置为以层叠封装配置耦合至第二封装件。12.根据权利要求7所述的封装件，其中：所述第一金属化结构被配置为提供用于数据信令的电路径，所述第二金属化结构被耦合至接地信号，并且所述第一衬底结构被配置为提供用于功率的电路径。13.根据权利要求12所述的封装件，其中：所述第一金属化结构包括多个第一互连，所述多个第一互连包括具有第一厚度的焊盘，并且所述第一衬底结构包括多个衬底互连，所述多个衬底互连包括具有第二厚度的焊盘，其中所述第二厚度大于所述第一厚度。
14.根据权利要求12所述的封装件，其中：所述第一金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：